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一种新型电吸收调制激光器的优化设计 被引量:1
1
作者 孙元新 杨振强 +2 位作者 贾华宇 余洁 李灯熬 《光通信研究》 2023年第2期69-78,共10页
针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋... 针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激光通信的基本要求。 展开更多
关键词 电吸收调制激光器 台面结构 掺铁掩埋技术 调制带宽 远场发散角
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InP基电吸收调制激光器的应用与研究进展
2
作者 顾宏涛 张宇 +1 位作者 院智涛 蔡成杰 《光源与照明》 2022年第2期71-73,共3页
电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点,在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高,电吸收调制激光器也不断被优化。文章主要介绍InP材料与电吸收调制激光器的应用与研究进展,包括激光器的制备原理及关键工艺流程,以及InP材... 电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点,在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高,电吸收调制激光器也不断被优化。文章主要介绍InP材料与电吸收调制激光器的应用与研究进展,包括激光器的制备原理及关键工艺流程,以及InP材料的特性及其在激光器中的应用和发展前景。在开发新技术和研究方法的同时,需要合理解决产生的问题,才能促进新技术与新产品的进一步发展与应用。 展开更多
关键词 INP 电吸收调制激光器 量子阱 激光器
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电吸收调制激光器EML的结对准工艺研究
3
作者 宋洁晶 张奇 李亮 《集成电路应用》 2023年第7期8-10,共3页
阐述关键工序结对准工艺的实验研究,制备1310nm的EML器件。先使用电感耦合等离子体(ICP)进行表层材料刻蚀,通过优化刻蚀气体比例和功率等工艺参数,得到垂直度较高,表面光滑的刻蚀条件。接着使用InGaAsP选择腐蚀液,通过改变湿法腐蚀工艺... 阐述关键工序结对准工艺的实验研究,制备1310nm的EML器件。先使用电感耦合等离子体(ICP)进行表层材料刻蚀,通过优化刻蚀气体比例和功率等工艺参数,得到垂直度较高,表面光滑的刻蚀条件。接着使用InGaAsP选择腐蚀液,通过改变湿法腐蚀工艺的浓度配比和腐蚀条件,最终得到侧壁平滑的结构,为多次外延提供了基础。采用该结对准工艺制备的1310nm EML器件,室温下阈值电流为12mA,斜率效率为0.25W/A,100mA下的输出功率为22mW,消光比为13dB。 展开更多
关键词 电吸收调制激光器 结对准 干法刻蚀
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基于电吸收调制激光器的双功能微波光子系统
4
作者 江芝东 谢溢锋 +2 位作者 周沛 唐志刚 李念强 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期99-105,共7页
提出了一种基于电吸收调制激光器的双功能系统,可以同时实现微波信号的产生和其相位噪声的测量。该系统由基于电吸收调制激光器的光电振荡器模块和基于光延时线技术的相位噪声测量模块构成。通过使用单个电吸收调制激光器代替激光源和... 提出了一种基于电吸收调制激光器的双功能系统,可以同时实现微波信号的产生和其相位噪声的测量。该系统由基于电吸收调制激光器的光电振荡器模块和基于光延时线技术的相位噪声测量模块构成。通过使用单个电吸收调制激光器代替激光源和强度调制器,所提出的双功能系统不仅成本低廉、结构简单,而且性能表现优异;有利于在基于OEO的射频系统,特别是信号产生系统的研制、优化与工作过程中,及时评估信号源的质量并作出相应的参数调整以优化其性能,为光电振荡器的相位噪声测试提供了简单的解决方案。实验结果表明,由光电振荡器生成的9.952 GHz信号的边模抑制比为66dB,相位噪声为-116.53dBc/Hz@10kHz。此外,相位噪声测量系统的相位噪声基底达-133.71 dBc/Hz@10 kHz,其测量灵敏度优于商用信号分析仪R&S FSV40。 展开更多
关键词 相位噪声测量 微波信号产生 微波光子 振荡器 电吸收调制激光器
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高速电吸收调制激光器研究进展 被引量:9
5
作者 孙长征 杨舒涵 +2 位作者 熊兵 王健 罗毅 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期22-30,共9页
随着数据中心、5G宽带无线通信的不断发展,短距宽带传输的需求大幅增长,极大地推动了高速光电器件的发展。在短距应用中,虽然直接调制激光器具有低成本、低功耗的优势,但其调制带宽和传输距离受到张弛振荡频率和频率啁啾的限制。电吸收... 随着数据中心、5G宽带无线通信的不断发展,短距宽带传输的需求大幅增长,极大地推动了高速光电器件的发展。在短距应用中,虽然直接调制激光器具有低成本、低功耗的优势,但其调制带宽和传输距离受到张弛振荡频率和频率啁啾的限制。电吸收调制激光器(EML)集成光源具有大调制带宽、低频率啁啾的特点,可以实现更高速率和更远距离的传输。介绍了EML集成光源的外延集成方案和器件结构,并介绍了国内外研究机构对高速率、大功率、低成本EML的主要研究进展,最后对EML的未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 调制 电吸收调制激光器 光子集成
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小型化带制冷电吸收调制激光器的研究
6
作者 刘权 徐红春 +1 位作者 刘倚红 段启金 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2011年第8期29-32,共4页
随着光通信朝着高速、高带宽和大容量方向发展,开发高性能的光通信用器件并减小器件的体积以降低成本变得越来越重要。电吸收调制激光器(EML)具有体积小、啁啾效应小、驱动电压低和弛豫振荡频率高等优点,成为当前国内外长距离、高速光... 随着光通信朝着高速、高带宽和大容量方向发展,开发高性能的光通信用器件并减小器件的体积以降低成本变得越来越重要。电吸收调制激光器(EML)具有体积小、啁啾效应小、驱动电压低和弛豫振荡频率高等优点,成为当前国内外长距离、高速光通信系统的理想光源。然而,EML对温度非常敏感,温度的微弱变化都会影响其工作的稳定性。因此,如何使激光器输出恒定波长和稳定功率的光并延长使用寿命是一项技术难题。介绍了目前研究开发的小型化带制冷电吸收调制激光器所采用的制冷技术和两种主要器件封装技术,就带制冷EML未来的发展方向做出了展望。 展开更多
关键词 激光技术 万兆以太网无源光网络 电吸收调制激光器 冷却器 封装 光发射组件
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多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法 被引量:2
7
作者 胡小华 王圩 +7 位作者 朱洪亮 王宝军 李宝霞 周帆 田惠良 舒惠云 边静 王鲁峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期841-846,共6页
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出... 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) . 展开更多
关键词 吸收调制DFB激光器 对接外延 LP—MOCVDf InGaAsP多量子阱
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基于外调制技术25Gb/s激光器组件的设计 被引量:2
8
作者 程尧 罗勇 +1 位作者 孙莉萍 熊永华 《电子设计工程》 2021年第5期52-55,60,共5页
基于外调制技术——电吸收调制,设计了一款25 Gb/s电吸收调制激光器(EML)发射组件(TOSA),用以满足5G传输网络建设中,带宽需求增大和速率需求增加的现状。TOSA需满足工业级温度范围(-40~85℃),而电吸收调制激光器芯片对于温度较为敏感,... 基于外调制技术——电吸收调制,设计了一款25 Gb/s电吸收调制激光器(EML)发射组件(TOSA),用以满足5G传输网络建设中,带宽需求增大和速率需求增加的现状。TOSA需满足工业级温度范围(-40~85℃),而电吸收调制激光器芯片对于温度较为敏感,所以在设计TOSA时需考虑温控问题,利用带温控的封装技术,完成TOSA的制作,解决了温度对产品的影响。通过对TOSA的光电指标和传输性能测试,表明该产品可满足工业级的要求,能够稳定进行40 km的信息传输。 展开更多
关键词 调制技术 电吸收调制激光器 光发射次模块 5G传输
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一种可调突发激光器的光路设计 被引量:2
9
作者 程鹏 孙莉萍 薛振峰 《光通信研究》 北大核心 2018年第4期52-55,共4页
可调突发激光器是下一代光接入网中的关键器件,文章对一种基于电吸收调制激光器和半导体光放大器的波长可调谐的突发激光器进行光路设计,使用常用的光学元件,通过ZEMAX软件进行光路仿真并对光路进行优化设计,从而得出光学系统的耦合效... 可调突发激光器是下一代光接入网中的关键器件,文章对一种基于电吸收调制激光器和半导体光放大器的波长可调谐的突发激光器进行光路设计,使用常用的光学元件,通过ZEMAX软件进行光路仿真并对光路进行优化设计,从而得出光学系统的耦合效率。整个光路由电吸收调制激光器、半导体光放大器、隔离器和各类透镜组成,通过仿真结果得出激光器出射功率,结合实验结果及系统要求,验证了该设计能够满足器件要求。 展开更多
关键词 下一代无源光网络 可调突发激光器 电吸收调制激光器 半导体光放大器 光路仿真
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单片集成电吸收调制分布反馈激光器 被引量:4
10
作者 朱洪亮 梁松 +6 位作者 李宝霞 赵玲娟 王宝军 边静 许晓冬 朱小宁 王圩 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期13-15,共3页
提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB... 提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产。 展开更多
关键词 选择区域生长(SAG) 双有源区叠层(DSAL) 电吸收调制激光器(EML)
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采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器 被引量:3
11
作者 张灿 朱洪亮 +4 位作者 梁松 韩良顺 黄永光 王宝军 王圩 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1451-1455,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条件下,可以获得最大72.8nm的相对波长蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长蓝移量随温度变化基本能控制在10nm以内。通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量,在选区制备出合适带隙波长材料的基础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收调制(EAM)分布反馈激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为20mA,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在+6V反偏压下为9.5dB。 展开更多
关键词 无杂质空位扩散(IFVD 量子阱混杂(QWI) 吸收调制(EAM)分布反馈(DBF)激光器 (EML)
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基于10GHz EML的40Gb/s OFDM多模光纤传输实验研究 被引量:1
12
作者 方玲 陈健 +2 位作者 张倩武 黄青青 王鹏 《光通信技术》 北大核心 2017年第4期12-15,共4页
搭建了直接检测OFDM光背靠背系统和中心注入的多模光纤系统实验平台。分析了电吸收调制激光器(EML)偏置电压对光OFDM系统性能的影响,并找出系统最佳EML的偏置电压。在OFDM系统误码率小于10^(-3)的条件下,对光背靠背和接入多模光纤两种场... 搭建了直接检测OFDM光背靠背系统和中心注入的多模光纤系统实验平台。分析了电吸收调制激光器(EML)偏置电压对光OFDM系统性能的影响,并找出系统最佳EML的偏置电压。在OFDM系统误码率小于10^(-3)的条件下,对光背靠背和接入多模光纤两种场景,采用比特加载方法使系统传输容量最大化。 展开更多
关键词 电吸收调制激光器 OFDM 多模光纤
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基于10Gbit/s器件的40Gbit/s IM/DD-OFDM 40km单模光纤传输 被引量:1
13
作者 王健 杨超 胡明耀 《光通信研究》 北大核心 2014年第6期29-31,共3页
随着通信技术的快速发展,如何在有限的带宽下实现信息的低成本、大容量的传输引起了人们的广泛关注。文章描述了在40km单模光纤上采用IM/DD(强度调制/直接检测)和OFDM(正交频分复用)技术的40Gbit/s光传输系统的设计,实验中使用的是10Gbi... 随着通信技术的快速发展,如何在有限的带宽下实现信息的低成本、大容量的传输引起了人们的广泛关注。文章描述了在40km单模光纤上采用IM/DD(强度调制/直接检测)和OFDM(正交频分复用)技术的40Gbit/s光传输系统的设计,实验中使用的是10Gbit/s级别的EML(电吸收调制激光器)和APD(雪崩光电二极管)。通过MATLAB编程软件实现相关算法,利用VPI仿真软件对系统进行仿真,并对实验结果进行了分析,验证了OFDM技术在未来低成本高速率的光传输网络中应用的可行性。 展开更多
关键词 正交频分复用 电吸收调制激光器 雪崩光二极管 MATLAB软件 VPI软件
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100 Gbit/s混合集成EML光发射组件的研究 被引量:4
14
作者 丁深 刘成刚 +2 位作者 宋小平 梅雪 徐红春 《光通信研究》 北大核心 2018年第1期33-37,共5页
云计算、大数据等互联网应用导致通信流量快速增长,第五代移动通信的到来会进一步加快这一趋势。为了满足大容量、高端口密度、低功耗数据中心互连以及城域网应用的要求,100Gbit/s光模块从外形封装可插拔(CFP)模块演变到CFP2又演变到四... 云计算、大数据等互联网应用导致通信流量快速增长,第五代移动通信的到来会进一步加快这一趋势。为了满足大容量、高端口密度、低功耗数据中心互连以及城域网应用的要求,100Gbit/s光模块从外形封装可插拔(CFP)模块演变到CFP2又演变到四通道小型化可插拔(QSFP)模块。光模块尺寸和功耗的降低对光发射组件提出了更高要求。因此采用混合集成封装技术减小光发射组件的尺寸、降低功耗和成本是未来的发展方向。文章介绍了目前研发的QSFP 28封装100Gbit/s混合集成电吸收调制激光器光发射组件所采用的关键技术,给出了符合100GBASE-LR4国际标准的工作眼图,并就未来光发射组件的发展方向做出了展望。 展开更多
关键词 激光器 光学系统容差分析 光发射组件 电吸收调制激光器
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10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme 被引量:1
15
作者 孙长征 熊兵 +7 位作者 王健 蔡鹏飞 田建柏 罗毅 刘宇 谢亮 张家宝 祝宁华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期662-666,共5页
A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupl... A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupling mechanism is employed to improve the single mode yield of the DFB laser,while inductively coupled plasma dry etching technique is utilized to reduce the modulator capacitance.The integrated device exhibits a threshold current as low as 12mA and an extinction ratio over 15dB at -2V bias.The small signal modulation bandwidth is measured to be over 10GHz.The transmission experiment at 10Gb/s indicates a power penalty less than 1dB at a bit-error-rate of 10 -12 after transmission through 35km single mode fiber. 展开更多
关键词 DFB lasers EA modulators photonic integrated circuit gain-coupling
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Butt-Joint Monolithically Integrated DFB-LD/EA-MD Light Source for 10Gbit/s Transmission
16
作者 李宝霞 胡小华 +4 位作者 朱洪亮 王保军 边静 赵玲娟 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1100-1103,共4页
This paper reports on the design,fabrication,and performance of an integrated electro-absorptive modulated laser based on butt-joint configuration for 10Gbit/s application.This paper mainly aims at two aspects.One is ... This paper reports on the design,fabrication,and performance of an integrated electro-absorptive modulated laser based on butt-joint configuration for 10Gbit/s application.This paper mainly aims at two aspects.One is to improve the optical coupling between the laser and modulator;another is to increase the bandwidth of such devices by reducing the capacitance parameter of the modulator.The integrated devices exhibit high static and dynamic characteristics. Typical threshold current is 15mA,with some value as low as 8mA.Output power at 100mA is more than 10mW.The extinction characteristics,modulation bandwidth,and electrical return loss are measured.3dB bandwidth more than 10GHz is monitored. 展开更多
关键词 integrated optoelectronic device electro-absorptive modulator distributed-feedback lasers butt-joint 3dB-bandwidth
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A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro-Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI
17
作者 张靖 李宝霞 +5 位作者 赵玲娟 王保军 周帆 朱洪亮 边静 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2053-2057,共5页
We report a wavelength tunable electro-absorption modulated DBR laser based on a combined method of SAG and QWI. The threshold current is 37mA and the output power at 100mA gain current is 3.5mW. When coupled to a sin... We report a wavelength tunable electro-absorption modulated DBR laser based on a combined method of SAG and QWI. The threshold current is 37mA and the output power at 100mA gain current is 3.5mW. When coupled to a single-mode fiber with a coupling efficiency of 15% ,more than a 20dB extinction ratio is observed over the change of EAM bias from 0 to -2V. The 4.4nm continuous wavelength tuning range covers 6 channels on a 100GHz grid for WDM telecommunications. 展开更多
关键词 tunable lasers distributed Bragg reflector lasers electroabsorption modulator quantum-well intermi-xing selective area growth
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Monolithically Integrated Laser Diode and Electroabsorption Modulator with Dual-Waveguide Spot-Size Converter Output
18
作者 侯廉平 王圩 +4 位作者 冯文 朱洪亮 周帆 王鲁峰 边静 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1094-1099,共6页
A 1.60μm laser diode and electroabsorption modulator monolithically integrated with a novel dual-waveguide spot-size converter output for low-loss coupling to a cleaved single-mode optical fiber are demonstrated.The ... A 1.60μm laser diode and electroabsorption modulator monolithically integrated with a novel dual-waveguide spot-size converter output for low-loss coupling to a cleaved single-mode optical fiber are demonstrated.The devices emit in a single transverse and quasi single longitudinal mode with an SMSR of 25.6dB.These devices exhibit a 3dB modulation bandwidth of 15.0GHz,and modulator DC extinction ratios of 16.2dB.The output beam divergence angles of the spot-size converter in the horizontal and vertical directions are as small as 7.3°×18.0°,respectively,resulting in a 3.0dB coupling loss with a cleaved single-mode optical fiber. 展开更多
关键词 laser diode electroabsorption modulator spot-size converter integrated optoelectronics optical coupling
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Monolithic Integration of Electro-Absorption Modulators and DFB Lasers by Modified Double Stack Active Layer Approach 被引量:2
19
作者 胡小华 李宝霞 +4 位作者 朱洪亮 王宝军 赵玲娟 王鲁峰 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期481-485,共5页
Monolithic electro absorption modulated distributed feedback(DFB) lasers are proposed and fabricated by using a modified double stack active layer.The 38mA threshold,9dB extinction ratio (from 0 5V to 3 0V),and ab... Monolithic electro absorption modulated distributed feedback(DFB) lasers are proposed and fabricated by using a modified double stack active layer.The 38mA threshold,9dB extinction ratio (from 0 5V to 3 0V),and about 5mW output power at the 100mA operation current are achieved.Compared with other reported results (only 1 5mW at the same operation current) of the traditional stack active structure,the proposed structure improves the output power of devices. 展开更多
关键词 multiple quantum wells electro absorption modulators distributed feedback lasers monolithic integration
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Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究 被引量:1
20
作者 崔晓 张灿 +2 位作者 梁松 Hou Lianping 朱洪亮 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1332-1337,共6页
在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移... 在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移;通过改变退火条件,可实现不同程度的蓝移,满足光子集成技术中不同器件对带隙波长的需求。为了验证其用于光子集成领域的可行性,利用混杂技术分别制备了宽条激光器和单片集成电吸收调制激光器(EML)。在675℃退火温度,80s、120s和200s的退火时间下分别实现了61、81和98nm的波长蓝移;并且,相应的宽条激光器的电激射光(EL)谱偏调量与其材料的光致荧光(PL)谱偏调量基本一致。在675℃、120s退火条件下,制备的EML集成器件中,电吸收调制器(EAM)和分布反馈(DFB)激光器区的蓝移量分别83nm和23.7nm,相对带隙差为59.3nm。EML集成器件在激光器注入电流为100mA、调制器零偏压时出光功率达到9.6mW;EAM施加-5V反向偏压时静态消光比达16.4dB。 展开更多
关键词 量子阱混杂(QWI) 宽条激光器 电吸收调制激光器(EML)
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