氯化铕对大黄愈伤组织生长及超微结构的影响

以掌叶大黄的愈伤组织为材料，研究了不同浓度氯化铕对其生长的影响，并利用透射电镜技术研究了氯化铕对大黄细胞超微结构的影响。实验结果表明，低浓度氯化铕促进愈伤组织生长，高浓度则抑制生长，浓度达到１００ｍｇ／Ｌ则可导致大黄外植体全部死亡。氯化铕对大黄的促进作用可被钙调蛋白的拮抗剂氯丙嗪抑制。１０ｍｇ／Ｌ氯化铕可使大黄愈伤组织的细胞形态发生明显变异。

氯化铕改性的介孔SiO_2负载1,8-萘二酸酐杂化材料的结构表征及荧光性能

采用EuCl_3对负载1,8-萘二酸酐(NA)的双模型介孔分子筛(BMMs)进行改性,以期提高此类杂化材料的荧光性能,并且利用XRD、TEM、N_2吸附-脱附、FT-IR、TG等分析手段对样品进行了结构表征,采用荧光光谱仪(PL)考察了其发光行为。结果表明,EuCl_3改性后的BMMs仍然保持了双模型介孔结构特征,而且EuCl_3对荧光性能有显著影响,造成1,8-萘二酸酐的特征发射峰蓝移,且荧光强度明显提高。

量热法测定氯化铕甘氨酸配合物及其配离子的标准生成焓

应用具有恒温环境的反应量热计,在298.15 K的温度下,分别测定了[EuCl_3·6H_2O(s)+3Gly(s)]和配合物Eu(Gly)_3Cl_3·3H_2O(s)在2 mol·L^(-1)HCl溶液中的溶解焓.根据盖斯定律设计一个热化学循环,可计算得到三水氯化铕和甘氨酸配位反应的反应焓△_rH_m~θ(298.15 K)=-55.598 kJ·mol^(-1),并计算出配合物Eu(Gly)_3Cl_3·3H_2O(s)在298.15 K时的标准生成焓△_fH_m~θ(298.15 K)=一3 598.02 kJ·mol^(-1).同时测定了Eu(Gly)_3Cl_3·3H_2O(s)在水中的溶解焓△_sH_m=9.375 kJ·mol^(-1),并计算出配离子Eu(Gly)_3~3(aq)在298.15 K时的标准生成焓△_f H_m~θ[Eu(Gly)_3^(3+),aq,298.15 K]=一2 229.68 kJ·mol^(-1).

氯化法制备无水氯化铕的实验研究

Eu2O3与CCl4蒸气连续在450℃反应12h，500℃反应10h，550℃反应24h和600℃反应10h，可制备纯的无水EuCl3。

从少铕氯化稀土中提取氧化铈的研究

少铕氯化稀土溶液用碳酸钠及助沉剂沉淀,沉淀物经500℃焙烧一小时,铈的氧化率大于95％。焙烧物用稀硫酸浸出,浸出液用P_(204)-煤油萃取四价铈。负载有机相经还原反萃,草酸沉淀,高温灼烧。灼烧物光谱分析结果表明,氧化铈的纯度达99.95％,萃余水相用复盐碱转盐酸溶解制备少铈富镧氯化稀土。

铕对决明发根生长及有效成分生成的作用

以决明发根为材料 ,在培养基中附加 0 0 0 1～ 10mg·L- 1 Eu3+ (EuCl3) ,测量发根的鲜重和干重 ,用高效液相色谱法测定游离蒽醌化合物含量。发现极低剂量 ( 0 0 0 1,0 0 1,1 0mg·L- 1 )Eu3+ 抑制生长 ,0 0 0 1mg·L- 1 Eu3+ 抑制作用最强 ,干重比对照降低 2 2 % ;较低剂量( 10mg·L- 1 )Eu3+ 促进生长 ,干重比对照增加 2 7% ;0 0 0 1,0 0 1,0 1,1 0mg·L- 1 Eu3+ 各个处理的游离蒽醌化合物总含量均低于对照 ,而10mg·L- 1 Eu3+ 处理的含量高于对照 2 6% ,高于Eu3+ 1 0mg·L- 1 处理 97%。10mg·L- 1 Eu3+ 能有效增强决明发根的生长、提高游离蒽醌化合物总含量和产量。

氟氯化钡-铕高速增感屏在X线摄影中的应用

目前,很多基层医院X线摄片仍使用普通中速或低速增感屏,摄片时需设置较高的条件,射线辐射较大,照片清晰度亦不太理想.我们采用氟氯化钡-铕高速增感屏,使用100mA X线机,拍摄的X线胶片却十分理想,达到200～300 mA X线机效果.现将我们的运用体会作一介绍.

铕(Ⅲ)三元配合物的合成与光致发光性能

用氯化铕与水杨酸(HSal)、邻菲罗啉(Phen)在乙醇溶液中反应,合成了稀土配合物[Eu(Phen)(Sal)3],研究了该配合物的IR、UV、TGA、元素分析及光致发光性能.结果表明,该配合物中的配体吸收激发光的能量后,能有效地传递给中心Eu3+,发出强的Eu3+的特征荧光.

铕(Ⅱ)制备的研究——用锌还原和三辛胺一次萃取除去锌

为测定微量锌,先用叔胺类萃取剂分离锌已有报导,但多在高酸度低浓度的萃取体系下进行。而以锌还原铕(Ⅲ),用低酸度、高浓度的三辛胺萃取除锌制备铕(Ⅱ),似尚未见报导。除电解法外,这也是快速制取铕(Ⅱ)溶液的一种方法。本文对实验室中锌还原铕(Ⅲ),浓三辛胺萃取除锌的条件、萃取液的选择、不同酸度下锌的萃取率以及稀土溶液对萃取锌的影响等进行了研究。我们以三氯化铕为原料、锌还原液(pH5—6)

EuCl_3-CaCl_2二元系相图

用差热分析法研究了ＥｕＣｌ３ＣａＣｌ２二元体系相图，发现该体系有一个异份熔化化合物ＥｕＣｌ３·３ＣａＣｌ２。体系转熔点为５７０℃，ＥｕＣｌ３摩尔分数４５．４％；低共熔点为５２２℃，ＥｕＣｌ３摩尔分数６６．８％。

EuCl_3—PbCl_2二元系相图的研究

ＥｕＣｌ_３—ＰｂＣｌ_２二元系相图的研究张俊卿，李玉生，吴志华，王明生（包头钢铁学院冶金系包头０１４０１０）相图是材料科学研究的基础。人们为了得到在特定条件下使用的材料，都必须从相图上了解材料可能存在的条件或从中得到发展新材料的启示。研究稀土熔盐体系...

基于EuCl_(3)·6H_(2)O晶体的光存储

量子存储器是构建未来大规模量子网络的核心器件.由于具有超长的量子相干寿命,稀土掺杂晶体逐渐成为最有希望实现实用量子存储的材料之一.然而掺杂晶体中不可避免的晶格畸变限制了该类材料的吸收深度和存储效率.纯稀土化合物晶体则同时满足了低晶格畸变和高稀土离子密度的需求,有望实现高光存储效率. EuCl_(3)·6H_(2)O晶体是目前研究较多的一种纯稀土化合物晶体,已经实现了低于超精细能级间距的光学非均匀展宽,并且理论预测的自旋相干寿命可达1000 s,是一种颇具潜力的量子存储材料.目前光存储或量子存储功能仅仅在稀土掺杂晶体中实现过,尚无实验报道纯稀土化合物晶体中的光存储现象.本文报告了在EuCl_(3)·6H_(2)O晶体中实现了原子频率梳型光存储.通过降温法生长得到了EuCl_(3)·6H_(2)O单晶,实验测得其~7F_0→~5D_0跃迁相干时间为55.7μs,存储时间1μs时的存储效率为1.71%,展现了这种材料实现光量子存储的原理可行性.通过分析温度依赖的吸收线频率移动,指出在这一材料中实现高效率光存储的主要挑战在于高效率的光谱烧孔.

一种新型指印荧光显现剂的研究

本文主要论述了新型指印荧光显现剂的基本原理、配方和实验结果.所配制的显现剂可显现牛皮纸、白纸、铜板纸、明信片等纸张上的指印,也可以显现塑料、油漆面、原木、乳胶漆墙面等客体表面的指印,使用方便、快捷.

EuCl_3─MgCl_2二元系相图的研究

利用差热分析方法研究了ＥｕＣｌ_３─ＭｇＣｌ_２二元体系相图。发现该体系有一个异份熔化化合物２ＥｕＣｌ_３·３ＭｇＣｌ_２，体系转熔点Ｐ为５０５℃，５７．０ｍｏｌ％ＥｕＣｌ_３，低共熔点Ｅ为４７５℃，６４．６ｍｏｌ％ＥｕＣｌ_３。

Eu（Ⅲ）-聚 N-乙烯基乙酰胺高分子配合物的合成及光谱性质研究

稀土离子与高分子配位基团直接成键而形成的稀土高分子配合物因其独特的荧光特性更受到各国科学工作者广为关注[1～4]. 尤其含铕稀土高分子化合物兼具稀土离子高发光特性与高分子化合物易加工特点, 可望成为一种具有高荧光效率、对光热稳定、分散均匀等特殊功能的新材料[5～6].

表面处理对BaFCI:Eu^(2+)发光性质的改进

利用正硅酸乙酯的水解,在BaFCl:Eu^(2+)荧光粉表面上形成一定厚度(40～60nm)的SiO_2表面层,它能有效地促进基体对激发能量的吸收,改变发光中心的化学环境,对荧光粉的发光性质产生较大影响。发光强度因此提高14％～19％。

Synthesis and Crystal Structure ofTrichlorotetrakis(tetrahydrofuran) Europium

Crystal of EuCl3(C4H8O4). was obtained from the reaction of C9H7Naand EuCl3,(0. 8: 1 mole ratio) in THF. It was crystallized in Fdd2 space group withunit cell parameters a=29. 161 (4), b=16. 558(6), c=9. 479 (3) A, V=4577 (4)A3, Z=8, Dc= 1.59 g/cm3, Mr=546. 75. F(000)=2192, A(Mo Ka) =0. 71069, u=31. 12 cm-1, T=293K. The final R and Rw values are 0. 040 and 0. 051 respective-ly. Three chlorine atoms and four oxygen atoms from THF are coordinated with cen-tral europium ion to form a pentagonal bipyramid polyhedron with coordination number7, the average Eu-Cl; bond length is 2. 637 A and Eu-O 2. 460A.