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间歇浸没式生物反应器在大规模组织培养中的应用研究 被引量:16
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作者 赵望锋 王力华 《安徽农业科学》 CAS 北大核心 2007年第2期317-320,323,共5页
介绍了组织培养中4种间歇浸没式生物反应器,即叶轮驱动和蠕动泵驱动的间歇浸没式反应器及2种气体驱动的间歇浸没式生物反应器及其研究进展;综述了农林业中实现商业化生产和正在研究的一些树种以及存在的问题。
关键词 间歇浸没 生物反应器 组织培养 浸没频率 污染
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利用间歇浸没式植物生物反应器培养金钗石斛种苗 被引量:2
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作者 张杰 胡燕花 +1 位作者 张本厚 陈集双 《中国农业科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期181-187,共7页
以金钗石斛(Dendrobium nobide Lindl.)原球茎为材料,利用间歇浸没式植物生物反应器进行金钗石斛组培快繁的研究。通过优化浸没频率、接种量和培养基蔗糖浓度,获得最佳的培养条件为:浸没频率5 min/8 h、接种量10 g·L^-1、蔗糖浓度2... 以金钗石斛(Dendrobium nobide Lindl.)原球茎为材料,利用间歇浸没式植物生物反应器进行金钗石斛组培快繁的研究。通过优化浸没频率、接种量和培养基蔗糖浓度,获得最佳的培养条件为:浸没频率5 min/8 h、接种量10 g·L^-1、蔗糖浓度20 g·L^-1,并与传统的固体培养比较,反应器培养在组培苗的生长形态、增殖倍数和有效成分上都明显优于固体培养。利用间歇浸没式植物生物反应器进行金钗石斛种苗培养,为金钗石斛种苗的高效率、低成本的生产提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 金钗石斛 植物组织培养 植物生物反应器 浸没频率
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美国红栌液体快繁体系的建立 被引量:6
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作者 石琨 郑彩霞 《植物生理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期553-558,共6页
以美国红栌无菌苗为材料,建立基于植物微扩繁器的液体快繁体系。结果表明,以0.8 mg·L-1 6-BA、0.4 mg·L-1 NAA和20 g·L-1蔗糖的MS为液体培养基,芽增殖培养的浸没频率为12次·d-1,浸没时间为5 min·次-1,增殖倍数... 以美国红栌无菌苗为材料,建立基于植物微扩繁器的液体快繁体系。结果表明,以0.8 mg·L-1 6-BA、0.4 mg·L-1 NAA和20 g·L-1蔗糖的MS为液体培养基,芽增殖培养的浸没频率为12次·d-1,浸没时间为5 min·次-1,增殖倍数达6.0;以1.0 mg·L-1IBA和20 g·L-1蔗糖的1/2MS为液体培养基,生根培养的浸没频率为6次·d-1,浸没时间为5 min·次-1,生根率可达90%以上。在液体培养体系中,小植株生长迅速,健壮,繁殖周期比固体培养的缩短2周。 展开更多
关键词 美国红栌 液体培养体系 浸没频率 蔗糖浓度
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Uncooled InAs_(0.09)Sb_(0.91) photoconductors with cutoff wavelength extended to 11.5 μm
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作者 高玉竹 龚秀英 +4 位作者 周冉 李继军 冯彦斌 Takamitsu Makino Hirofumi Kan 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第5期352-355,共4页
Uncooled In As Sb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on In As0.05Sb0.95 and In As0.09Sb0.91 thick epilayers grown on In As substrates by melt epitaxy(ME). Ge immersion lenses were set on t... Uncooled In As Sb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on In As0.05Sb0.95 and In As0.09Sb0.91 thick epilayers grown on In As substrates by melt epitaxy(ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of In As0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 μm, and that of In As0.05Sb0.95 detectors is 8.3 μm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp* at wavelength of 6.8 μm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm·Hz1/2·W-1 for In As0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D* at wavelength of 9 μm is 7.56×108 cm·Hz1/2·W-1, and that at 11 μm is 3.92×108 cm·Hz1/2·W-1. The detectivity of In As0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 μm is about one order of magnitude higher than that of In As0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic(As) composition in In As0.09Sb0.91 materials. 展开更多
关键词 cutoff Sb Uncooled InAs thick magnitude immersion arsenic longer epitaxy spectrometer
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