硬质合金烧结方法的新进展

介绍硬质合金的烧结方法 ,特别是最新发展的纳米硬质合金的烧结方法 ,并对这些烧结方法的原理及优缺点进行了比较 ,最后对未来的发展提出了建议。

纳米陶瓷的特性和烧结方法研究进展

本文综述了纳米陶瓷在超塑性、铁电性能、力学性能和增韧等方面的特殊性能,介绍了纳米陶瓷的两步法烧结、放电等离子烧结、超高压烧结和微波烧结等成功的烧结方法并阐述了这些特殊烧结方法的烧结机理。此外,对纳米复相陶瓷的特性也进行了介绍。

陶瓷材料的烧结方法

陶瓷材料的烧结方法是决定其最终性能的关键技术 ,本文系统的介绍、分析了目前陶瓷材料所采用的各种烧结方法的机理、工艺、影响因素、特点及其使用范围 。

采用快速升温烧结方法生长Tl-1223超导薄膜的研究

报道了在铝酸镧(00l)衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊(Tl)源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度T_(c onset)达到116K,临界电流密度达到1.5MA/cm^2(77 K,0 T).实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备Tl系超导薄膜具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低等特点.

硬质合金烧结方法的研究进展

介绍了几种传统硬质合金与新型硬质合金的烧结方法,并对这些烧结方法的原理及优缺点进行了比较,最后对未来硬质合金的发展提出了建议。

烧结方法对LiTaO_3/Al_2O_3复相陶瓷微观组织及力学性能的影响

为了研究铁电 /压电陶瓷颗粒对结构陶瓷力学行为的影响规律及机理 ,分别采用真空热压烧结法和冷等静压成型无压烧结法制备了稳定共存的LiTaO3/Al2 O3(LTA)复相陶瓷 ,对比研究了其微观组织与力学性能 .结果表明 ,15 0 0℃真空热压烧结制备的LTA复相陶瓷中 ,LiTaO3 相熔化 ,冷却时分布在Al2 O3 基体晶界 ,基体晶粒粗化 ,力学性能较低 ;2 0 0MPa冷等静压成型 ,130 0℃无压烧结制备的LTA复相陶瓷中 ,LiTaO3 颗粒弥散分布 ,基体晶粒细小 ,φ(LiTaO3)为 5 %的LTA复相陶瓷的力学性能显著改善 ,强韧化机理为细晶与压电效应和

细晶钛酸钡陶瓷的烧结方法

本文用两步法、两段法、高压成型常压烧结、高压烧结和掺杂烧结等特殊方法烧结得到了细晶钛酸钡陶瓷,它们的烧结温度低于常规烧结的温度。用扫描电子显微镜观测了陶瓷的显微结构。结果表明:用这些特殊方法烧结得到的陶瓷的晶粒尺寸远小于常规法烧结得到的钛酸钡陶瓷的尺寸。此外,对它们的烧结机理进行了简单的解释。

纳米陶瓷成型、烧结方法研究进展

本文简述了纳米陶瓷的各种成型和烧结方法，并例举了若干研究实例。

高密度ITO靶材烧结方法及发展趋势

简要介绍了铟(In)的用途及国内铟产业的现状,对ITO薄膜的特性、应用领域及高密度ITO靶材溅射镀膜的优点进行了描述。重点对高密度ITO靶材的烧结工艺和成形方法的优缺点及发展现状进行了阐述。探讨了高密度ITO靶材生产技术的发展趋势。

锂镧锆氧固体电解质烧结方法的研究进展

长期以来,安全问题一直是制约锂电池发展应用的瓶颈。用固态电解质代替液体电解液是突破此瓶颈的最有效方法之一。固态电解质Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)离子电导率高、电子电导率低、电化学稳定窗口宽,而且与Li负极接触电化学稳定性好,应用潜力大,故Li7La3Zr2O12的烧结制备方法一直是电池领域的研究热点。阐述了Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)的烧结方法,包括固相烧结法、微波烧结法、助烧剂辅助烧结法、场助烧结法、高温快速烧结法,总结了它们各自的特点。为优化现有烧结方法工艺以及寻求更好烧结方法提供参考,对烧结方法的发展方向进行了展望。

低温活化烧结方法制备细晶非磁性W-Cu合金

中国发明专利申请公开说明书CN101,117,672中公开了武汉工业大学研发的一种细晶非磁性W-Cu合金的低温活化烧结技术。具体工艺步骤是：将W-Cu合金粉末模压成型后进行冷等静压处理,使压坯密度达到相对密度的50%-70%;

具有良好冲击韧性钨基重合金的重复烧结方法

美国 Poongsan 公司发明了一种既能提高钨基合金冲击韧性又能保持其拉伸强度和延伸率的新的热处理方法。这种方法包括:1.该合金中的钨含量在86%～99wt%之间不等,余量为镍、铁、铜、钴和钼系中的任何一种(至少一种)。

烧结方法和烧结温度对MgAlB14热电性能的影响

日本东京都市大学佐佐木光采用放电等离子烧结和保护气氛烧结，制成MgAlB14基热电材料。测试结果表明，两种烧结方法制得的热电材料在800＊（2以下电导率均呈正值温度依从性，即半导体特性，尤其是1500℃放电等离子烧结的试样，

一种平面循环多层烧结方法及其装置

本发明涉及一种平面循环多层烧结方法及其装置，包括布料、点火、烧结、冷却及卸料等步骤，首先由采用外部燃料对第一层循环回路的烧结箱的原料表面顺序点火；当第一层环回路布满烧结箱，且最早进入生产线的绕结箱回到其进入生产线的位置时，提升该烧结箱，为新进入生产线的烧结箱留出空间；当烧结箱与烧结箱重叠时，通过生产线底部的下引风作用，使上部的烧结箱内的燃烧原料逐渐将下部的烧结箱内的未燃原料点燃；以此循环，在第二层烧结箱布满以后，再进入第三、四……层等，直到达到所需的烧结时间并冷却。这样通过上方烧结箱的燃烧原料对下方烧结箱未燃原料的互接点火，达到节约燃料、节约场地等目的。

烧结方法和烧结料层组合物

一种聚结井烧结铁矿和锌矿及矿石精矿、钢厂含铁废料和锌厂废料的方法。该方法包括以下步骤1．把工广废料或矿石与燃烧燃料源和烧结料聚结剂混合以形成含有聚结的颗粒的聚结可烧结混合物，所述烧结料聚结剂选自硅酸钠、水溶性聚合物和油的水乳液；

烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响

采用真空烧结、N2保护无压烧结、放电等离子烧结等方法对AlN粉末进行烧结,研究烧结方法对粉体烧结行为以及产物物相组成、微观形貌及热导率的影响。结果表明:真空烧结会显著降低AlN材料的脱氮分解温度,无法实现其致密化;而通过N2保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密、热导率较高的AlN陶瓷,其中后者的烧结温度更低、制得陶瓷样品的致密度和热导率更高,在1650℃保温10min即可烧结得到热导率为121.5W·m-1·K-1的AlN陶瓷。

采用快速升温烧结方法生长Tl-2223超导薄膜的研究

本文采用磁控溅射和快速升温烧结方法在(00l)取向的铝酸镧(LAO)基片上制备Tl-2223超导薄膜,研究了Tl含量不同的陪烧靶对Tl-2223薄膜晶体结构的影响。XRD测试表明,陪烧靶中Tl含量是制备高质量Tl系薄膜的关键环节,采用合适配比的陪烧靶可制备出纯c轴取向Tl-2223超导薄膜。SEM测试结果表明,采用该工艺制备的薄膜为层状生长结构,其表面形貌平整、致密。经过在氧环境下热处理后的Tl-2223薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度Tc达到118K,临界电流密度Jc为1.2MA/cm2(77K,0T)。

液相烧结SiC陶瓷的研究进展

综述了液相烧结SiC陶瓷的烧结添加剂体系、烧结工艺、烧结机理,并简要介绍了几种新的烧结方法。介绍了液相烧结SiC的微观结构和性能,讨论了SiC-YAG及SiC-Al-B-C烧结体系的特点和烧结体性能,简述了利用SPS、微波烧结等新方法制备液相烧结SiC陶瓷的机理及研究进展。