采用Li_3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.

CdSe／ZnS量子点敏化太阳能电池电子注入与光伏性能表征

合成了CdSe/ZnS核壳结构量子点(QDs),将其作为光敏剂吸附在TiO2纳米晶薄膜上,组装成量子点敏化太阳能电池(QDSSCs),从电子注入速率和电池性能两方面对QDSSCs进行了表征.为了定量研究ZnS层包覆对电子注入的影响,运用飞秒瞬态光谱技术,测试了包覆ZnS前后,CdSe-TiO2体系的电子注入速率.实验测得ZnS包覆前后电子注入速率分别为7.14×1011和2.38×1011s-1,可以看出包覆后电子注入速率明显降低,仅为包覆前的1/3.电池器件J-V性能测试表明,ZnS作为绝缘层包覆在CdSe的表面有效提高了QDSSCs的填充因子和稳定性,但同时也导致了效率的降低.上述结果说明了电子注入速率的降低是导致电池电流和效率下降的重要原因,为今后优化核壳结构QDSSCs的电流和效率提供了依据.

四(8-羟基喹啉)硼锂作为电子注入层的高效有机发光二极管

采用四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq_4)代替LiF作为电子注入材料,以金属铝作为阴极,制备了有机电致发光器件.器件采用N,N′-(α-萘基)-N,N′-苯基联苯二胺(NPB)作为空穴传输层,三(8-羟基喹啉)铝(Alq_3)作为电子传输层和发光层.采用LiBq4作为电子注入层,实验结果表明,器件的亮度、电流效率和起亮电压等性能均有改善,超过了采用LiF作为电子注入层的器件.器件性能的提升可以用电子注入增强和电荷平衡来解释.

纳米级包覆层厚度对染料敏化太阳电池中电子注入效率和电子寿命的影响

选取氧化钐作为包覆材料,采用浸渍法对已烧结好的纳米TiO2多孔薄膜电极进行修饰,并将其应用于染料敏化太阳电池中,研究了纳米级氧化钐包覆层厚度及均匀性对染料敏化太阳电池中电子注入效率和电子复合过程的影响和作用机制.结果表明,包覆层厚度对电子注入效率和电子复合具有明显影响,且电子注入效率和电子寿命随包覆层厚度的增加而呈现相反的变化趋势,包覆层厚度在0.4 nm以内,电池性能最好.

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响(英文)

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/Mg∶Ag(10∶1)(100nm)/Ag(50nm)andITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/LiF(x)/Al(100nm)。结果发现,在同样电压下,与Mg∶Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流。当LiF厚度为1nm时,器件性能最好。以Mg∶Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8450cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14700cd/m2。此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7V时达到了最大为3.117cd/mA。同时,当LiF厚度大于1nm或小于1nm时,器件性能都将会下降。

纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究

研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化;该方法对薄膜界面造成的损伤较小。

有机白光器件中CdS薄层增加电子注入的研究

为了研究光电材料CdS在有机白光器件中增加电子注入的特性,将结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光器件,不插入CdS薄层或将CdS薄层分别插入到NPB和ITO之间以及Alq3和LiF之间或同时将CdS薄层插入到它们之间,制作了四个元器件。通过研究得出,在Alq3和LiF之间插入CdS薄层的器件,在同等条件下性能较好。性能的改善来自于CdS薄层的引入使器件电子注入增加,激子形成的数量和比率也获得了相应的提高,从而提高了器件的亮度和效率。

双层阴极结构BaO/Al聚合物电致发光器件电子注入的研究

介绍了用双层阴极BaO/Al和发光层MEHPPV制成的聚合物电致发光器件(PLEDs),研究了绝缘层BaO对电子注入所起的作用.实验发现,BaO对电子的注入起到显著的促进作用,与直接用Al做阴极的器件对比,其发光亮度和效率分别提高了20倍和10倍,达到了1250cd/m2和0.4%.同时也研究了不同厚度的绝缘层BaO对电子注入的影响,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为1nm的最佳厚度.另外,国外用绝缘层LiF和CsF做成器件,与他们的实验结果对比,发现是绝缘层BaO增强了电子的注入,而不是BaO分解得到的金属Ba.

以Liq作为电子注入层的高效有机电致发光器件

利用Liq(8 hydroxy quinolinatolithium)作电子注入层,制备了结构为ITO(indiumtinoxide)/TPD(N,N′ diphenyl N,N′ bis(3 methylphenyl) 1,1′biphenyl 4,4′diamine)/Alq3(tris (8 hydroxy quinolinato)aluminum)/Liq/Al的电致发光器件。实验表明,以Liq作为电子注入层器件的效率约为无Liq器件的5倍。其原因可归于Liq在金属铝电极与Alq3有机层之间产生偶极层,从而形成铝与有机层间的欧姆接触,使电子注入效率大幅提高。

富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性

通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .

有漂移电子注入时托卡马克中电场分布计算

用有限差分算法数值求解二维泊松方程，得到了有、无电子注入时注入器腔体内和托卡马克真空室壁小园截面上的电场分布。研究不同情况的电场，并讨论了计算结果，认为无翘起平行电极板较为合适，注入电子的密度在１０１３～１０１４ｍ－３时，产生的径向电场即可满足Ｌ—Ｈ模转变的要求。

雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响

本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类型的陷阱,其陷阱密度悬殊很大.雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱.同时还给出这两种陷阱在禁带中的能级位置,界面态密度随雪崩注入的变化关系.文中并对实验结果进行讨论与分析.

雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性

采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施主型界面电子陷阱。揭示出界面陷阱密度在禁带中分布 ,其密度随雪崩注入剂量增加而增大 ,禁带上半部增大得尤其显著。指出雪崩注入过程中在 Si/ PECVD Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系。支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型 ,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析。给出 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 ,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高。

MOS电容的衬底热电子注入响应特性

为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。

77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．

电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺 ,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现 ,CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流 ,减小探测器噪声 ,提高探测器能量分辨率 .制备出的CdSe室温核辐射探测器对2 4 1Am 5 9.5keV和10 9Cd87keVγ射线的能量分辨率分别为 9.6 %和 7.5 % .

托卡马克电场漂移电子注入的物理分析研究

对电场漂移电子注入中的电子束物理、电子注入情况下托卡马克等离子体的平衡、电子注手器中的物理问题等进行了分析研究。结果表明，漂移电子束的稳定条件是外加电场必须大于电子束本身所产生的电场；为了保持等离子体环的平衡，外加电压愈低愈好；阴极的工作温度在800—1000K之间就可以满足在HT－6M托卡马克上进行该实验的要求；在采取必要的绝缘措施后，对25kV的设计电压，电子注入器的绝缘度是有保证的。

PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系。揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析。给出了PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件。

Li_(2)CO_(3)电子注入层改善有机发光二极管性能的研究

常规有机发光二极管发光层中载流子浓度的不平衡,导致器件发光亮度、效率等性能不能达到最优.为了改善电子的注入和传输,采用Li_(2)CO_(3)作为电子注入层,并将其掺入4,7-二苯基-1,10菲啰啉(Bphen)电子传输材料中,研究电子注入和传输能力的变化及其对器件发光性能的影响.结果表明:Li_(2)CO_(3)作为有效的电子注入层,使器件的驱动电压降低1.0 V,发光亮度提高3倍,电流效率提高1倍.Li_(2)CO_(3)掺杂Bphen能进一步改善电子传输性能,提高发光层中的电子浓度,进而改善发光亮度和效率.

一种通过CdS薄层增强电子注入的有机电致发光器件

制备结构为ITO/Mo O3(7nm)/NPB(40nm)/MCP:Fir6(30nm:8%)/MCP:Ir(piq)acac(3nm:1%)/Bphen(40nm)/Cd S(x nm)/Li F(0.5nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件。在常温下研究了Cd S薄层对器件发光性能的影响。相同电压下,具有Cd S薄层结构的器件电流密度明显提高,最大电流效率为14.81 cd/A(6V),最大亮度为8947 cd/m2,对应器件效率为3.93 cd/A。