电吸收调制器和DFB激光器集成器件的测量

提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法 .根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型 ,对测量的反射系数进行拟合 ,得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值 .通过分析发现测试封装寄生参数对电吸收调制器的测试结果有很大影响 .去除了封装寄生参数的影响后 。

超高速行波电吸收调制器的k值设计方法

介绍了一种用于超高速行波电吸收调制器 (TW EAM)设计的“k值带宽法” 该方法考虑了影响调制器带宽的阻抗失配、相速度失配、微波衰减等因素 ,说明一个优化设计的TW EAM其带宽可达到 14

毫米波行波电吸收调制器电极的设计与分析

从电极设计的角度对行波电吸收调制器 (TW EAM)的带宽进行分析 ,用一个共面波导的TW EAM的测量数据进行设计计算演示 ,介绍了本设计方法的计算过程 .计算演示结果与实验测量结果相吻合 .文章还分析了中间电极宽度和电极间距对带宽的影响 .并简单说明用它计算设计的一个GaAs/GaAlAs多量子阱 (MQWS)TW

用电吸收调制器实现标记擦除的新方法

提出一种结构简单、易于实现的正交光标记擦除的新方法.利用频移键控调制产生80Gbit/s载荷,采用强度调制产生2.5Gbit/s标记,然后利用电吸收调制器在分组交换网络核心节点处擦除旧标记,再加入新标记实现信息在网络中继续传输.理论分析和数值模拟验证了此方案擦除标记的可行性.

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上，进一步对器件的性能进行了改进，并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ，边模抑制比大于４０ｄＢ，耦合输出光功率大于２ｍＷ，在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后，在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．

基于电吸收调制器波长变换技术的实验研究

实现了基于国产电吸收调制器中交叉吸收调制效应的波长变换 ,波长变换范围超过 30nm 。

基于单个和级联电吸收调制器超短光脉冲的产生

为研究电吸收调制器 (EAM)产生超短光脉冲的性能 ,在考虑电吸收调制器频率响应的基础上 ,通过数值模拟和实验研究的方法 ,从理论和实验上研究了基于国产单个和级联电吸收调制器的超短光脉冲产生 ,实验和理论相符 基于单EAM可以产生占空比近 12 %的短脉冲 ,级联EAM可产生占空比为

基于电吸收调制器的高速时钟信号的提取

对高速光时分复用系统中 (2× 10Gb/s)基于电吸收调制器 (EAM )的注入光电混合振荡器的时钟提取方法进行了实验验证 实验证明 ,光电混合振荡器必须保证一定的增益才能提取出时钟 ,在此基础上 ,无论光电混合振荡器内或外的光功率的增加 ,将增加提取时钟的幅度 ,减小提取时钟的时间抖动 当偏置电压一定时 ,射频幅度增加 ,则电吸收调制器的窗口变窄 ,提取时钟幅度增大 。

光时分复用(OTDM) 系统中基于电吸收调制器(EAM) 的短脉冲光源及解复用器的设计考虑(英文)

研究了电吸收调制器（ＥＡＭ） 的衰减随外加反向电压增加而指数增加的情形下，短脉冲光源的脉冲输出和解复用器的开关窗口对ＥＡＭ 的消光效率、反向ＤＣ 偏置电压以及正弦ＲＦ 驱动信号的幅度等参量的依赖关系－ 在基于ＥＡＭ 的短脉冲光源中，输出脉冲的消光比等于ＥＡＭ 消光效率η与正弦驱动电压峰峰值Ｖｐｐ 的乘积，输出光脉冲的消光比和脉宽均与ＥＡＭ 的反向偏置电压无关，但输出脉冲的峰值功率与η、Ｖｐｐ 和Ｖｂ 都有关系－ 在基于ＥＡＭ的解复用器中，为了使解复用器的开关窗口近似为矩形，可利用ＥＡＭ 的削波效应，使Ｖｐｐ／２＞ Ｖｂ－ 在ＥＡＭ 的消光效率η已知时，通过仔细设计反向ＤＣ 偏置电压Ｖｂ 和正弦驱动电压的峰峰值Ｖｐｐ ，达到ＯＴＤＭ 解复用器所需要的开关窗口形状、宽度和消光比－

4×10Gbit/s光时分复用(OTDM)系统中基于电吸收调制器(EAM)的光分插复用器

提出了一种光时分复用 (OTDM )系统中完全基于电吸收调制器的光分插复用器(O ADM ) ,该复用器具有简单的结构和灵活上下话路的能力。然后对实现这种O ADM所需要的关键技术进行了分析和讨论。

基于电吸收调制器的40Gb/s光学3R再生器模型设计及性能分析

提出了一种结构简单而且性能稳定的40Gb/s光学3R再生器,它由基于电吸收调制的两个波长转换器与基于行波电吸收调制器的光时钟恢复器构成。

具有分光功能的电吸收调制器分析

利用有限差分光束传播法和导模传输分析法,对GaAs/AlGaAs多量子阱波导型电吸收调制器和多模干涉型分束器的光传播特性进行了理论分析,提出了制作具有分光功能的电吸收调制器的设想,并进行了模拟和实验验证.

基于电吸收调制器限幅和降噪特性的实验研究

实验研究了基于电吸收调制器(EAM)的限幅和降噪特性。结果表明,在适当的偏置电压下,EAM有很好的限幅特性;EAM也有一定的降低自发辐射噪声(ASE)的作用。因此,EAM适合作为在线光开关,也可在光纤通信系统中作为限幅器使用。

电吸收调制器特性研究

针对电吸收调制器在光纤无线通信系统中的重要作用，分析了电吸收调制器的插入损耗和由电吸收调制器组成的光纤无线通信系统的误码率和噪声系数。发现在波长从1530～1570nm范围内插入损耗都比较小；在工作波长为1550nm的通信系统内实现了速率为2．5Gb／s信号在200km长度的标准光纤内传榆。系统功率衰减很小，在选择合适的匹配阻抗下，通信系统噪声系数能够达到12dB左右。

基于电吸收调制器的新型40Gbit/s光学3R重生器

全光3R重生技术(重整形、重定时、重放大)是将来高速大容量全光网中的关键技术。提出了一种结构简单而且性能稳定的40 Gb it/s光学3R重生器,它是基于电吸收调制器的2个波长转换器与基于行波电吸收调制器的光钟恢复器构成的,具有造价低、性能稳定等优点,在未来大容量超高速全光网中具有很大的应用潜力。

基于电吸收调制器的ROF系统信号传输特性研究

随着通信系统传输容量和传输带宽的增加,光载毫米波系统结合光纤通信和无线通信的各自优点能够满足未来通信系统的需求。传统的利用光学方法产生毫米波信号包括直接调制、光外差以及外部调制,但是这些方法使信号在光纤中所受色散效应较大,需要精准的电光调制器偏置电压和复杂的激光器,增大了系统成本。搭建了一个由两个激光器、一个马赫增德尔调制器、一个电吸收调制器以及两个光电探测器组成的无线光纤通信系统,在接收端产生了40GHz的毫米波信号。在光纤长度为50km时,通信系统的误码率小于10-9,而功率代价约为2d Bm。

全光纤结构的石墨烯电吸收调制器

利用石墨烯优越的光学性能,构建了基于全光纤结构的石墨烯电吸收调制器。设计了调制器的结构,并进行了仿真和实验双重研究。首先,根据石墨烯的光学可调特性研究了其化学势和介电常数之间的关系。接着,基于全光纤结构设计了石墨烯电吸收调制器,并分析了它的整体有效折射率和化学势的变化关系。对提出的光纤石墨烯调制器进行仿真分析,并与传统半导体电吸收调制器进行对比,实现了一个全光纤结构的石墨烯调制器。对实现的调制器进行了系统的性能测试。结果显示:仿真的四层石墨烯的全光纤电吸收调制器的调制效率可以达到0.233dB/mm,在12.9mm的长度上可实现0.2V的摆动电压。实验测试验证了提出的全光纤石墨烯调制器的可行性;但受实验条件的限制,其半波电压约为120V,3dB调制器带宽为100 MHz。与传统石墨烯波导调制器相比,提出的调制器显示了半波电压小,调制效率高,尺寸小,同时具有低的插入损耗低等优势,适合在未来全光纤RoF系统应用。

应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究

设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz．

基于单个电吸收调制器产生超平坦双光梳

为产生频率间隔相同而又平坦的光频梳,基于单个多量子阱电吸收调制器强度调制特性,设计出一种新型超平坦双光梳产生方案。通过在电吸收调制器前置矩形滤波器,精密控制多量子阱电吸收调制器的反向偏置电压与射频驱动信号幅度,滤除频谱的中心谱线后,得到了平坦度为0.01dB的双光梳。利用Optisystem7.0软件进行仿真,其对不同线宽(100kHz、10 MHz和20 MHz)的激光光源均可产生位于中心谱线两侧对称的、带宽均为300 GHz、谱线均为15条、谱线间距均为20GHz以及平坦度可达0.01dB的双光梳。

电吸收调制器及其在现代光子技术中的应用(本期优秀论文)

对EAM在超短光脉冲产生、全光信息处理(3R)、光时分复用(OTDM)和波长转换等下一代全光通信网中的若干重要应用进行了分析和论述,同时介绍了目前国际上在相关领域研究的进展情况。