云母基浅色导电粉末的制备工艺

用化学共沉淀法制备一种在云母表面包覆一层掺杂P的SnO2 Sb2O3 超细浅色导电粉末,对制备工艺过程进行了研究。探讨了影响导电粉末性能的几个主要工艺参数,并通过正交实验对制备工艺条件作了进一步研究,得到优化工艺条件:包覆率为 100%,m(SnCl4·5H2O)∶m(SbCl3 ) =5∶1,加料时间为 3. 5—4. 0h,pH=2. 5—3. 5。检测结果表明粉末体积电阻率小于 40Ω·cm,细度为微米级,颜色浅灰白。

ATO-TiO_(2)浅色导电粉体的可控制备及性能研究

浅色导电材料因其较低的电阻率,优异的装饰特质迅速发展,运用在传感、电子信息、机械制造、通讯、电磁屏蔽等诸多领域。锑掺杂二氧化锡和二氧化钛(ATO-TiO_(2))纳米复合材料不仅具有半导体性质,并且颜色浅、可染性好,同时具有优异的化学稳定性和热稳定性。然而其制备过程中容易团聚,导致导电性能较差。因此,制备过程中均匀分散,同时兼具优异的导电性能是目前研究需要迫切解决的科学问题。采用共沉淀的方法,制备了ATO-TiO_(2)浅色导电材料,分析了包覆复合过程中不同改性剂、Sb_(x)Sn_(1-x)O_(2)∶TiO_(2)复合比和干燥方式对ATO-TiO_(2)浅色导电材料的物相组成、微观形貌、电学性能等微观结构形貌及宏观理化性能的影响,实现了可控制备并得到了最佳制备的工艺路线。