基于膦氧化物钝化的热蒸发像素化钙钛矿发光二极管

热蒸发法是实现钙钛矿发光二极管商业化显示应用的可靠技术。然而,热蒸发沉积的钙钛矿薄膜的PLQY经常较低,并且钝化手段不如溶液法丰富。本文报道了一种通过原位共蒸技术将钝化剂引入钙钛矿层的方法,这种方法能够钝化真空沉积钙钛矿中的缺陷,增强辐射复合,并提高钙钛矿的PLQY。氧膦基团与不饱和位点形成配位络合,钝化了钙钛矿的晶界缺陷,并抑制了带尾态缺陷。基于最佳比例的钙钛矿薄膜所制备的LED器件表现出最大6.3%的EQE,最大亮度为35642 cd/m^(2)。更进一步地,基于全真空的器件制备工艺,获得了最大EQE为5.0%的312 ppi高分辨率PeLEDs。总之,本文为热蒸发PeLEDs的缺陷钝化提供了有用的指导,证明热蒸发PeLEDs在效率和亮度提升方面具有巨大潜力,并具备商业化前景。

热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进展

硫化锌作为Ⅱ—Ⅵ族直接跃迁的宽带隙半导体发光材料,具有较大的禁带宽度、丰富的发光色彩和优异的红外透过性,广泛应用于光电器件、太阳能电池、红外窗和光催化降解,在光电传感、核辐射探测和医疗影像等领域有广阔的应用前景。热蒸发沉积法是一种重要的制备纳米材料的方法,其灵活多样的实验条件为制备优良性能的纳米硫化锌提供了可能。对热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进行梳理和总结,主要介绍热蒸发沉积法的反应和生长机制,阐述了原料、衬底和催化剂种类,以及载气类型和流速等重要实验条件对硫化锌纳米材料结构和光学性能的影响。最后,对当前热蒸发法制备硫化锌纳米材料存在的问题及其发展方向进行展望,以期为硫化锌材料制备和研究提供参考。

热蒸发烃气相色谱不可识别烷烃在东营凹陷油气层含水性判别中的应用探索

热蒸发烃气相色谱分析技术在以往的应用中主要基于正构烷烃的峰型、碳数范围、主峰碳等参数来判定储层特性,而对于与之伴生的异构烷烃等不可识别烷烃的碳数分布特点鲜有研究。以东营凹陷油气层为例,通过试验观察发现,不可识别烷烃数值的大小与油气层的含水性具有一定的相关性。为此,开展了不可识别烷烃与油气层含水性的相关性研究。首先对热蒸发烃气相色谱分析中产生的不可识别烷烃采取分区定名并读取其峰面积,然后进行各个分区峰面积叠加,计算不可识别烷烃总峰面积,最后利用不可识别烷烃总峰面积分别与热蒸发烃定量总峰面积、正构烷烃总峰面积的比值两个参数来辅助进行储层油气水层综合解释评价。现场应用表明,该方法可有效提高储层解释精度。

采空区气体流场多尺度数值模拟及热蒸发效应分析

采空区漏风是诱发采空区遗煤自然发火的主要原因之一,然而在不同研究尺度下,采空区气体流动服从不同的规律。利用多尺度关联型分析方法分别从宏观尺度和介观尺度研究了采空区内自由流动域和多孔介质域内稳态流场的速度和压力分布情况;构建了热-流-湿多场耦合模型,并在此基础上使用多物理场模拟软件模拟了煤中水分受气体流动和热蒸发效应影响下的变化情况。结果表明:煤中水分含量会在热蒸发效应下逐渐降低,与热重分析实验得到的结果相吻合;背风侧受流场影响水蒸气的浓度较高;另外受到蒸发吸热的影响,煤体温度场不断发生变化,靠近背风侧煤体内部温度下降较慢。

土壤热蒸发气气相色谱分析实验及地球化学特征──热蒸发制备仪简介

文章简要介绍了自行研制的热蒸发气制备仪，实验选择了土壤样品制备与气相色谱分析条件，探讨了不同制备条件对组分的影响及特征，并与酸解烃进行对比；探讨了土壤热蒸发烃、氢油气地球化学特征。该方法有快速、廉价、有效、无污染等特点，是地表地球化学勘探的一种新方法。

热蒸发锌粉法制备半导体氧化锌纳米线的研究

采用热蒸发锌 (Zn)粉的方法 ,制备出高产量的由半导体氧化锌纳米线组成的蒲公英花状和四角锥状纳米结构。利用SEM、TEM和X射线衍射对产物的形貌及结构进行了分析。结果表明 ,所生成的是具有六方结构的单晶ZnO纳米线。纳米线长约 5 1 0 μm ,根部直径较粗 ,约 1 1 0 1 2 0nm ;梢部较细 ,约 2 5 30nm ,其生长机制为气 -固 (VS)机制。

用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜

本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜 ,薄膜具有 (0 0 2 )取向 ,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在 15 0nm左右 ,现有的薄膜在 5 2

Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备

采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。

微柱状CsI闪烁薄膜热蒸发生长工艺

采用真空热蒸发法在石英玻璃基片上制备了具有特殊微柱状结构的碘化铯闪烁薄膜。运用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对碘化铯薄膜的形貌、结构及发光性能等进行了表征与分析。结果表明:在基片温度为260℃、沉积速率为3 nm.s-1时,所生长的碘化铯薄膜具有理想的微柱形貌、沿(110)晶面的择优取向和良好的透射性能;紫外光激发下,发射主峰为438 nm,X射线激发下,发射主峰为315nm,说明短波段发射峰需要的激发能量较高,而长波段发射峰对紫外光激发更为敏感。

热蒸发法制备Mg和Mg-Ni薄膜及其氢化性能

采用热蒸发法制备了纯Mg膜及Mg_(78)Ni_(22)合金膜,研究了薄膜的结构及其氢化性能。Mg膜具有典型的柱状晶结构,择优取向生长趋势明显;Mg_(78)Ni_(22)薄膜由纳米晶Mg_2Ni,Mg及少量非晶组成,Mg_2Ni相沿着平行于薄膜表面的(001)方向择优生长。纯Mg膜的吸放氢温度分别为593和653 K,其吸氢过程遵循形核长大机制。Mg_(78)Ni_(22)薄膜的压力一组成等温曲线存在低压和高压两个平台区,分别对应Mg和Mg_2Ni的氢化反应,薄膜内Mg的吸放氢温度可分别降至473和503 K,薄膜的最大吸氢量(质量分数)达到5.7％。Mg的氢化性能改善与薄膜中纳米晶Mg_2Ni和非晶相起到的催化作用有关。

热蒸发法制备SnS薄膜及其表征

用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.

涂钼石墨管石墨炉原子吸收法测定镓、铟和铊热蒸发行为的探讨

本文从热力学和化学动力学的角度对消除干扰及提高吸收灵敏度的机理进行了探讨。认为在涂钼石墨管中,镓、铟和铊主要以Ga_2O、Tl_2O和InOx形式与MoO_3形成稳定的烧结物,使初始挥发温度大大提高,减少了干燥、灰化前处理过程被测物的分子挥发逸失。由于钼元素参与镓、铟和铊的原子化反应,从而改变了原子化机理,提高了原子化效率。

用热蒸发法制备CdS纳米带

在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。

热蒸发制备自支撑Al平面薄膜靶的参数测量

以热蒸发工艺制备微结构可控的自支撑 Ａｌ平面薄膜靶。该靶用于惯性约束聚变（ Ｉ Ｃ Ｆ）精密化分解实验，研究驱动激光光束不均匀性对瑞利泰勒流体力学不稳定性的影响。以卢瑟福背散射（ Ｒ Ｂ Ｓ）、俄歇电子能谱（ Ａ Ｅ Ｓ）、扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ ）和αｓｔｅｐ ５００ 台阶仪测量 Ａｌ 薄膜靶的靶参数。 Ａｌ膜厚度为微米量级，表面稳定的氧化层厚度约为 ７ ｎｍ ，膜密度为２３１２ ｇ·ｃｍ － ３，颗粒度０１ μｍ ，表面粗糙度平均值为５３ ｎｍ 。测试结果表明：热蒸发工艺制备出的自支撑 Ａｌ平面薄膜靶的厚度、表面平整度及均匀性基本符合 Ｉ Ｃ Ｆ 分解实验所提出的技术要求。

热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制。

热蒸发与离子束溅射制备LaF_3薄膜的光学特性

研究了钼舟热蒸发工艺和离子束溅射方法制备的单层LaF3薄膜的特性。首先,采用分光光度计测量了LaF3薄膜的透射率和反射率光谱,使用不同模型拟合得出薄膜的折射率和消光系数。然后,采用应力仪测量了加热和降温过程中LaF3薄膜的应力-温度曲线。最后,采用X射线衍射仪测试了薄膜的晶体结构。实验结果表明,热蒸发制备的LaF3(RH LaF3)存在折射率的不均匀性,在193 nm,其折射率和消光系数分别为1.687和5×10-4,而离子束溅射制备的LaF3(IBS LaF3)折射率和消光系数分别为1.714和9×10-4。两种薄膜表现出相反的应力状态,RH LaF3薄膜具有张应力,而IBS LaF3具有压应力,退火之后其压应力减小。热蒸发制备的MgF2/LaF3减反膜在193 nm透过率为99.4%,反射率为0.04%,离子束溅射制备的AlF3/LaF3减反膜透过率为99.2%,反射率为0.1%。

导流型热蒸发沉积制备微球表面聚酰胺酸涂层

在自行研制的导流型热蒸发沉积装置上开展了微球表面聚酰胺酸(PAA)涂层制备工艺研究。探讨了单体原料处理和改变升温过程对沉积速率的影响。两种单体分别采用两个相互独立的蒸发源加热蒸发,使用两个晶振膜厚测量探头,通过对膜厚探头、样品盘和导流管端头三者的空间位置和对称关系的调整和实验标定,实现了两种单体近似等化学计量比的沉积。采用间歇性压电振动或敲击配合样品盘的旋转作为微球运动的激励方式,在聚-α-甲基苯乙烯(PAMS)微球上制备出均匀的表面质量好的PAA涂层。

热蒸发法制备硫化镉(CdS)多晶薄膜及性能研究

采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大,有利于晶粒的生长。最终发现,150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构和较优的光学性能,能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求。

真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究

用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。

酞菁铜薄膜的真空热蒸发制备及其性能

用真空热蒸发法在玻璃基板上制得酞菁铜 (CuPc)薄膜。用原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及红外光谱仪等分析了酞菁铜薄膜的结构特征 ,并对薄膜的沉积机理进行了探讨。通过与L B(Langmuir Blodgett)法的比较 ,发现用真空热蒸发法制备的酞菁铜薄膜结构。