电子元器件低频电噪声缺陷检测技术研究

针对现有方法忽视了微弱的噪声缺陷信号、降低了低频电噪声缺陷检测准确性的问题,该文提出一种新型电子元器件低频电噪声缺陷检测技术。首先,完成低频电噪声放大和采集工作,其次,提取电子元器件低频电噪声基本参量,将电子元器件的相关参量提取出来,拟合为噪声频谱及时间信号。最后,检测电子元器件内部散粒噪声,分析电子元器件电阻中导电不连续微粒的电流信号,得到晶体管内的热噪声、白噪声特性,使电子元器件的噪声缺陷检测更全面。利用试验证明所提技术的先进性,试验结果表明,所提技术噪声缺陷检测准确性更高,能够应用于实际生活中。

电子元器件低频电噪声缺陷检测技术研究

在分析低频噪声特性及其影响的基础上,重点探讨频谱分析、锁相放大及时域噪声分析等检测技术,通过对100只电阻应变片的实证研究,验证频谱分析与时域分析相结合的方法在低频噪声缺陷检测中的有效性。实验表明,通过综合分析样品的噪声功率谱密度、均值、标准差、偏度及峰度等特征参数,可准确识别噪声异常样品,为低频噪声缺陷检测提供可行途径。

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对 8 0 8 nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试 ,给出器件电噪声与频率、注入电流之间关系 ,讨论噪声与电、光导数之间的关系 .结果表明 ,80 8nm大功率半导体激光器的电噪声在低频段主要为 1 /f噪声 。

超声焊接检验中的电噪声

建立了数字化超声系统，该系统特别适合于对微弱缺陷进行数字处理。讨论了该系统中遇到的电噪声及消除电噪声的信号平均技术。

半导体激光器的电噪声

通过测量激光器的电噪声 ,可以用来在线监测器件的诸多特性 ,如阈值电流的大小 ,是否有模式跳变发生 ,以及谱线宽窄等。另外 ,根据电噪声的大小 ,还可以对器件的质量和可靠性作出评价 ,具有快速、方便、无损等优点。文章概述了半导体激光器的电噪声 ,对其主要应用进行了综合和讨论 。

半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。

光电探测器的电噪声及其应用

电噪声检测方法正在成为一种无损的电子器件可靠性表征手段,而人们对其在光电探测器方面应用的研究还较少。本文在总结光电探测器电噪声类型及产生机理的基础上,分析了光电探测器与电噪声相关的各项性能参数。电噪声不仅是影响光电探测器性能的重要物理量,而且与光电探测器材料缺陷、界面缺陷及深能级陷阱存在相关性。构造的适当噪声参量可以表征光电探测器中的上述缺陷。与电噪声相关的缺陷往往是导致器件失效的因素,借鉴电噪声用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管质量和可靠性表征的方法,本文提出了电噪声在表征光电探测器质量和可靠性方面的应用。

信号奇异性计算方法在电噪声信号中的应用

为了快速准确地计算电噪声奇异性,在介绍信号奇异性计算方法的基础上,将其引入到电噪声信号分析中,提出一种新的基于多重分形奇异性指数计算信号电噪声的方法。新方法利用多重分形来提取电噪声中可以表达信号内在细节特征的奇异点Hlder指数,通过计算电噪声中Hlder指数的差异来进行噪声分析。通过对实测电迁移和光耦电噪声的计算分析表明,电迁移后期奇异性指数会发生突变;而良品光耦器件和次品光耦器件在信号噪声的平均Hlder指数方面差异明显。实验结果证明本方法是一种快速可靠的电噪声奇异性计算方法。

1．3μm超发光二极管电噪声和光噪声相关性

讨论超发光二极管的低频电噪声和光噪声谱特性及其相关性，并与激光器（ＬＤ）的做了比较．

808nm高功率半导体激光器的低频电噪声及其与器件质量的相关性

在不同条件下测试了808nm高功率单量子阱半导体激光器的低频电噪声和器件的电导数（Id/dI-I）特性。讨论了噪声和器件质量的相关性，结果表明，808nm高功率半导体激光器的低频电噪声主要为1／f噪声，且与器件质量有着较好的相关性。

城市道路交通电噪声场强的测量与分析

通过对城市道路交通电噪声场强的测量与分析,掌握其电磁污染的程度与特性,为电磁环境管理提供科学依据.

电噪声的直接法测量

讨论了电噪声测量中的直接方法,介绍了噪声测量的若干重要概念,给出了直接法校正因子。并建议,在测试标准中系统的噪声系数以1dB为宜。

声学背散射系统的电噪声抑制

本文分析了进口声学背散射系统在工作时的电噪声来源,并阐述了系统电噪声的抑制方法.提出了一些应注意的问题,对同类声学系统的工作有一定参考价值.

半导体高功率量子阱激光器退火后的电噪声

在环境温度和工作电流下,对808nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退火效应.本文应用初始性缺陷(高温高能条件下所形成的缺陷)和非初始性缺陷理论,探讨了器件发生退火及早期失效的原因.

去除事件相关诱发脑电位中自发脑电噪声的一种方法

提出了从混有自发脑电噪声的实验记录中估计事件相关诱发脑电位的方法．该方法克服了一般滤波算法中需要事先估计待测信号的频率范围或其他先验知识的困难，较好地消除了自发脑电噪声的干扰，改善了基线漂移的问题，使信噪比获得了较大程度的提高．

多通道采集系统电噪声分析研究

本文通过多通道ADC电源设计、差分ADC驱动器设计、模拟与数字接地方式、高速信号PCB布局等方面,对多通道采集系统的电噪声进行测量,分析电噪声产生的原因与传播路径。通过采取相对有效措施,有效降低了电噪声对多通道高速采集系统的性能影响。

高功率半导体激光器的电噪声

对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相同缺陷源的产生复合噪声(g r噪声)进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈值电流Ith, 爆破噪声和g r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g r噪声. 通过对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g r噪声的器件为失效器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g r噪声. 通过缺陷能级理论和p n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、g r噪声及多重g r噪声产生的原因.

现代埋藏式心脏转复除颤器滤过肌电噪声及T波信号的程序及其临床应用

埋藏式心脏转复除颤器(ICD)的不恰当治疗一直是近年来学术界关注的焦点。ICD将室上性心动过速误诊为室性事件是导致不恰当治疗的原因之一,另一方面则多由过感知问题所致。ICD植入人体后长期被患者自身的肌电噪声以及T波信号所包围,一旦ICD感知到这些信号则极易引发不恰当治疗。然而,随着ICD硬件及软件技术的不断发展,现代ICD已经集成了一套完整的肌电噪声及T波信号滤过功能,如:专为ICD设计的带通滤波器、感知灵敏度自动增益控制技术及其他感知优化功能以最大化避免过感知,从而减少ICD不恰当治疗。

电子元器件低频电噪声测试技术及应用分析

本文对电子元器件低频噪声测试技术展开分析,重点研究了低噪声放大技术、数据采集技术以及低噪声处理技术方面的关键原理以及应用特点,望引起重视。

电子元器件低频电噪声测试技术及应用研究

载流子微观运动会导致电器元器件出现低频电噪声,噪声的大小能够直接反应电子元器件的生产质量及可靠性。电子元器件生产厂家以及各地的研究所都对低频电噪声的测试技术十分关注。下文主要对电子元器件低频点噪声测试技术及其应用进行简单的探讨。