异质富勒烯C_(18)X_(2)(X=B、N)的结构与电子性能研究

此研究深入探讨了异质富勒烯C_(18)X_(2)(X=B、N)的结构和电子性能。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱分析和X射线光电子能谱(XPS),详细揭示了B、N掺杂对富勒烯结构的影响。实验结果表明,掺杂导致晶体结构和电子性质的显著变化。此外,通过电子能带结构计算、载流子浓度与迁移率测试、光电性能评估等方法,深入分析了其电子性能。这些发现为理解异质富勒烯在高科技领域应用提供了重要信息。

氢化与氟化五边形石墨烯双层电子性能调控的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了氢化、氟化及氢氟化五边形石墨烯双层对其电子性能的调控. 计算结果表明,氢化和氟化的五边形石墨烯双层可分别在价带顶及导带底形成局域的电子态而显著降低带隙. 基于这一特性,我们进一步研究氢氟化的五边形石墨烯双层结构对电子能带的影响,并且发现通过调控氢氟化覆盖度能够有效调节带隙,进而实现五边形石墨烯双层从半导体到金属态的转变.

一维取代聚噻吩的电子性能

报道了3种取代聚噻吩,3-己基聚噻吩(P3HT)、3,4-二戊基聚噻吩(P34PT)、3-辛氧基聚噻吩(P3OOT)的合成方法1、H-NMR测试结果及UV-Vis吸收光谱和荧光光谱分析结果。用密度泛函方法计算了无取代噻吩、3-乙基噻吩、3,4-二乙基噻吩、3-乙氧基噻吩二聚体的电子性能。随聚合度的提高,聚合物能隙变窄。无取代噻吩二聚体的能隙为4.216 eV,重复单元长度为0.392 7 nm;乙基取代噻吩二聚体的能隙为4.733 eV,重复单元长度为0.393 9 nm;乙氧基取代噻吩二聚体的能隙为3.890 eV,重复单元长度为0.390 8 nm;双乙基取代噻吩二聚体的能隙为5.168 eV,重复单元长度为0.392 5 nm。理论变化规律与实验结果基本一致。

钾对镍—钴复合氧化物催化剂表面状态及电子性能的影响

用Ｘ光电子能谱研究了镍—钴复合氧化物催化剂添加助剂Ｋ＋后的结构及表面组成，并结合电导率的测定结果与反应性能相关联，考察了它们之间的关系．研究表明：助剂Ｋ＋的掺入对镍—钴尖晶石复合氧化物的电子性能、表面状态均有影响，能使电子激活能降低，元素结合能减小，氧化反应活性增高．

金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究

基于密度泛函的第一性原理研究了金衬底对单层二硫化钼电子性能的调控作用.从结合能、能带结构、电子态密度和差分电荷密度四个方面进行了深入研究.结合能计算确定了硫原子层在界面的排布方式,并指出这种吸附结构并不稳定.能带结构分析证实了金衬底与单层二硫化钼形成肖特基接触,并出现钉扎效应.电子态密度分析表明金衬底并没有影响硫原子和钼原子之间的共价键,而是通过调控单层二硫化钼的电子态密度增加其导电率.差分电荷密度分析表明单层二硫化钼的导电通道可能在界面处产生.研究结果可对单层二硫化钼晶体管的建模和实验制备提供指导.

稀土氧化物稳定t-ZrO_(2)结构和电子性能的研究

t-ZrO_(2)是一种宽带隙半导体材料,在氧传感器、固体氧化物燃料电池和涂层材料被广泛应用,由于t-ZrO_(2)只能在高温下存在,常加入稀土氧化物稳定至室温。采用第一性原理计算了形成能、能带、态密度及电荷密度,研究了Y_(2)O_(3),Sc_(2)O_(3),La_(2)O_(3)等稀土氧化物掺杂无补偿和有空位补偿对t-ZrO_(2)的结构和电子性能的影响。结果表明,稀土氧化物与Vo共同相互作用是稳定的关键,Y11(Vo)-2NN(1),Sc13(Vo)-2NN(1),La11(Vo)-2NN(1)三聚体形成能最小,稳定效果最佳。通过能带结构和态密度,相比于理想t-ZrO_(2),由于容纳过剩电子,掺杂体系带隙均有所减小,掺杂无补偿结构在费米能级附近出现新能带。由于O-2p与Zr-4d电子态的作用,导带与价带的迁移增强了费米能级附近电子的相互作用,并改善了t-ZrO_(2)的电子性能。通过电子密度分布表征原子键合得出,稳定性本质在于原子间化学键合的作用。这为t-ZrO_(2)的应用提供了有效的理论依据。

各向异性压力对ZnS晶体结构和电子性能的影响研究

基于电子平面波密度泛函理论的方法研究分析了闪锌矿结构ZnS在未受压力和沿a,b和c轴方向上受0.5GPa小压力条件下的晶体结构和电子性质。结果表明闪锌矿ZnS在0.5 GPa的不同方向小压力作用下,晶胞参数均发生增大,表现出较为明显的压力膨胀效应。压力对ZnS晶体结构的影响是各向异性的,其对ZnS晶体c轴方向的影响最大,压力作用下Zn-S键长也均增大。ZnS体系在0.5 GPa压力下稳定性增强,其在a轴受压力作用下能量最低。在a轴,b轴和c轴方向施加相同压力之后,ZnS的带隙宽度由2.059 eV分别减小到1.683 eV,1.681 eV和1.681 eV,但是其带隙类型未发生变化。ZnS材料体系中的p态电子对费米能级附近的贡献程度最高,而s态和d态电子对费米能级处的贡献程度均较低。

超声C扫电子性能计量方法分析

超声检测技术是特种工艺检测中不可缺少的重要手段之一,本文分析了成飞公司现阶段所涉及的超声C扫描系统有关设备电子性能校准的方法和特种工艺要求,对校准项目、测量原理等进行了剖析。基于工信部民机专项科研标准化的要求,为编写国内民机超声C扫描校准行业规范做准备,并对未来超声系统校准趋势进行了探讨。

混合型显微镜检测材料的电子性能

美国国家标准与技术研究所（NIST）和科罗拉多大学协作开发了一种新型扫描显微镜，它能够同时揭示金属纳米结构的物理图象与电子图象。这种新式设备特别适用于分析纳米尺寸的电子材料和纳米颗粒的成分和性能。扫描光致电离显微镜兼备了光学显微镜的高空间分辨率与对微细电活度的极高敏感度，使得它能够检测由材料所发射出的低能电子。这种显微镜包括有光学显微镜真空移动式载物台，超快速近紫外激光束可提供足够高的峰值功率将两种光子实际上同时注入金属中，还有测定由材料发射出的电子数量和电子能量的装置。

于纳米结构下的石墨烯电子性能可保持至10μm

据报道，香港科技大学物理学系蒙民伟博士纳米科学讲座教授沈平的研究团队近日发现，于纳米结构下的石墨烯，其电子性能小至10μm仍可保持，此发现突破科学界纪录。

基于密度泛函理论研究Ag-Co团簇的结构、电子和光学性能

基于密度泛函理论研究了7个原子Ag-Co团簇结构的稳定性、电子和光学性能.研究结果表明,7个原子Ag-Co团簇的最稳定结构都是十面体结构,Co原子数量较少时,Co原子主要占据十面体的轴向位,Ag原子主要占据赤道位,随着Co原子数的增加,Co原子逐渐替换了赤道位上的Ag原子.当Co原子数增加时,Ag-Co团簇的垂直电离势、垂直电子亲能和最高占据轨道与最低未占据轨道之间的能隙整体上都呈现出下降趋势,表明电子稳定性降低;Ag-Co团簇的吸收光谱整体出现了红移,吸收峰的强度逐渐减弱,吸收谱的宽度变窄.

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析(英文)

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分。计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合。CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性。此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,Cd–As键的共价性要强于Ge–As键的。

低电量工况对电子血压计性能与计量检定影响的研究

电子血压计作为重要的医疗设备之一,人们对其性能与准确性的要求日益严格。然而,在实际使用过程中,电量不足可能导致电子血压计的性能下降,从而影响其计量检定的准确性。因此,研究低电量工况对电子血压计性能与计量检定的影响具有重要意义。

稀土掺杂钼的强韧化与电子发射性能研究

介绍了作者们近年来在稀土钼研究方面所取得的成果研究结果表明，稀土氧化物（La2O3，Y2O3）在强化钼的同时，对钼具有显著的韧化作用，即具有综合强韧化作用．稀土钼不仅是优良的结构材料，而且是优异的热阴极材料，有广泛的应用前景．

强流电子枪电子光学性能的研究

利用SLAC 226程序对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的电子枪光学系统性能进行了研究。计算程序以带电粒子的洛伦兹力运动方程的相对论形式为基础,在充分考虑了空间电荷效应和电子自身产生磁场的情况下编写而成。在该程序中,网格的划分采用正方形网格;解泊松方程采用半迭代切比雪夫法;解轨迹方程采用四阶龙格 库塔法。经过对轴上电位的优化计算,得到了轴上电场的分布,电子轨迹以及阳极孔处的径迹斜率等结果,并且对外加电场与空间电荷场对束流的聚焦作用作了比较分析。计算发现,电子初始角和初始能量(对束流的)聚焦性能影响很小,二极管间距d=58.5mm时对束流聚焦最有利。

表面微结构对碳化硅晶须掺杂石墨阴极爆炸电子发射性能的影响

爆炸发射阴极已广泛应用于高功率微波源,但常规场致爆炸发射阴极存在使用寿命短或电子发射不均匀的问题,改善阴极材料是解决这一问题的有效途径.本文将碳化硅晶须掺杂到石墨中制备得到阴极,从二极管电流波形上升沿和输出微波脉宽产生的变化着手,分析了碳化硅晶须掺杂石墨阴极表面材料成分和微观形貌对其电子发射性能的影响机理.研究发现,碳化硅晶须的存在,不仅有利于阴极场发射的快速启动、发射微点数目增多,还有利于降低等离子体膨胀速度、抑制脉冲缩短现象,使得输出微波脉宽增大.随着脉冲发射数量增多,碳化硅晶须掺杂石墨阴极表面被等离子体不断"抛光",微凸起形状因子减小、均匀性提高,场发射启动速度减慢,但输出微波脉宽增大.

稀土钨、钼电极电子发射性能研究与应用开发

介绍了笔者最近几年关于稀土钨、钼材料的研究工作。研究结果表明 ,在钨和钼中掺入不同稀土氧化物种类和含量 ,可制成系列稀土钨电极材料 ,其综合焊接性能超过先行的钍钨电极材料 ,克服了钍钨电极的放射性污染。所研制的稀土钼材料 ,具有工作温度低、韧性好和无放射性污染 ,由于发射稳定性的突破 ,使稀土钼阴极材料达到实用化。

单根一维TiO_2纳米线的电子输运性能

采用电化学诱导溶胶-凝胶法,在多孔氧化铝模板(AAO)的纳米孔道内制备了直径分别为60和20nm的锐钛矿型TiO2纳米线阵列.利用原子力显微镜(AFM)技术,在半接触模式下得到了TiO2纳米线的形貌像,在接触模式下测量了单根TiO2纳米线的I-V曲线.TiO2纳米线的电子输运性能表现为半导体的性质.TiO2纳米线的导通电压值明显小于TiO2块体,并且随着TiO2纳米线直径的减小,导通电压值增大.

两种硅泡沫材料耐电子束辐射性能的研究

采用傅立叶红外 (FT- IR)谱仪、万能材料试验机、电子蠕变松弛试验机分析了辐照前后材料的化学结构、压缩性能和应力松弛率的变化。同时使用质谱 (MS)仪确定了辐解气体产物的组分 ,并通过负压进样系统利用气相色谱 (GC)仪准确测定了气体产量。结果表明 ,两种硅泡沫材料经辐照后其化学结构和力学性能都发生了改变 ,相同条件下甲基乙烯基硅泡沫 (MVSF)的力学性能受吸收剂量影响比甲基苯基乙烯基硅泡沫 (MPVSF)更为显著 ;MVSF辐解的气体产量比 MDVSF的高。综合分析结果 ,认为MPVSF的耐辐射性比 MVSP的强 ,因此推荐 MPVSF替代