电镀填孔工艺影响因素之探讨

分别从化学、物理及基板三方面探讨了影响电镀填孔工艺的一些基本因素。

不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。

HDI印制电路板水平脉冲电镀填孔技术的研究

目前HDI印制电路板盲孔电镀填孔通常是采用水平电镀加垂直连续电镀填孔然后再减铜的方法,该方法工序复杂、耗时长且浪费电镀液。相反采用水平脉冲电镀填孔技术,可以简化工序,不需要减铜,节约了成本。本文主要采用水平电镀+水平填孔的方式实现一阶盲孔填孔,进行正交试验获取最佳的工艺参数,并通过金相显微切片观察和热应力测试来分析盲孔填孔效果。研究结果表明采用优化后参数进行水平电镀填孔,可以实现可靠的盲孔填孔,同时控制Dimple<10 m,超出了IPC标准Dimple<15 m的要求。

电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨

超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。

激光微孔电镀填孔空洞研究

电镀填孔以厚径比来定义工艺能力.理论上当厚径比小于能力规定值时,电镀填孔以超等角沉积方式进行填充,最后形成无空洞的镀层.实际上当厚径比小于规定值时,激光微孔(≤100μm)电镀填孔会出现空洞问题.文章引入实际厚径比概念,分析实际厚径比增大是盲孔填孔空洞的主要原因.提出以实际厚径比来定义电镀填孔工艺能力,并进行能力界定.

添加剂副产物对电镀填孔的作用机理研究

文章制备了单组份添加剂副产物,并采用恒电流法,通过阴极电位变化值φ与最大极化电位来表征单组份添加剂副产物,结合相应的电镀填孔试验,分析其对电镀填孔的影响,建立了添加剂副产物对电镀填孔的作用机理模型。

霍尔槽实验在电镀填孔中的应用

通过对霍尔槽规格设置和填孔铜槽槽液调整,用霍尔槽实验确认电镀铜填孔槽光泽剂和整平剂浓度。

电镀填孔凹陷偏大不良的改善

电镀填盲孔技术是高密度互连(HDI)板制作最关键、最重要的技术之一,而凹陷偏大会影响后续工艺进行甚至电路板的性能。本文针对一种在垂直连续电镀填孔中出现的底部凹陷偏大进行深入研究,通过对设备排查及调整,最终彻底解决问题,为制程改善提供依据。

PCB填孔电镀盲孔单点漏填的改善

针对填孔电镀中遇到的一种盲孔单点漏填的问题,进行了深入的分析研究,通过对比验证,找出了问题的根源。结果表明:单点漏填的原因是异物阻镀,而异物来自于前处理导条的包胶材料,将其拆除后问题得到解决。

填孔电镀不良能力提升研究

随着电子产品朝高速化、高频化、高密度方向的发展,印制电路板的盲孔填孔工艺越来越受到大家关注。目前,盲孔填孔电镀面临的最大问题是填孔深度不符,其中填孔深度不符的缺陷大部分是填孔漏填。造成填孔漏填的原因是填孔电镀的驱动力不足,导致起镀时间延后与爆发阶段受阻。填孔漏填会影响到产品的交付品质,而且一旦流入到客户端产品上将产生严重不良影响。控制填孔漏填的关键方法是在前处理、铜缸温度、电流分布,改善除油浓度、铜缸温度和电流分布环节中提升填孔电镀的深镀能力。

填孔覆盖电镀拐角裂纹改善研究

针对填孔覆盖电镀(POFV)产生的拐角裂纹问题,系统研究了塞孔树脂的热膨胀系数、包覆铜厚度、盖覆铜厚、电镀线延展性等对冷热循环后填孔覆盖电镀设计拐角可靠性的影响。借助金相显微镜对拐角裂纹失效影响因素进行失效分析,同时利用冷热循环测试设备测试循环次数。结果表明:增加包覆铜厚度对填孔覆盖电镀的拐角裂纹有明显的改善作用;选择延展性好的电镀线及低膨胀系数塞孔树脂对填孔覆盖电镀的拐角裂纹无明显改善效果。

PCB背钻填孔覆盖电镀连接盘的结合强度研究

为了提升背钻印制电路板(PCB)的布线密度,通过填孔覆盖电镀(POFV)工艺,在背钻孔位置设置连接盘,研究不同结合面材料(基材、基材铜及塞孔树脂等)、孔盘偏置情况与加工方式对连接盘结合强度的影响,并从机理上进行解释。通过验证不同研磨方式、去钻污方式、沉铜方式的互相组合,得到在最佳的工艺组合下,以基材铜或塞孔树脂为结合面材料时背钻位置,连接盘抗剥强度满足客户要求。

提高电镀填盲孔效果的研究

随着电子产品的持续发展,HDI印制电路板的应用越来越广泛,本文通过正交实验优化电镀填孔工艺参数,并通过控制变量法研究了通孔孔径及位置对盲孔电镀填孔效果的影响,并以金相显微镜分析盲孔的凹陷度作为考察指标。研究结果表明采用优化参数能够降低盲孔填充凹陷度,通孔对盲孔的填孔电镀效果会产生影响,随着通孔孔径的增大,对盲孔的填孔电镀越有利,同时实验还发现,若在孔金属化后通孔孔壁与盲孔底部铜层电导通有利于盲孔的填孔。

高深径比TSV填孔电镀技术

随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。

高密度互连印制板电镀填盲孔技术

主要介绍了电镀填盲孔的过程机理和影响填孔效果的因素,重点探讨了电镀设备、电镀参数、添加剂等对电镀填孔效果的影响,突出讲解了电镀填盲孔技术的控制重点和难点等内容。

添加剂在电镀填微盲孔不同阶段作用机理研究

通过研究新一代填孔药水的填孔过程,验证了分阶段式的电镀填微盲孔过程。在此基础上,采用控制断电流法着重研究了填孔过程前两个阶段添加剂对电镀填孔的作用情况。结果发现,在填孔起始期断电流对填孔品质的影响要大于在爆发期内断开电流,且不同的断电流持续时间对填孔影响有较大差异。文章从添加剂作用的角度分析了引起填孔差异的原因,加深对电镀填孔不同阶段添加剂作用机理的理解。

垂直电镀线盲孔填充技术探究

电镀填盲孔工艺由于其特殊性,对设备的要求较高,行业内大多采用VCP、水平电镀线等先进的设备来完成。但该类设备造价昂贵、普及率较低,造成其推广应用十分受限。文章主要介绍一种通过对传统垂直电镀线进行一定的改造,并对相关项目进行有效控制,从而达到了较好填充效果。

填孔电镀光剂研究进展

文章简述了填孔电镀的机理模型,分析了光亮剂、整平剂和载运剂的作用及失效机制,以期加深广大PCB业者对盲孔填孔电镀技术的了解。

填孔电镀漏填原因及流程选择研究

文章介绍印制电路板填孔电镀工艺过程中,盲孔漏填,空洞等问题产生的原因,根据可能存在的原因分析给出了改善此类缺陷的方向。

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。