期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究 被引量：1
1
作者 韩聚广 张鹏飞 《科学技术与工程》 2003年第3期310-311,共2页
半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
关键词 硅半导体团簇 电子结构 电荷转移微观机制 稳定性 过渡金属 AG IR RE 搀杂
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部