卫星真空烘烤试验方案及验证

为降低非金属材料在试验中大量出气及产生的分子污染,文章从非金属材料挥发和凝结特性、国内外卫星真空烘烤试验的实施现状等方面进行分析,提出了卫星热真空试验前进行真空烘烤试验的方案,方案中给出了试验剖面、试验温度、试验时间以及试验压力等参数要求。在某卫星上的试验验证结果表明,该方案合理可行,有效改善了星内真空度,降低了星内污染。完成真空烘烤后的卫星在热真空试验中未发生射频组件低气压放电现象,说明真空烘烤试验能够有效防止对真空度和分子污染敏感的设备在试验中可能产生的故障。

双真空烘烤排气台的研制及应用

分析了放电管稳定试验前的烘烤排气对等离子体焦点装置试验结果的影响 ,介绍了双真空烘烤排气台的原理和结构设计 ,并利用试验数据说明了该排气台在等离子体焦点装置试验中的重要性 ,在实际应用中具有潜在的实用价值。

高度污染敏感有效载荷的真空烘烤技术

对分子污染高度敏感的航天产品,如光学相机、CCD成像系统等,真空烘烤是有效的污染控制手段。文章介绍了真空烘烤设备的结构和技术指标,并详细地描述了具体的烘烤程序,以满足航天器洁净度等级的要求。

HL-2M真空烘烤系统工程设计与介质流量分析

从工艺、结构和设备几个方面对HL-2M真空烘烤系统进行设计。在定流量工况下进行仿真分析。在总流量2.5kg⋅s^(-1),真空室流量2.1kg⋅s^(-1),偏滤器流量0.21kg⋅s^(-1)下,验证了系统的烘烤效果。

航天器电缆网热真空烘烤特性研究

国内将加工完成的整套航天器电缆网产品进行热真空烘烤。而NASA在电缆网加工前,将导线、电连接器分别进行热真空烘烤试验,且试验条件与国内也存在较大差异。因此,为了摸清国内外试验条件对热真空烘烤效果的影响,开展了对比试验研究,并根据国内具体情况,对试验条件进行了调整,通过对试验结果进行比较分析,得出了合适的电缆网热真空烘烤方式及试验条件。

HL-2M装置真空烘烤控制系统概述

HL-2M真空烘烤系统采用两台可编程逻辑控制器(PLC)构成一个自动控制系统,根据工艺要求编制相应逻辑程序来控制各执行机构,实现对系统加热器电功率、换热器热负荷以及阀门开度的程序调节,达到±2℃温升梯度的烘烤目的。PLC与阀岛建立工业以太网(Profinet)通信协议,通过地址映射的方式控制进出真空室和偏滤器的开关阀,调整烘烤系统的负载投入。

用于结构与机构去污染的真空烘烤设备

为了防止空间结构与机构产品中的非金属材料对航天器造成污染,要在产品装配前去除其中的可挥发性物质,需对产品进行真空烘烤清洁处理,因此研制了一套结构与机构防污染的真空烘烤设备。该套设备主要包括真空容器、热沉、真空抽气系统、氮系统、去污染系统、电气控制系统等。文章对该设备的系统组成、主要性能指标及使用功能进行了详细的说明。

密封微电子器件真空烘烤工艺研究

重点讨论气密封装微电子器件真空烘烤工艺,首先介绍了影响气密封装微电子器件内部气氛的主要因素,这些因素形成的原因以及对气密封装微电子器件的危害。影响气密封装微电子器件可靠性及稳定性的内部因素主要是水汽。分析消除气密封装微电子器件内部水汽及污染物的原理及方法,并详细分析如何通过选择温度、真空度、氮气、烘烤时间以及循环次数等工艺参数,在封装之前对气密封装微电子器件(在-55~125℃范围内释气)进行真空烘烤循环工艺处理,来消除器件内部的水汽及表面吸附的污染物。

双真空烘烤排气台的研制及应用

为了解决DPF实验中经常出现的首次中子产额不稳定、中子波形经常出现双峰以及每次充氘后稳定放电实验次数较少的问题，特地研制了双真空烘烤排气装置。

MPC在EAST真空室烘烤中应用研究

烘烤系统作为EAST(Experimental Advanced Superconducting Tokamak)重要的支撑系统之一,存在大时滞和模型不精确等问题,难以实现稳定控制烘烤温度。因此本文提出将MPC(Model Predictive Control)方法应用于烘烤系统,首先通过理论推导和曲线拟合方法构建了烘烤设备和烘烤环节模型。其次基于烘烤系统模型设计预测控制器和控制方案流程,最后在烘烤平台上验证控制方法的有效性。在稳定烘烤期间,真空室烘烤温度波动小于6℃,并且加热器输出功率平稳,功率波动小于1 kW。实验结果表明MPC方法能够稳定控制真空室烘烤温度,并满足真空室烘烤要求。

激光系统用密封圈除气对真空光学元件性能影响

光学真空系统内的非金属材料出气会产生分子态污染,导致光学元件的透过率降低,进而会加剧激光诱导损伤,降低高功率激光装置的负载能力。提出对通光环境内的密封材料进行优选,开展热真空烘烤实验研究。结果表明,氟橡胶246出气量较小,温度对材料除气效果影响较大,且密封圈经过真空烘烤除气对光学特性影响较低,与密封圈不进行真空烘烤处理相比,紫外段平均透过率变化减少1个数量级,平均损伤密度降低了56%。该技术可应用于高功率激光装置精密洁净领域和其他精密光学洁净系统。

RH真空槽高效顶枪烘烤技术的研究与应用

在烘烤盖+多功能顶枪的RH真空槽烘烤工艺中,多功能顶枪烘烤时存在诸多问题:燃气比例匹配失调、燃气流量控制系统PID参数整定困难、定枪位烘烤且枪位不合理和氮气保护气体使用不当。这时常导致安全事故、耐材烧损与开裂严重、燃气耗费量较大、设备机械性能下降、维修率提高等不利现象发生。为此,中国重型机械研究院股份公司从燃气混合技术、PID流量调节技术、多串级闭环烘烤控制技术、变时长变流量多枪位循环加热技术和氮气保护技术等多方面进行研究,总结出新型RH真空槽高效顶枪烘烤技术。并应用于国内某钢厂的120 t RH真空槽烘烤工艺,生产顺利,作业率高,成本低,使用效果良好。

双真空烘烤排气台的研制

分析了放电管稳定试验前的烘烤排气对等离子体焦点装置（DPF）试验结果的影响，介绍了双真空烘烤排气系统的设计思路和结构设计，试验结果说明了该装置在等离子体焦点装置试验中的重要性，具有潜在的实用价值。

热真空试验中分子污染敏感单机的失效机理及对策

卫星大量应用的电缆塑料绝缘层、粘结剂、导热硅脂等非金属材料,在热真空试验过程中逐渐出气并产生分子污染物,可能会造成敏感单机失效的问题。文章对失效机理进行了理论分析,根据总离子流色谱图确定了分子污染物的成分,由此提出利用真空烘烤试验加速星内非金属材料的出气,同时通过真空静置提高星内真空度的方法,以解决微波开关等分子污染敏感单机在热真空试验中可能发生的失效问题。试验结果表明,失效机理分析准确,提出的措施有效。文章提出的防护对策,已在卫星研制过程中得到推广应用。

兰州重离子冷却储存环10-10 Pa 大型超高真空系统

形成并成功地实施一套完整的超高真空获得方案,以满足兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSL)6×10-9Pa超高真空度的要求.这套方案包括合理选择和配置真空排气系统及其他设备、合理选择材料、采用真空炉除气及在线烘烤等有效措施及大幅度降低材料出气率等.首先在样机上获得了5×10-10Pa的超高真空度,然后将样机的成功经验应用于HIR-FL-CSR大型超高真空系统.目前,已建成的各子系统真空度达到了(2×10-9～4×10-10)Pa.

SiC粒子真空处理对铸造铝基复合材料制备过程的影响

研究了真空烘烤SiC粒子对铸造铝基复合材料制备过程的影响。用四极质量分析仪分析了SiC表面吸附的气体。提出了SiC表面吸附的气体是妨碍它在铝合金熔体中均匀分散的主要原因的观点。

兰州重离子冷却储存环超高真空系统首台样机的研制

介绍了兰州重离子冷却储存环 (HIRFL -CSR)超高真空系统首台样机的研制过程 ,给出了实验结果。介绍各真空室结构 ,对关键标准设备进行了测试与选型。根据实验结果估算出极限真空条件下材料的表面出气率 ;根据公式估算出钛升华泵的有效抽速并通过实验得到证实 ;对真空烘烤装置的初步工作也作了介绍。样机达到了 3× 10 -9Pa的设计指标 ,结果表明HIRFL

真空灭弧室瓷壳黄斑的形成机制及消除措施

对黄斑瓷壳和正常瓷壳进行了电性能测试、化学及烧氢烘烤等一系列试验,证明了高压老炼后真空灭弧室瓷壳黄斑的形成是由于氧化铝晶格配位结构的变化引起的,它不影响真空灭弧室的电气性能,而且加热至650℃后即可消除。

混合集成电路元器件的黏接渗胶问题研究

混合集成电路通过黏接剂实现元器件与基板的连接。但该过程中存在渗胶问题,即黏接剂中的相关组分溢流至引线框架的键合区,导致键合丝的键合强度下降或无法键合,从而引起电路连接问题。研究厚膜多层基板和白陶瓷基板在黏接工艺中的渗胶问题,揭示了渗胶现象与残留在气相清洗液中的助焊剂之间的关联规律,并提出了1种能够有效改善黏接剂渗胶程度的工艺措施,进而解决混合集成电路黏接工艺的渗胶问题。

EAST PFCs气流烘烤设计及流体与传热计算

根据聚变反应对真空度的要求,在EAST超导托卡马克装置中采用气流烘烤技术来实现对PFCs的真空烘烤。对PFCs烘烤进行了原理设计,对介质气体的参数进行了选择,分析并计算了烘烤时PFCs内部气体流动和传热状况,最后给出了模拟结果。