测量条件对掺锡氧化铟薄膜电学测量结果的影响

用van der Pauw方法测量磁控溅射制备的掺锡氧化铟(ITO)薄膜的电学性能,研究了在室温和冰水混合条件下测量电流大小对电阻率测量结果的影响;在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响.实验结果显示,测量电流为5 mA和测量磁场为0.5 T时,测量结果最佳.

掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响

研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。

掺锡氧化铟薄膜应用于电热玻璃

用直流磁控反应溅射技术,在玻璃表面淀积掺锡氧化铟透明导电薄膜(简称ITO膜),成功地应用到飞机、机车、船舶等电热玻璃上.该技术的研究成功,为我国电热玻璃的更新换代闯出了新的途径.本文介绍了ITO薄膜的特性、导电原理及其制备方法,对关键工艺参数进行较详细地讨论.实验结果表明,以ITO膜为导电材料制备的电热玻璃,克服了以往电热玻璃所有缺点.并且,还具有独特的光学性能,既可节省能源,又对驾驶员的身心健康起到了保护作用.

等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

采用直流辉光CF4 O2 等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜 ,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到 1 8× 10 - 3 Ω·cm ,透光率高于 80 %.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响 ,结果表明 :氟的掺入增加了载流子浓度 ,使得薄膜的电阻率明显下降 ,而薄膜的透光率变差 ,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善 ,掺氟量越大需要的退火温度越高 .X射线衍射分析说明 ,氟的掺入使薄膜的无序度增加 ;退火处理提高了薄膜的结晶状况 ,改善了薄膜的透光性能 ,同时也没有增加薄膜的电阻率 .

基于蓝色激光的氧化铟太赫兹透射特性研究

氧化铟是宽禁带半导体材料,本文在室温下用蓝色激光照射氧化铟薄膜,利用THz-TDS系统研究了蓝色激光入射角度相同但激光强度不同和蓝色激光强度相同但激光入射角度不同两种情况下氧化铟薄膜的太赫兹透射特性。发现当蓝色激光入射角不变时,氧化铟薄膜的太赫兹透射强度随着激光强度的增加而逐渐减小;当蓝色激光光强不变,氧化铟薄膜的太赫兹透射强度随着激光入射角的增大而缓慢减小。将蓝色激光和氧化铟相结合,为太赫兹波的调制提供了一种新的方法。

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10 m in)的样品,样品在400℃的大气中进行1 h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用V an der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.

Sol-Gel法制备低阻In_2O_3薄膜

采用sol gel法制备In2 O3薄膜材料 ,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响 ;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析 ,确定了其结构和组成 ,并用此薄膜材料制作了直热式气敏元件 ,发现它对乙醇、丁烷气体具有较高的灵敏度。

ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜的光电性能研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜工艺,在普通玻璃基片上制备了掺锡氧化铟(ITO)纳米透明导电薄膜。采用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同Sn掺杂量、不同热处理温度和热处理时间以及不同涂层对薄膜光学和电学性能的影响。结果表明薄膜的方块电阻随Sn掺杂量的增大和热处理温度的升高先降低后增加,在适宜的温度范围内薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高而增加。在一定的温度下,随着热处理时间的延长,ITO薄膜的方块电阻先降低后增加,透射率先增加后降低。在最佳工艺条件下,采用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜平均可见光透过率达86%,薄膜方阻为322Ω/□。

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究

以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60 min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.

沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响

采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。

两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析

比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5 0nm附近的透过率可达 86%以上 ,消光系数约为 0 0 4 ,方电阻最低为 1 0 0Ω/□ .

ITO薄膜导电性能对温度的响应

以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法制得透光导电ITO薄膜。用温度控制器改变ITO薄膜温度,用SZT-2四探针测试仪测膜的方阻。结果表明:在温度的循环变化过程中,ITO薄膜的方阻随着温度的上升而降低,在温度降低时沿原曲线返回,且重演性好,高温时电阻响应的灵敏度较大,可在使用过程中起到温度的传感作用。

用In_2O_3薄膜制成的高感度半导体O_3传感器

用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制.

空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响

以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。

溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管

采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。

衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响

以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。

二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路

为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。