真空热蒸发法制备碘化亚铜薄膜在钙钛矿电池中的应用

γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种宽带隙p型半导体材料,禁带宽度为3.1eV,适合应用于LED和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的真空热蒸发法制备了CuI薄膜,探究了不同的沉积速率对CuI薄膜的光学和电学性能影响。在最优的沉积速率下,制备出了高性能的CuI薄膜。利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为11.69%,并讨论了CuI薄膜的性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。

酞菁铜薄膜的真空热蒸发制备及其性能

用真空热蒸发法在玻璃基板上制得酞菁铜 (CuPc)薄膜。用原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及红外光谱仪等分析了酞菁铜薄膜的结构特征 ,并对薄膜的沉积机理进行了探讨。通过与L B(Langmuir Blodgett)法的比较 ,发现用真空热蒸发法制备的酞菁铜薄膜结构。

真空热蒸发镀膜法制备三维微纳米铝碳复合负极及其储锂性能

为提高金属铝作为锂离子电池负极材料的循环稳定性,以真空热蒸发镀膜法这一可控程度较高的物理方法在三维结构碳基底上制备三维铝碳复合微纳米结构。SEM和EDX对材料的表征结果表明,通过对基底材料的合理选择、蒸镀方法的合理调控,可在三维碳基底上获得厚度适当的微纳米级别金属铝活性材料。对其进行的电化学测试表明,在三维碳基底上包覆金属铝所得到的负极材料在获得较好的容量提升的同时也具有良好的循环稳定性。

HC(NH2)2PbI3钙钛矿薄膜单源真空热蒸发制备及性能表征

采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、分光光度计、荧光光谱仪和霍尔系数测试仪等,对单源真空热蒸发法直接制备的钙钛矿太阳电池吸收层HC(NH_2)_2PbI_3薄膜的晶化和微观结构以及表面形貌、化学元素计量比、光学和电学性能进行表征分析.结果表明,单源真空热蒸发法制备的HC(NH_2)_2PbI_3薄膜表面均匀、致密且平整,薄膜结晶度高,具有典型的钙钛矿晶体结构,薄膜的化学成分符合HC(NH_2)_2PbI_3薄膜的理想化学计量比,其禁带宽度为1.5 e V,满足钙钛矿太阳电池用薄膜的光学性能,将直接有利于钙钛矿太阳电池效率的提高.

CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响

酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外-可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.

γ-CuI超快闪烁转换屏的制备与性能表征

以石英基片为衬底,采用真空热蒸发法,通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构、柱径在μm量级、厚度约17μm的γ-CuI超快闪烁转换屏。在X射线激发下,所制备的γ-CuI超快转换屏具有峰位在430nm的快成分发射峰和峰位在700nm的慢成分发射带,其中快成分发射峰占总发光的主要部分;随着衬底温度由170℃升高至210℃,转换屏430nm发射峰的强度会逐渐减弱,而700nm发射带的强度则逐渐增强,这可能是由于较高的衬底温度会造成碘流失从而引起转换屏中碘空位增加、铜空位减少所致(Cu/I增大),碘流失的假设得到了卢瑟福背散射实验的验证。γ-CuI超快转换屏的晶体结构呈(111)晶面择优取向,且不随衬底温度而变化,当衬底温度升高至210℃时,由于CuI分子获得的动能增加,转换屏还会出现微弱的(220)和(420)晶面的取向。当衬底温度由170℃增至190℃时,转换屏的微柱结构会随之优化,微柱结构明显,但当衬底温度进一步增至210℃时,由于表面扩散和体扩散效应加剧,微柱结构会随之退化。最后,采用刃边法测量了所制备γ-CuI转换屏的空间分辨率,结果显示170,190和210℃衬底温度条件下所制备的转换屏,其空间分辨率分别为:4.5,7.2和5.6lp·mm-1,微柱结构有助于提高转换屏的空间分辨率。