计算晶胞能量确定砷化锗镉晶体的吸收缺陷

目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果:根据计算锗占砷位晶胞能量最低。结论:锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收。

黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。

发现三维量子霍尔效应

复旦大学物理学系修发贤课题组在拓扑半金属砷化镉纳米片中观测到了由外尔轨道形成的新型三维量子霍尔效应的直接证据。2018年12月17日,相关研究成果在线发表于Naturec.

新合成三维材料具有超强导电性能

＂足球比赛需要替补,材料也一样。＂日前多个国际研究团队先后发表论文称,合成出一种能够替代石墨烯的三维材料。据称这种材料的电气性能与石墨烯相当,且更便于生产,有望借此制造出运行速度更快的晶体管、传感器和透明电极。石墨烯可谓是材料界当红巨星,各种美誉不绝于耳,各种应用吊足了人们的胃口。但与此同时,其独特的单层原子结构也为原料的大规模生产和实用产品的制造设置了障碍。因此,科学家们一直在寻找一种既有石墨烯的本事又便于加工的三维材料。

英美科学家成功合成出一种能够替代石墨烯的三维材料

据称这种材料的电气性能与石墨烯相当,且更便于生产,有望借此制造出运行速度更快的晶体管、传感器和透明电极。石墨烯可谓是材料界当红巨星,各种美誉不绝于耳,各种应用吊足了人们的胃口。但与此同时,其独特的单层原子结构也为原料的大规模生产和实用产品的制造设置了障碍。因此,科学家们一直在寻找一种既有石墨烯的本事又便于加工的三维材料。新合成的材料名为砷化镉,在电气性能上可以被看作是石墨烯的3D版。

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发半导体介质ＣｄＳ，将Ｃｕ团簇包埋在ＣｄＳ介质中，制备出金属颗粒半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：ＣｄＳ很好地包埋了Ｃｕ团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在５—２０ｎｍ，Ｃｕ晶格发生了膨胀。

玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征

半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析(英文)

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分。计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合。CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性。此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,Cd–As键的共价性要强于Ge–As键的。