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元素周期表中的电子亲和势及砷电子亲和势的测量示例
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作者 闫帅廷 陆禹竹 +1 位作者 张瑞 宁传刚 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期1-12,I0117,共13页
基于先前对原子的电子亲和势和原子负离子的分析工作[J.Phys.Chem.Ref.Data 51,021502(2022)],本篇综述提供了一个关于原子的电子亲和势的简要概述.本文简要描述和对比了三种常用的测量电子亲和势的实验方法,以凸显它们各自的优缺点.为... 基于先前对原子的电子亲和势和原子负离子的分析工作[J.Phys.Chem.Ref.Data 51,021502(2022)],本篇综述提供了一个关于原子的电子亲和势的简要概述.本文简要描述和对比了三种常用的测量电子亲和势的实验方法,以凸显它们各自的优缺点.为了阐明目前研究中所使用的慢电子速度成像法的特点,本文对砷元素(As)的电子亲和势以及其负离子(As-)的激发态进行了测量.测得As元素的电子亲和势为6488.61(5)cm^(-1)或0.804485(6)eV.实验清晰地分辨了As-的精细结构,其激发态^(3)P_(1)能量比基态^(3)P_(2)的能量高出1029.94(18)cm^(-1)或0.12770(3)eV;激发态^(3)P_(0)能量比基态^(3)P_(2)的能量高出1343.04(55)cm^(-1)或0.16652(7)eV. 展开更多
关键词 元素周期表 电子亲和势 砷元素 电子速度成像
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负电子亲和势材料及其在冷阴极中的应用
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作者 朱韬远 魏贤龙 《真空》 CAS 2023年第6期1-8,共8页
从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易... 从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中,因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料,并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。 展开更多
关键词 电子亲和势 电子发射 冷阴极
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负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究 被引量:5
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作者 乔建良 徐源 +2 位作者 高有堂 牛军 常本康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期76-81,共6页
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降. 展开更多
关键词 半导体材料 电子亲和势 双偶极层模型 GAN 光电阴极 光电流 铯吸附
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负电子亲和势光电阴极评估技术研究 被引量:10
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作者 钱芸生 宗志圆 常本康 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第6期445-447,451,共4页
阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系... 阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系统对国产的反射式GaAs基片进行了激活和评估 ,文中给出并分析了测试结果。 展开更多
关键词 电子亲和势 光电阴极 量子产额 表面逸出概率 扩散长度 性能评估
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用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势 被引量:3
5
作者 常本康 富容国 +1 位作者 钱芸生 容啟宁 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期46-49,共4页
利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7~ 0 .91eV ,0 .35~ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的... 利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7~ 0 .91eV ,0 .35~ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别。在Na2 KSb形成过程中存在n型表面态 ,这些n型表面态的存在影响了Na2 KSb的重掺杂 。 展开更多
关键词 多碱光电阴极 电子亲和势 动态光谱响应 测试技术
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负电子亲和势氮化镓光电阴极 被引量:7
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作者 李慧蕊 申屠军 +1 位作者 戴丽英 马建一 《光电子技术》 CAS 2007年第2期73-77,共5页
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在... 负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。 展开更多
关键词 超高真空 激活 电子亲和势 GAN光电阴极 紫外敏感 光电探测
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负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究 被引量:1
7
作者 李飙 任艺 +1 位作者 常本康 陈文聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期37-40,共4页
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光... GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。 展开更多
关键词 电子亲和势 GAN 光电阴极 光电发射 激发 输运 激活
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GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究 被引量:7
8
作者 李朝木 曾正清 陈群霞 《真空与低温》 2008年第4期236-239,共4页
采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)
关键词 电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 光电探测
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埋入GaAs/AlAs周期反射层提高反射式负电子亲和势阴极效率的研究 被引量:1
9
作者 徐宏伟 王鼎盛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期675-682,共8页
本文提出了在高掺杂反射式负电子亲和势 GaAs光阴极材料的活性层下埋入 GaAs/AlAs周期反射层,提高光的利用率,同时在界面附近引入电子势垒,提高光电子发射效率.文中对周期反射层的反射性能进行了设计和计算,并计算了埋入GaAs/AlAs周期... 本文提出了在高掺杂反射式负电子亲和势 GaAs光阴极材料的活性层下埋入 GaAs/AlAs周期反射层,提高光的利用率,同时在界面附近引入电子势垒,提高光电子发射效率.文中对周期反射层的反射性能进行了设计和计算,并计算了埋入GaAs/AlAs周期反射层后的光电子发射效率.讨论了埋入 GaAs/AlAs周期反射层后最佳活性层厚度的选取-指出了对于扩散长度较短的材料,通过埋入周期反射层,能用较薄的活性层达到甚至超过无限厚活性层材料的极限效率.最后对光电发射实验的初步结果进行了讨论. 展开更多
关键词 阴极 电子亲和势
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GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究 被引量:1
10
作者 曾正清 李朝木 +1 位作者 王宝林 李峰 《真空与低温》 2010年第2期108-112,共5页
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0〈X≤0.4),在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的... 采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0〈X≤0.4),在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。 展开更多
关键词 电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 新能带结构模型.
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电子亲和势法判断负离子聚合单体的活性
11
作者 滕波涛 蒋仕宇 +3 位作者 鲁继青 蓝尤钊 刘亚 郑绍成 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1183-1186,共4页
提出了利用不同取代基烯类单体的电子亲和势来判断其负离子聚合反应活性的方法.采用密度泛函理论的B3LYP/6-31G(d)方法优化了不同取代基烯类单体几何构型,在B3LYP/6-311++G(3df,2p)水平上计算了其电子亲和势.通过电子亲和势计算值与文... 提出了利用不同取代基烯类单体的电子亲和势来判断其负离子聚合反应活性的方法.采用密度泛函理论的B3LYP/6-31G(d)方法优化了不同取代基烯类单体几何构型,在B3LYP/6-311++G(3df,2p)水平上计算了其电子亲和势.通过电子亲和势计算值与文献报道实验数据比较,表明本文采用的计算方法是比较可靠的.结合不同取代基烯类单体的电子亲和势的计算结果,通过与Q-e关系及取代基常数σ数据进行比较表明,电子亲和势可以用来判断不同单体负离子聚合反应的活性高低. 展开更多
关键词 负离子聚合 单体 电子亲和势 反应活性 密度泛函理论
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真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究
12
作者 潘清 肖德鑫 +6 位作者 吴岱 李凯 杨仁俊 王建新 张海旸 刘宇 黎明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期254-258,共5页
大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并... 大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并进行了真空铟焊后的GaAs光阴极激光与束流加载实验。研究表明,真空铟焊使GaAs与金属阴极托之间形成了紧密连接,增强了阴极与阴极托之间的热传导,减缓了阴极的温升速率,并在数瓦平均功率激光加载时将注入器中NEA GaAs光阴极的工作寿命提高了一个量级以上。 展开更多
关键词 电子亲和势砷化镓光阴极 真空铟焊 阴极工作寿命 量子效率
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负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展 被引量:1
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作者 马建一 顾肇业 申屠浩 《半导体情报》 1996年第6期17-22,共6页
阐明了负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能,论述了关于其物理机制的四种理论模型见解,介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。
关键词 电子亲和势 光电阴极 化合物半导体
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透射式负电子亲和势光电阴极基片的无损检测
14
作者 姚惠贞 宋国瑞 董红兵 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1991年第4期29-37,共9页
本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值... 本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值的测量等。实验结果表明,激光荧光检测为Ⅲ—V族半导体材料的研究提供了一种快速的非破坏性的检测方法,对研究透射式负电子亲和势光电阴极具有重要意义。 展开更多
关键词 光电阴极 无损检测 电子亲和势
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负电子亲和势GaN光电阴极特性研究
15
作者 乔建良 高有堂 +1 位作者 钱芸生 常本康 《南阳理工学院学报》 2011年第2期1-4,共4页
分析了NEA GaN光电阴极的产生背景,介绍了NEA GaN光电阴极的结构以及工作模式,研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因,p型GaN经过Cs、O处理后的有效电子亲和势约为-1.2eV。分析表明:充分激活后形成的双偶极层是表面真... 分析了NEA GaN光电阴极的产生背景,介绍了NEA GaN光电阴极的结构以及工作模式,研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因,p型GaN经过Cs、O处理后的有效电子亲和势约为-1.2eV。分析表明:充分激活后形成的双偶极层是表面真空能级降低的原因,体内产生的光电子按照光电发射的"三步模型"逸出到真空中。 展开更多
关键词 电子亲和势 GAN 光电阴极 能级
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一些密度泛函方法预测电子亲和势 被引量:3
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作者 丁秀丽 吴剑鸣 徐昕 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期396-398,共3页
In this paper,we examined the performance of 12 density functionals(B3LYP,X3LYP,O3LYP,PBE0,B3PW91,BLYP,OLYP,OPBE,PBE,BPW91,VSXC and TPSS),combined with two basis sets[DZP++ and 6-311+G(3df,2p)] in the prediction of th... In this paper,we examined the performance of 12 density functionals(B3LYP,X3LYP,O3LYP,PBE0,B3PW91,BLYP,OLYP,OPBE,PBE,BPW91,VSXC and TPSS),combined with two basis sets[DZP++ and 6-311+G(3df,2p)] in the prediction of the adiabatic electron affinities against a set of 91 well-established experimental values.We have reached a conclusion that all these modern functionals are ge-nerally good,giving a mean absolute deviation(MAD)less than 0.24 eV.B3LYP and X3LYP are among the most reliable methods for this test set.When the DZP++ basis set is adopted,X3LYP is the best with a MAD of 0.14 eV,while B3LYP leads to a MAD of 0.16 eV.When the basis set is extended to 6-311+G(3df,2p),B3LYP improves its MAD to 0.13 eV,while the MAD of X3LYP remains to be 0.14 eV.Most hybrid functionals outperform the corresponding GGA functinals,with the exception of PBE0.The meta-GGA functionals(VSXC and TPSS)are not necessarily better than the GGA functionals.Our calculations also reveal that there are flaws associated with the OPTX exchange functional in the calculations of EA. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子亲和势 B3LYP X3LYP
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二阶多参考态微扰理论计算电子亲和势(英文) 被引量:4
17
作者 范志辉 陈飞武 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2064-2076,共13页
采用二阶多参考微扰理论计算了F,Cl,OH,SH,CN,CH2和NH2的电子亲和势.另外,还考察了基函数和完全活性空间大小对电子亲和势精度的影响.通过和CASSCF,CASPT2,CCSD,CCSD(T),B3LYP,X3LYP,M06,HCTH,TPSS,B97D3,m PW2PLYP和B2PLYP的计算结果... 采用二阶多参考微扰理论计算了F,Cl,OH,SH,CN,CH2和NH2的电子亲和势.另外,还考察了基函数和完全活性空间大小对电子亲和势精度的影响.通过和CASSCF,CASPT2,CCSD,CCSD(T),B3LYP,X3LYP,M06,HCTH,TPSS,B97D3,m PW2PLYP和B2PLYP的计算结果比较发现,针对目前所用的基函数,二阶多参考态微扰理论的总体计算效果是最好的. 展开更多
关键词 电子亲和势 多参考态微扰理论 基函数 完全活性空间
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低电子亲和势内场发射阴极 被引量:1
18
作者 孙林 王磊 李德杰 《微细加工技术》 2001年第1期37-40,共4页
平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化 ,急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的 ;介绍了双金属栅极的结构和制作工艺 ;阐述了利用两种金... 平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化 ,急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的 ;介绍了双金属栅极的结构和制作工艺 ;阐述了利用两种金属的接触电位差降低阴极电子发射势垒的原理 ;解释了实验中低驱动电压时发射率提高较多的现象。与单金属栅极相比双金属栅极的阴极电子发射率提高了 5倍以上。 展开更多
关键词 场发射 双金属栅极 阴极 电子亲和势
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钛团簇的结构及电子亲和势的理论研究(英文)
19
作者 赵丽霞 冯晓娟 +2 位作者 曹廷廷 雷用敏 罗有华 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期290-294,共5页
基于密度泛函理论详细地研究了金属钛的小尺寸团簇的稳定结构及电子性质.具体采用的计算方法是B3LYP/CEP-121G.在这项工作中,我们发现计算的电子亲和势的值与实验值符合的很好,但与原先的理论研究有些不同.
关键词 密度泛函 钛团簇 稳定结构 电子亲和势
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电离势 电子亲和势 电负性与酸碱软硬度 被引量:5
20
作者 张津 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 1991年第4期79-86,共8页
本文用Lewis酸的平均电离势对其电负性作图;用Lewis碱的第一电子亲和势对其电负性作图,得出分类软酸、硬酸和软碱、硬碱的两个方程: H_A=∑I_n/n-3.1x+2.6 (1) H_B=A+3.51x-7.24 (2)运用(1)式计算了113种酸的硬度值,用(2)式计算了59种... 本文用Lewis酸的平均电离势对其电负性作图;用Lewis碱的第一电子亲和势对其电负性作图,得出分类软酸、硬酸和软碱、硬碱的两个方程: H_A=∑I_n/n-3.1x+2.6 (1) H_B=A+3.51x-7.24 (2)运用(1)式计算了113种酸的硬度值,用(2)式计算了59种碱的硬度值。突破了复杂酸碱的标度问题。结果与Dearson根据实验所总结的分类一致,与Ahrland和Klopman结果相比较大致呈线性关系。 展开更多
关键词 硬度 电离 电子亲和势
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