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半导体材料电子非电离能损的分析法计算 被引量:1
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作者 于新 何承发 +6 位作者 郭旗 张兴尧 吴雪 张乐情 卢建 胥佳灵 胡天乐 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期820-825,共6页
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV~200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息... 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV~200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。 展开更多
关键词 电离能损 mott散射截面 林哈德因子 分子动力学模型
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低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损
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作者 周志祥 《电子科技》 2016年第12期191-193,共3页
分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失效主要由非电离能损(NIEL)所诱发。其根本损耗来源为:在低能空间状态下,库仑间的相互作用力将凸显,并逐... 分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失效主要由非电离能损(NIEL)所诱发。其根本损耗来源为:在低能空间状态下,库仑间的相互作用力将凸显,并逐渐占据主导地位。而当前主要采用的散射微分截面法,如Mott-Rutherford型散射法,均无法有效屏蔽核外电子间存在的库仑作用力影响,从而导致大量非电离能损产生。由此,文中结合非电离能损特性及成因,在解析算法基础上结合Monte-Carlo推衍方法,以SRIM程序模拟并推算出较精确的低能质子在半导体材料(以Si、Ga AS为例)中的NIEL数值量级,同时参照薄靶近似思想改良实验。实验数据规律表明,能量总值为1 ke V的低能质子材料中NIEL评测数值量级大约为Ga As质子材料的1/5、Summers数值量级的1/3,这一结果将为航天材质设计和改良提供重要的参考。 展开更多
关键词 低能质子 半导体材料 NIEL非电离能损 Si、GaAs
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低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损研究 被引量:11
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作者 唐欣欣 罗文芸 +5 位作者 王朝壮 贺新福 查元梓 樊胜 黄小龙 王传珊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1266-1270,共5页
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo... 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法,并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑屏蔽效应后的NIEL较没考虑前要小,当能量为1keV时,Si材料中NIEL的值为Summers结果的30%,GaAs材料中为20%,这在航天设计中有着重要的意义. 展开更多
关键词 低能质子 电离能损 砷化镓
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300 eV—1GeV质子在硅中非电离能损的计算 被引量:5
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作者 朱金辉 韦源 +2 位作者 谢红刚 牛胜利 黄流兴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期182-187,共6页
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用... 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用解析方法和TRIM程序计算NIEL;当质子能量位于高能区时,NIEL主要来自质子与靶原子核的弹性和非弹性相互作用,使用MCNPX/HTAPE3X进行模拟仿真计算由核反应引起的NIEL.实现了能量范围为300 eV—1 GeV的质子入射硅时NIEL的计算.计算结果表明,MCNPX/HTAPE3X可用于计算高能质子在材料中产生的反冲核所引起的NIEL,结合解析方法和TRIM程序可计算得到由于库仑相互作用引起的NIEL. 展开更多
关键词 质子 电离能损 库仑相互作用 核反应
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太阳同步轨道电子与质子对卫星的电离和非电离能损 被引量:3
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作者 王传珊 王朝壮 +4 位作者 罗文芸 查元梓 唐欣欣 贺新福 樊胜 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期1013-1017,共5页
空间辐射环境是飞行器寿命的主要限制因素之一。由于空间辐射环境的复杂性,以及飞行器在空间活动的轨道和设计寿命的不同,飞行器需要的抗辐射屏蔽的要求也不同。针对太阳同步轨道所处的空间辐射环境(由AE8和AP8提供该轨道的电子和质子能... 空间辐射环境是飞行器寿命的主要限制因素之一。由于空间辐射环境的复杂性,以及飞行器在空间活动的轨道和设计寿命的不同,飞行器需要的抗辐射屏蔽的要求也不同。针对太阳同步轨道所处的空间辐射环境(由AE8和AP8提供该轨道的电子和质子能谱),采用Monte Carlo方法的PENELOPE和SHIELD软件包进行了模拟计算,研究了卫星所需的辐射屏蔽。根据模拟结果分析发现:在空间环境研究中,除了电离能损引起的总剂量外,由质子的非电离能损引起的位移损伤的影响不可忽略。质子和二次质子对电离能损、中子对非电离能损的贡献最大。 展开更多
关键词 电离能损 电子 质子 屏蔽 MONTE CARLO方法
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中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究 被引量:4
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作者 罗文芸 王朝壮 +3 位作者 贺新福 樊胜 黄小龙 王传珊 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2006年第11期1088-1090,共3页
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一.运用改进的Monte Carlo程序SHIELD,建立了质子的NIEL计算手段,模拟计算了能量范围在10-400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布.
关键词 质子 电离能损 砷化镓
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质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失 被引量:6
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作者 申帅帅 贺朝会 李永宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第18期36-43,共8页
利用蒙特卡罗方法,应用Geant4程序,模拟计算了1—500 MeV质子在碳化硅材料中的非电离能量损失,并研究了不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献.模拟结果表明:在相同质子辐照下,碳化硅材料中的非电离能量损失要比硅、镓等半导体... 利用蒙特卡罗方法,应用Geant4程序,模拟计算了1—500 MeV质子在碳化硅材料中的非电离能量损失,并研究了不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献.模拟结果表明:在相同质子辐照下,碳化硅材料中的非电离能量损失要比硅、镓等半导体材料更小,说明碳化硅器件的稳定性更好,抗位移损伤能力更强;当靶材料足够厚时,在不同能量质子辐照下,材料损伤最严重的区域会随着质子入射能量的增加从质子射程末端逐渐前移到材料表面;不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献表明,在低能质子辐照下,28Si和^(12)C是位移损伤的主要原因,而随着质子能量的增加,通过核反应等过程产生的次级离子迅速增多,并对材料浅层造成严重的位移损伤. 展开更多
关键词 碳化硅 GEANT4 电离能损 位移
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OP604光敏管质子位移损伤效应研究
8
作者 万凯 高洁 牛睿 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期525-530,共6页
光敏晶体管是空间飞行器光电编码器中的重要组成部分,对空间高能质子引起的位移损伤效应较为敏感。文章通过试验获得了光敏管的核心参数输出电流与质子能量、位移损伤剂量、工作状态、屏蔽材料的关系。在50、60、70、92 MeV四种能量的... 光敏晶体管是空间飞行器光电编码器中的重要组成部分,对空间高能质子引起的位移损伤效应较为敏感。文章通过试验获得了光敏管的核心参数输出电流与质子能量、位移损伤剂量、工作状态、屏蔽材料的关系。在50、60、70、92 MeV四种能量的质子辐照下,器件输出电流及光电转换效率最大下降80%。晶体管内部光敏二极管初始光电流的下降和晶体管电流增益的下降共同作用造成了输出电流随位移损伤剂量的增加不断衰减。不锈钢和三明治屏蔽结构对60 MeV能量质子几乎没有遮挡效果。通过提高输入光照强度,增大初始光电流,可以降低位移损伤效应的影响。另外,采用PIN型光电二极管,增大耗尽区面积,也是可行的加固方法之一。 展开更多
关键词 光敏晶体管 高能质子 位移伤效应 电离能损
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C离子对AlGaAs/InGaAs异质结的辐照影响
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作者 王海丽 杨梦婕 +3 位作者 马晓龙 许坤 段向阳 王献立 《郑州航空工业管理学院学报》 2024年第4期66-71,共6页
基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区,仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况,发现随着入射离子能量的增加,电离能比例增加,非电离... 基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区,仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况,发现随着入射离子能量的增加,电离能比例增加,非电离能比例降低,入射离子产生的电离能损远大于反冲原子产生的电离能损,反冲原子产生的声子能损远多于入射离子产生的声子能损;通过仿真还发现,当C离子的能量为800keV时,辐照损伤区在异质结处且在异质结处产生的空位缺陷最多。 展开更多
关键词 C离子辐照 AlGaAs/InGaAs异质结 电离能损 电离能损 空位
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质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究
10
作者 陆建松 王品红 田坤 《数字通信》 2011年第1期60-62,共3页
介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损(NIEL)的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟... 介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损(NIEL)的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。 展开更多
关键词 空间辐射 质子 电离能损 入射深度 超辐射发光二极管
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增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究 被引量:1
11
作者 白如雪 郭红霞 +9 位作者 张鸿 王迪 张凤祁 潘霄宇 马武英 胡嘉文 刘益维 杨业 吕伟 王忠明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期44-50,共7页
针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质... 针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×10^(12)p/cm^(2))剂量的^(60)Coγ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因. 展开更多
关键词 增强型AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 电离能损
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GaN HEMT器件电子辐照效应研究 被引量:5
12
作者 罗尹虹 郭红霞 +2 位作者 张科营 王圆明 张凤祁 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期507-511,共5页
对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电压负向漂移主要是由于AlGaN层中电离辐射产生的俘获正电荷以及... 对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电压负向漂移主要是由于AlGaN层中电离辐射产生的俘获正电荷以及GaN层中非电离能量损失产生的N、Ga空位所引起的。栅电流增加主要是由于非电离能量损失在AlGaN势垒层形成的电子陷阱和俘获正电荷引起TAT效应(trap-assisted tunneling)所导致。 展开更多
关键词 GAN HEMT 电子 电离能损
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MEO轨道辐射环境对Si太阳电池影响研究 被引量:5
13
作者 高欣 杨生胜 +2 位作者 王云飞 冯展祖 李凯 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期931-935,共5页
研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参数的影响,并分析了MEO轨道(高度20,000km,倾角56°)的电子和质子辐射环境,及其穿过不同厚度的石英玻... 研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参数的影响,并分析了MEO轨道(高度20,000km,倾角56°)的电子和质子辐射环境,及其穿过不同厚度的石英玻璃盖片后的衰减谱。研究发现,在没有玻璃盖片的情况下,MEO轨道一年期质子通量会造成电池最大输出功率严重衰退,约为初始值的28%,而一年期电子通量影响很小,仅造成约7%的下降。使用100μm的石英玻璃盖片几乎可以完全阻挡MEO轨道质子辐射的影响,但是对电子辐射的阻挡作用很小。石英玻璃盖片对于屏蔽低能质子对电池辐照损伤是极其重要的。 展开更多
关键词 电离能损 位移伤剂量 太阳电池 MEO
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1.3μm超辐射发光二极管的辐照性能研究
14
作者 田坤 丁鹏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期465-468,共4页
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位移损伤剂量的概念,给出了器件功率衰减与位移损伤剂量的函数关系,对SLD器件在质子辐射条件下的功率衰退做... 研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位移损伤剂量的概念,给出了器件功率衰减与位移损伤剂量的函数关系,对SLD器件在质子辐射条件下的功率衰退做出定量预测。 展开更多
关键词 超辐射发光二极管 电离能损 位移伤剂量
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高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
15
作者 李钰 文林 +2 位作者 周东 李豫东 郭旗 《现代应用物理》 2021年第3期145-150,共6页
针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况。研究表明:高能质子辐照导... 针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况。研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×10^(10) cm^(-2)时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退化表现在热像素的产生。分析发现,60 MeV和100 MeV质子辐照导致暗电流和电荷转移效率的退化可通过NIEL进行等效,而热像素产生则不能等效。因此,在进行高能质子辐照导致CCD性能退化评估时,需重点考察热像素产生情况,且应针对实际应用的辐射环境,使用合适的质子能量进行更具针对性的辐照试验。 展开更多
关键词 高能质子 位移伤效应 电荷耦合器件 电离能损 热像素
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Mechanical properties and wear resistance of medium entropy Fe40Mn40Cr10Co10/TiC composites 被引量:8
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作者 Jian-ying WANG Jing-hua FANG +5 位作者 Hai-lin YANG Zhi-lin LIU Rui-di LI Shou-xun JI Yun WANG Jian-ming RUAN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期1484-1494,共11页
The Fe40Mn40Cr10Co10/TiC (volume fraction of TiC, 10%) composites were synthesized in combination of ball milling and spark plasma sintering (SPS) in the present work. Mechanical properties and wear resistance of the ... The Fe40Mn40Cr10Co10/TiC (volume fraction of TiC, 10%) composites were synthesized in combination of ball milling and spark plasma sintering (SPS) in the present work. Mechanical properties and wear resistance of the Fe40Mn40Cr10Co10/TiC composites were individually investigated. It was found that TiC particles homogenously distributed in the Fe40Mn40Cr10Co10/TiC composite after being sintered at 1373 K for 15 min. Meanwhile, grain refinement was observed in the as-sintered composite. Compared with the pure Fe40Mn40Cr10Co10 medium entropy alloy (MEA) matrix grain, addition of 10% TiC particles resulted in an increase in the compressive strength from 1.571 to 2.174 GPa, and the hardness from HV 320 to HV 872. Wear resistance results demonstrated that the friction coefficient, wear depth and width of the composite decreased in comparison with the Fe40Mn40Cr10Co10 MEA matrix. Excellent mechanical properties and wear resistance could offer the Fe40Mn40Cr10Co10/TiC composite a very promising candidate for engineering applications. 展开更多
关键词 TIC Fe40Mn40Cr10Co10/TiC composites mechanical properties wear resistance spark plasma sintering
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闪烁光纤量能器单元模型的宇宙线测试 被引量:1
17
作者 周莉 夏小米 +3 位作者 赖元芬 尚雷 王曼 吕军光 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第5期532-536,共5页
介绍闪烁光纤量能器单元模型宇宙线测试采用的简易实验装置和测量步骤 ,以及实验数据的分析处理方法 .对来自意大利KLOE的铅 -光纤量能器单元模型进行了宇宙线测试 ,对实验数据进行了分析和修正 ,给出了该单元模型的时间分辨 (2 5 2ps)... 介绍闪烁光纤量能器单元模型宇宙线测试采用的简易实验装置和测量步骤 ,以及实验数据的分析处理方法 .对来自意大利KLOE的铅 -光纤量能器单元模型进行了宇宙线测试 ,对实验数据进行了分析和修正 ,给出了该单元模型的时间分辨 (2 5 2ps)和位置分辨 (4 .1cm)等参数 . 展开更多
关键词 闪烁光纤量能器 最小电离能损 时间分辨 位置分辨 宇宙线测试
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MRPC探测不同带电粒子的输出信号与工作气体中dE/dx之间的关系
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作者 李昕 邵明 +2 位作者 李澄 陈宏芳 唐泽波 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2007年第4期377-383,共7页
由28个多气隙电阻板室(MRPC)模块组成的探测阵列-STAR/TOFr,在相对论重离子对撞机(RHIC)实验上获得了大量的数据.利用质心能量62.4GeV Au+Au对撞的实验数据,分析了MRPC探测不同带电粒子(K介子、π介子、质子等)时的输出信号与气体中... 由28个多气隙电阻板室(MRPC)模块组成的探测阵列-STAR/TOFr,在相对论重离子对撞机(RHIC)实验上获得了大量的数据.利用质心能量62.4GeV Au+Au对撞的实验数据,分析了MRPC探测不同带电粒子(K介子、π介子、质子等)时的输出信号与气体中的电离能损(dE/dx)之间的关系,给出了MRPC的气体电离和雪崩放大一些新的实验结果.为了进一步解释实验结果,针对工作条件下MRPC输出信号的特点,对MRPC的气体电离和雪崩过程进行Monte Carlo模拟,深入探讨了影响MRPC输出信号幅度的原因. 展开更多
关键词 多气隙电阻板室 飞行时间探测器 电离能损 粒子识别
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Energy loss of tens keV charged particles traveling in the hot dense carbon plasma
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作者 ZhenGuo Fu ZhiGang Wang +2 位作者 Bin He DaFang Li Ping Zhang 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期65-72,共8页
The energy loss of charged particles, including electrons, protons, and α-particles with tens keV initial energy E0, traveling in the hot dense carbon(C) plasma for densities from 2.281 to 22.81 g/cm3 and temperature... The energy loss of charged particles, including electrons, protons, and α-particles with tens keV initial energy E0, traveling in the hot dense carbon(C) plasma for densities from 2.281 to 22.81 g/cm3 and temperatures from 400 to 1500 eV is systematically and quantitatively studied by using the dimensional continuation method. The behaviors of different charged particles are readily distinguishable from each other. Firstly, because an ion is thousands times heavier than an electron, the penetration distance of the electron is much longer than that of proton and α-particle traveling in the plasma. Secondly, most energy of electron projectile with E0 < 100 keV deposits into the electron species of C plasma, while for the cases of proton and α-particle with E0 < 100 keV,about more than half energy transfers into the ion species of C plasma. A simple decreasing law of the penetration distance as a function of the plasma density is fitted, and different behaviors of each projectile particle can be clearly found from the fitted data.We believe that with the advanced progress of the present experimental technology, the findings shown here could be confirmed in ion-stopping experiments in the near future. 展开更多
关键词 stopping power BPS model inertial confinement fusion dense plasmas
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