非静水压作用下石膏电学性质的理论研究

地球内部广泛存在着差应力,这些外在因素的存在影响着矿物的性质,而矿物的电学性质与结构相变息息相关.为了更加了解地球内部结构与动力学过程,采用第一性原理方法,在等效平衡压0~10 GPa范围内计算地球内部浅层矿物石膏在静水压和非静水压条件下的电学性质.计算结果表明:静水压和非静水压条件下无水石膏的密度和带隙变化基本一致,但二水石膏的密度和带隙在非静水压为6 GPa附近发生突变,这可能是由于非静水压环境使晶体结构更容易发生畸变,更有利于水分子氢键网络的重新排列和CaSO_(4)层间结构的塌缩,因此非静水压下可能更加有利于二水石膏在高温高压下的脱水反应.这对理解地幔中矿物的脱水和储水产生重大的影响,为理解地幔中矿物的脱氢和储水提供理论依据.

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10 m in)的样品,样品在400℃的大气中进行1 h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用V an der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.

溅射功率对掺铝氧化锌薄膜光电学性质的影响

利用射频磁控溅射在BK-7玻璃基片上沉积掺铝氧化锌薄膜,研究溅射功率对薄膜光电性能的影响.当溅射功率从250 W增加到400 W时,X射线衍射的结果发现,250 W制备的薄膜只有(002)衍射峰,而300 W以上的样品则出现了新的(101)衍射峰;而且随着溅射功率的增加,(002)峰的强度减弱,(101)峰的强度增强.薄膜的厚度随溅射功率的增加而变厚,电阻率随溅射功率的增加而减小,从200 W功率时的24.6×1-0 4Ωcm减小到400W时的7.2×1-0 4Ωcm.样品在可见光区域的平均光学透射率都大于85%,其光学带隙随载流子浓度的减小而减小.

磷掺杂石墨烯的结构、光谱及电学性质

较高P-掺杂的大表面积的磷掺杂石墨烯(P-TRG)具有比传统的Pd-C催化剂有着更高的氧还原反应(ORR)电催化性能.采用密度泛函DFT/B3LYP方法,在6-31+G(d)基组下,研究了P-TRG分子的结构、红外光谱、电子吸收光谱及各种电离能、电子亲和势和电荷传输重组能.结果表明,P-TRG分子为非平面结构,其S0→S1的跃迁峰位于1163nm处;555nm处的最强吸收峰源于HOMO-10→LUMO、HOMO-6→LUMO+1、HOMO-5→LUMO+1的混合电子跃迁.P-TRG有较大的电离能(7.08eV)和电子亲和势(4.14eV),且空穴重组能(λhole:0.06eV)大于电子重组能(λelectron:0.04eV),有利于接受电子.

ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。

多浓度下泥质砂岩电学性质实验研究

依据多浓度岩石电性实验 ,研究不同浓度下泥质砂岩的束缚水相对体积及其导电特性 ,可以揭示束缚水饱和度和地层水浓度的变化所引起的泥质砂岩导电特性的变化。研究表明 ,不同浓度下的泥质砂岩有不同的束缚水饱和度 ,而且随饱和溶液浓度的增大而减小。束缚水条件下岩石的电阻率受地层水电阻率、束缚水饱和度、泥质附加导电性影响 ,在地层水浓度较低情况下 ,由于较高的束缚水含量和泥质附加导电性 ,岩石的电阻率也可能呈现低电阻率特征。

大尺寸掺硼宝石级金刚石单晶的高温高压合成及电学性质研究

在5.4GPa、1200～1400℃条件下,进行掺硼金刚石单晶的合成研究。成功合成出了重0.2g,径向尺寸达6.0mm的优质掺硼金刚石单晶。考察了合成体系中硼添加量对晶体透光度的影响。利用伏安特性和霍尔测试,得到了掺硼金刚石单晶常温电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率和合成体系中硼添加量的关系。研究发现,随着合成体系中硼添加量的增加,晶体的电阻率和霍尔迁移率都呈下降趋势;霍尔系数随硼添加量的增加先下降后上升。随着硼添加量的增加:晶体常温电阻率下降,表明硼杂质已进入到金刚石晶体中。霍尔迁移率的下降,可能是晶体缺陷增多对载流子散射所致。霍尔系数先减小后增大,这可能与进入金刚石的硼元素量增大及晶体缺陷增多有关。

固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质

本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1．02eV高频C-V和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果表明，在GaAs导带以下0．35eV附近存在着密度为1011／cm2的界面态，这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用．

铜膜厚度对铜膜结构和光电学性质的影响

采用热蒸发方法在玻璃基片上沉积100 nm以内不同厚度的铜薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和分光光度计分别检测薄膜的结构、表面形貌和光学性质,用Van der Pauw方法测量薄膜的电学性质.结果表明,可以将薄膜按厚度划分为区（0-11.5 nm）的岛状膜、区（11.5-32 nm）的网状膜和区（〉32.0 nm）的连续膜.薄膜的表面粗糙度随膜厚的增加,在、区时增加,区时减小.薄膜电阻在区时无法测量,在区随膜厚的增加急剧下降,而在区时随膜厚增加缓慢减小.薄膜的光学吸收与其表面粗糙度密切相关,其变化规律与表面粗糙度的变化相一致.

CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 )衬底生长了具有 (10 0 )和 (111)取向的 Ce O2 外延薄膜 ;研究了 N离子轰击氮化 Si衬底表面处理工艺对 Pt/ Ce O2 / Si结构电学性质的影响 .研究结果显示 ,利用 N离子轰击氮化 Si表面 /界面工艺不仅影响 Ce O2 薄膜的生长结构 ,还可以改善 Ce O2 与

V_2O_5薄膜的电学性质及其应用

综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。

SiO_2对SnO_2·CoO·Nb_2O_5压敏电阻非线性电学性质的影响

对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。

CdCl_2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对ＣｄＳ薄膜用不同浓度的ＣｄＣｌ２溶液处理后在不同温度下退火，发现其暗电导率σｄ和电导激活能Ｅａ随ＣｄＣｌ２溶液的浓度和退火温度的不同而不同，而且用ＣｄＣｌ２处理再退火的样品，暗电导率σｄ随温度Ｔ变化的关系（ｌｎσｄ１０００／Ｔ）为分段直线，对应于不同的Ｅａ．本文就上述结果进行了讨论，并用Ｃｌ－的扩散进行了解释．

(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3铁电薄膜的制备工艺及电学性质研究

采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1h热处理的薄膜性能较好且稳定 :在室温下测得薄膜介电常数为 2 5 0 ,介电损耗为 0 .0 30 ,漏电流密度为 6 .9× 10 -8A/cm2 .较高的介电常数、较低的漏电流密度可能源于良好的纯度和结晶度 .进一步研究表明 ,薄膜导电遵从空间电荷限制电流机制 .

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。

晶体结构对化合物电学性质的影响

化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现象,新性质和新材料,如氧化物高温超导体,稀土半导体,稀土巨磁阻材料等.这些都是电子(空穴)导电的实际应用.而由于新能源探索需适应保护环境的需要,传统的氧离子和质子导体成了人们的首选研究对象,以开发它们在燃料电池、氧分离膜,催化等方面的实际应用.由于不等价置换,价态变化及氧离子具有大的双电荷与阳离子基体的强相互作用及高迁移率,使得大多数的研究工作集中于化合物的结构畸变分析及精化,试图发现新的结构相或者新的电学材料.

InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质

通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。

磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质(英文)

用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm～114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.

低温下多孔硅电学性质研究

在低温下 ( 1 0～ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化 ;二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱 .

表面活性剂HLB值与渣油乳化体系分散性及电学性质的关系研究

为了研究表面活性剂亲水亲油平衡值(HLB值)与渣油乳化体系分散性和电学性质的关系,采用粒径和粒径分布相结合的方法来评价乳化体系的分散性,利用电导率值的变化来反应体系电学性质的差异,以表面活性剂B和A复合成实验用渣油乳化分散剂来分散渣油加氢裂化水溶性盐,考察了表面活性剂HLB值对渣油包盐水体系的分散性和电学性质的影响。结果表明,随表面活性剂HLB值从小到大的变化,不同水溶性盐在同种油中的分散性和电学性质不同,同种盐在不同油中的变化也存在着差异。乳化体系的分散性及电学性质随着HLB值的增加呈非线性变化。