栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究

设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2款器件发生SEB前后内部载流子浓度、电流密度等电学参数分布特性,深入研究了Ga_(2)O_(3)MOSFET器件发生SEB的机理及引入栅场板结构后SEB阈值电压增大的原因。在此基础上,对器件的结构进行优化,获得了抗SEB性能较好的结构参数。研究结果表明:2款Ga_(2)O_(3)MOSFET器件发生SEB的机理都是由于其内部难以实现p型掺杂,主要是电子导电,当器件处于关断状态时,栅极下方会形成耗尽区,而重离子入射碰撞离化产生的电子在耗尽区的积累会对衬底层中电子通道的开启具有显著影响。当器件发生SEB时,源极的电子会通过V型的电子通道流向漏极,使得器件发生短路,产生大电流并烧毁;与平面型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件相比,引入栅场板结构的器件在沟道区域的峰值电场强度由2.9 MV·cm^(-1)降低至1.7 MV·cm^(-1),从而降低了重离子入射器件后,碰撞离化产生载流子的速率,另一方面,引入栅场板结构也扩大了耗尽区的范围,使得栅极的控制能力增强,将器件发生SEB的阈值电压从110 V提升至340 V;最后通过仿真优化SiO_(2)钝化层的厚度以及栅场板的长度,得到了抗SEB能力更强的器件结构参数,进一步将器件SEB阈值电压提升至380 V。

真空断路器合闸线圈烧毁原因浅析

1现场情况某年5月,我公司某60 kV变电站陈水源线电缆中间接头绝缘击穿造成相间短路,保护正确动作跳闸,但是在速断→重合闸→后加速保护动作的同时发生了接触器及合闸线圈、合闸回路导线烧毁事故。发生故障后,工区一方面快速组织人员对陈水源线电缆中间接头故障点进行紧急抢修;另一方面组织自动化、检修技术人员对烧毁的接触器、合闸线圈及部分导线进行更换,并分析故障发生原因。

某风电场偏航电机抱闸烧毁故障分析及治理

该文主要对某风电场偏航电机抱闸烧毁故障进行分析,并提出相应的解决方案。通过对故障原因的分析,发现设计、制造和使用问题都可能导致抱闸烧毁,进而影响风电场的正常运行和环境安全。为解决这一问题,文章提出技术改造、维护措施和操作培训3个方面的解决方案。

过流导致保险丝烧毁案例分析

针对超速保护模块电源单元保险丝烧毁问题,实测出不同上电方式的启动冲击电流波形。从电压、电流等方面对保险丝烧毁机理进行分析,本文提出了一种超速保护模块过流导致保险丝烧毁分析方法,从瞬态能量和稳态电流两方面考虑,对不同贴片保险丝机理分析,与实测的冲击电流波形进行对比分析。此方法指导了电路设计中保险丝选型,提高产品的容错能力。

断路器分合闸线圈烧毁的原因分析及改进方法研究

针对断路器分合闸操作过程中线圈烧毁现象,从断路器操作机构以及控制回路工作原理着手,分析得出分合闸线圈烧毁的根本原因为线圈长时间带电。对此提出了多种改进方法,经过比对确定非接触测量为最优方法。该方法可以在不拆卸操作机构器件、不更改控制回路的条件下完成对分合闸线圈运行情况的监测与评估,实现实时保护及提前预测。

印制电路板组装烧毁失效分析

印制电路板组装(PCBA)在生产、运输、使用过程中会受到各种应力。当PCBA受力过载时,就会导致开裂、短路、烧毁等失效问题发生。以PCBA烧毁失效为例,通过形貌观察、无损检测、电性能测试、切片分析等方法,明确其烧毁原因与失效机理,并提出改善建议。

带应急烧毁功能的高速存储模块设计与实现

针对当前人们对存储系统大容量、高速率、数据安全性的新要求,文章提出了一种带应急烧毁功能的高速大容量存储模块的设计方案。系统采用NAND型Flash实现大容量存储阵列,以PCI总线为通信接口,以FPGA为控制核心,通过对多片NAND Flash的逻辑控制实现数据的高速大容量存储。文章提出了NAND Flash芯片并行操作、流水线技术等关键技术,以确保存储系统能够满足高带宽、高速率读写需求;给出了应急数据自烧毁的电路设计,可从物理上烧毁存储核心关键数据的存储芯片,以保证系统数据的安全。测试结果表明,模块工作性能稳定,可以满足高速率和应急烧毁功能的要求。

一起10 kV电流互感器接线端子烧毁事故分析及防范措施

高压电流互感器将一次回路中的大电流变为小电流,供仪表和继电器等二次设备使用,同时使仪表和继电器等二次设备与一次侧主回路作电气隔离,保证设备和人身安全[1]。电流互感器二次侧绝对不允许开路,因一旦开路,一次侧电流全部成为磁化电流,造成铁心过度饱和及磁化,使误差增大,发热严重乃至线圈烧毁。此外,二次侧线圈开路会感应出很高的电压,损坏测量回路、保护回路的仪表和继电器元件,更会给操作人员带来生命危险。

一起10kV环网柜烧毁事故分析

随着许多10 kV配电网线路缆化入地,环网柜以接线方式灵活、占地面积小、安装方便等优点被大量采用,在运维过程中,各种问题也逐渐暴露。本文对一起中性带电等故障导致环网柜烧毁事故案例进行分析,明确故障原因,并对中性线带电原因及危害进行总结。

一起VS1型真空断路器烧毁故障分析

VS1型户内高压真空断路器是用于12 kV电力系统的户内开关设备,因其良好的性能,尤其适用于要求额定工作电流下频繁操作,或多次开断短路电流的场所。VS1型户内高压真空断路器操动机构与断路器本体为一体式,不仅能以专用推进机构来组成手车单元使用,也能以固定安装单元使用,而且固定式的断路器能够提高机械连锁的可靠性。

一起小动物引发的变电站35kV断路器烧毁事故分析及对策

通过一起由小动物引发的110 kV变电站35 kV断路器烧毁事故,对变电站故障现象、保护动作情况及事故处理过程进行记录,对事故发生原因进行总结分析,最后为避免出现同类故障提出了针对性防范措施。近年来,防小动物工作已成为变电站安全生产中的一项重要任务[1]。据事故调查统计发现,由于老鼠、野猫等小动物触碰断路器等一次带电设备而引发的电气设备跳闸、故障的事件频繁发生[2-3]。

进口丙烷泵向心推力轴承烧毁原因分析

通过对4WWB-119(F)型分段式多级离心转子轴向力和平衡鼓的平衡力的实际验算,以及对原7310BECB向心推力球轴承的校验,找出向心推力球轴承烧毁的原因,提出减小平衡鼓直径从而减小过剩平衡力的方案,以解决向心推力球轴承过载烧毁的问题,并叙述改进后的实际使用效果。

TY220型推土机起动机烧毁原因分析

3台TY220型推土机在工作过程中先后出现起动机烧毁故障，其中1台推土机不仅烧毁了起动机，还将起动机上的负极搭铁线也烧断了。3台推土机的发动机都为重庆康明斯NT855-C280型涡轮增压柴油机。

内燃叉车预热继电器烧毁原因分析

1台CPCD70型内燃叉车在试制过程中,调试人员将发动机低温预热系统的启动开关闭合以后,预热指示灯未点亮,预热系统也没有正常工作。经仔细检查,发现发动机低温预热系统中预热继电器已经烧毁。更换新的预热继电器后,仍同样出现继电器烧毁故障。初步分析认为,该故障的原因是流经预热继电器的电流大于其额定电流。

二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。

4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应

对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。

用^(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法

建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统和实验方法是可行、可靠的。

不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁的二维数值模拟

利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应,详细地给出了器件正常工作、失效直至烧毁的全过程。

废弃含能材料的露天烧毁

为排除安全隐患,废弃含能材料应被及时销毁。本文先明确了适合露天烧毁的含能材料,然后结合工作经验介绍了各类含能材料的烧毁方法,阐述了烧毁现场作业过程中应该把握的准备、铺药、点火和现场清理环节,以防止事故发生。

重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

用束径0 4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.