纳米晶NiTi形状记忆合金/Nb纳米线复合材料超弹应力的温度依赖性

NiTi形状记忆合金因其超弹性已经得到广泛应用,然而传统NiTi合金马氏体相变的超弹应力随温度的降低而快速减小(6~7 MPa/K),显著制约了其在宽温域中的应用。本文通过熔炼、锻造及拔丝获得纳米晶NiTi/Nb丝材,然后采用透射电子显微镜、差示扫描量热仪及拉伸试验机分别研究丝材的显微组织、相变行为及超弹性能。结果表明:纳米晶NiTi/Nb丝材中NiTi合金的平均晶粒尺寸为14 nm,丝材在降温和升温过程中分别发生热诱发B2→R相变和R→B2相变。在328~376 K温度范围内,纳米晶NiTi/Nb丝材应力诱发B2→B19′相变超弹应力的平均值为1002 MPa,超弹应力的温度依赖性为4.1 MPa/K。

残余拉应力的温度依赖性及其对裂纹扩展行为的影响

为研究以高膨胀系数的陶瓷为涂层,低膨胀系数的陶瓷为基体的预应力陶瓷的高温力学性能,本工作以氧化锆为涂层,氧化铝为基体,制得表层为拉应力的“三明治”结构ZrO_(2)-Al_(2)O_(3)(简称ZcAs)预应力陶瓷。同时选用基体与涂层截面比值相近的Al_(2)O_(3)-ZrO_(2)(简称AcZs)预应力陶瓷、纯ZrO_(2)和纯Al_(2)O_(3)陶瓷为参照样。结合不同温度下的弯曲强度测试结果及维氏压痕结果,阐明预应力的存在形式及其对裂纹扩展行为的影响,并研究预应力的温度依赖性。结果表明:ZcAs预应力陶瓷的表层受拉应力,基体受压应力;而AcZs预应力陶瓷的表层受压应力,基体受拉应力。由于拉应力能够促进裂纹扩展,而压应力能够抑制裂纹扩展,因此室温下,ZcAs的强度比纯Al_(2)O_(3)陶瓷降低13.2%,而AcZs的强度比纯ZrO_(2)陶瓷提高25.0%。此外,无论表层是拉应力还是压应力,都随着温度升高而降低,这主要归因于高温导致的预应力松弛。

爬行动物温度依赖性性别决定研究进展

综述了近年来爬行类温度依赖性性别决定的最新进展。回顾了爬行类TSD的特点 ,并从性激素方面和分子水平上探讨了TSD的可能机制。

蔗渣浆低浓黑液多聚物粘度对温度依赖性的关联模型

利用聚合物自由体积理论模拟了蔗渣浆低浓黑液对粘度对温度的依赖性的数学模型，最终得出黑液多聚物粘度与温度的相关式：η=A1exp[B1/(T-T0)]。利用示差扫描量热分析技术（DSC）得出了蔗渣黑液多聚物中连续相与分散相的转变曲线，并获得了表观温度T0的平均值为255K；通过实验数据拟合可回归出蔗渣黑液多聚物在不同浓度时的系数A1和B1值。因此，使用该粘度的数学模型可估算蔗渣低浓（接近40％固含量）黑液多聚物在操作温度范围内（20－100℃）的粘度值。

聚羧酸减水剂的温度依赖性

在三个温度(5℃、20℃、30℃)条件下,采用净浆流动度和总有机碳分析仪测量有机碳的方法评价了两种具有不同接枝方式的聚羧酸减水剂(P-酯减水剂和P-醚减水剂)在水泥体系中的分散性能和吸附性能,并系统讨论了吸附量与分散性能之间的关系。试验结果表明:P-酯减水剂的初始分散性能受温度的影响较大,P-醚减水剂的持续分散能力与温度有较大的依赖性;P-醚减水剂的吸附总量小于P-酯减水剂,但具有更好的吸附稳定性;在吸附量对分散能力的贡献率方面,P-醚减水剂具有更大的优势。

杨树溃疡病菌温度依赖性的研究

通过对菌落最大生长速率、直径加倍时间的测定和所得结果的聚类分析 ,将供试菌株分为 4个温度依赖型 ,并分析了杨树溃疡病菌 ( Botryosphaeria dothidea)的极限温度和对连续高温的忍受能力及扩散趋势。

PMMA银纹的温度依赖性实验研究

为了探讨聚合物银纹损伤的温度依赖性,也为了进一步研究聚合物银纹的本质,以区别细观银纹与宏观裂纹,对受损PMMA试件(卸载后)在不同温度条件下银纹损伤随时间的变化进行了实验研究,结果表明PMMA试件的银纹随时间减少,而且随着温度的升高,可以加剧这种银纹随时间的变化;经数据处理,得到了不同温度条件下,PMMA试件银纹损伤面密度值;进而,对所得数据进行非线性拟合,得到PMMA试件银纹损伤密度随时间演化规律,以及温度依赖性.

聚N,N-二乙基丙烯酰胺溶液粘度的温度依赖性

通过自由基聚合,合成了线型聚N,N-二乙基丙烯酰胺(PDEA),用乌氏粘度计测定并考察了该聚合物在四氢呋喃(THF)、H2O以及THF-H2O混合溶剂中粘度的温度依赖性.实验结果表明,PDEA在上述三种溶剂中粘度的温度依赖性不同,PDEA-THF体系的相对粘度随温度升高而增大;PDEA-H2O体系以及PDEA-THF-H2O体系的相对粘度随温度升高而减小,且THF体积分数φTHF<0.7时具有透明-白浊转变现象;对PDEA-THF-H2O体系,φTHF增加,透明-白浊转变温度升高,而当φTHF=0.7时,则观察不到透明-白浊转变现象.

辐射剂量对光纤辐射致衰减及温度依赖性的影响

研究了辐射剂量对光纤辐射致衰减及其对辐射致衰减温度依赖性的影响.对锗磷光纤进行不同辐射剂量的辐照,搭建了光纤辐射致衰减实验装置用以分析辐射剂量对光纤辐射致衰减的影响.用辐照并充分退火后的光纤搭建光纤辐射致衰减温度依赖性实验装置进行测试,对锗磷掺杂光纤的辐射致衰减与辐射剂量间进行了模型分析.分析发现：锗磷掺杂光纤在1 310 nm的辐射致衰减主要取决于P1心,但吸收峰位于紫外可见波段的POHC色心等也会对光纤在1 310 nm波段的光纤辐射致衰减产生影响,尤其是在高辐照剂量的情况下.实验结果表明,随着辐照剂量的增加,光纤的辐射致衰减显著增加.经过不同辐射剂量辐照并充分退火的锗磷光纤,在-40℃-60℃温度范围内光纤辐射致衰减具有单调稳定的温度依赖性.且光纤辐射致衰减的温度灵敏度随着辐照剂量的增加而增加.该研究不仅可以使光纤在复杂辐射环境中更好地使用,而且还可以利用光纤辐射致衰减稳定的温度依赖性研制温度传感器.

PAN基碳纤维长周期结构的温度依赖性

采用SAXS和HRTEM方法从倒易空间和实空间分别研究了PAN纤维碳化及石墨化过程中长周期结构及其变化。通过HRTEM测试发现碳纤维中存在由石墨微晶的有序堆砌结构,无序堆砌结构及过渡区形成的层状长周期结构,同时碳纤维的SAXS赤道方向散射曲线中出现肩峰,说明这种长周期结构沿纤维径向堆砌。通过SAXS研究发现,在PAN纤维碳化过程中长周期结构从700℃时开始出现且其尺寸随热处理温度的变化呈先增大后减小的趋势,转折温度区域约为1350℃左右。通过一维相关函数分析,计算了长周期结构中石墨微晶有序堆砌结构尺寸(Lo)、无序堆砌结构尺寸(Ld)、过渡区尺寸(Ltr)随热处理温度的变化:1350℃之前,Lo、Ld趋于增大,而Ltr趋于减小;1350℃之后3个参数均呈减小的趋势。

量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性

基于Huybrechts-Lee-Low-Pines变分法,研究量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性。结果表明:磁极化子基态能量的绝对值随温度参数的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大,随磁场的回旋频率的增加而减小,随量子棒受限强度的增加而减小;磁极化子的基态能量随量子棒纵横比的变化规律呈'√'型曲线,并受到温度的显著影响。

Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性

通过对磁感生应变和磁增强相变应变的测量,研究了Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性和磁控形状记忆效应.结果表明,随着温度的降低;Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶的饱和磁感生应变量先是迅速减小,然后缓慢减小;磁场的方向不同,随着温度降低饱和磁感生应变量减小的速度也不同。根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。

量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性

采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响. 推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式. 对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同.

NiMnGa和NiMnFeGa单晶磁感生应变的温度依赖性及孪晶界移动的能量损耗

在提拉法生长出Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶样品的基础上,测量了其相变应变和磁感生应变。与Ni52Mn24.5Ga23.5单晶样品的实验结果对比分析可知,两种材料都具有较大的自发相变应变量和磁感生应变量,但Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶的磁感生应变具有较好的温度稳定性。依据实验结果和利用热动力学原理,分别计算了两种单晶样品磁感生应变升降磁场一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗,给出了能量损耗随温度变化的关系,结果表明磁感生应变量可定性反映一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗。

液晶分子预倾角的温度依赖性的研究

液晶分子的预倾角是液晶显示器件的重要参数,本文探讨了温度对平行排列的液晶分子的预倾角的影响,指出了温度的升高,导致液晶分子的预倾角降低,并用分子空间相互作用模型进行了理论分析.

一种聚合物ERF的温度依赖性

研究了温度对ＥＲＦ表观粘度和对通过其电流大小的影响．温度对ＥＲＦ表观粘度的影响，在无电场和给定电场下是完全相反的，零电场下其粘温关系符合Ａｎｄｒａｄｅ方程，温度升高，其表观粘度变小；在给定电场下，其表观粘度随温度上升而增加．通过ＥＲＦ中的电流随温度升高而加大．

SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理

研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。

量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。

极化子自陷能的温度依赖性

本文讨论了界面磁极化子自陷能的温度依赖性