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题名V频段宽带高效率功率合成放大器设计
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作者
胡顺勇
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机构
中国西南电子技术研究所
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出处
《电讯技术》
北大核心
2024年第7期1156-1162,共7页
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文摘
介绍了一种基于混合波导魔T的V频段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻,设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器,实测在50~75 GHz频率范围内,平均电路损耗0.2 dB,输入回波小于-20 dB,隔离和输出回波小于-14 dB。基于该电路结构,采用V频段宽带GaN功放芯片,研制了一种3.5 W功率模块,以该功率模块为基本单元,并采用16路高效率功率分配/合成网络,研制出一款V频段宽带高效率功率合成放大器。实测在50~75 GHz的V频段全频段范围内,连续波饱和输出功率大于47 dBm,小信号增益大于46 dB,合成效率全频带内大于82%,在全频段实现了高效率合成和大功率输出。该电路结构紧凑,工作频带宽,合成效率高且便于散热,具有很好的工程应用价值。
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关键词
功率合成放大器
V频段
混合魔t结构
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Keywords
power-combining amplifier
V-band
hybrid magic t structure
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分类号
TN819.1
[电子电信—信息与通信工程]
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