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硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析 被引量:6
1
作者 邓晓清 杨沁清 +2 位作者 王红杰 胡雄伟 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1196-1200,共5页
使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布 ,结果表明波导主要受横向压应力影响 ,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近 .根据波导的应力分布 ,得出波导的折射率分布 ,并使用 ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率 .比较考... 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布 ,结果表明波导主要受横向压应力影响 ,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近 .根据波导的应力分布 ,得出波导的折射率分布 ,并使用 ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率 .比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出 :波导的双折射效应主要是由于波导应力引起的 。 展开更多
关键词 偏振相关性 数值分析 有限元 应力 硅基二氧化硅波导 双折射效应
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硅基二氧化硅阵列波导光栅的研究进展 被引量:4
2
作者 欧海燕 杨沁清 +1 位作者 王启明 胡雄伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期159-164,共6页
阵列波导光栅( A W G) 是( 密集) 波分复用技术的关键器件之一。提高 A W G 器件的性能和拓展 A W G 器件的功能是 A W G 器件发展的两大方向。综述了 A W G 的串扰、波长响应展宽和偏振特性的优化措施,以及以 A ... 阵列波导光栅( A W G) 是( 密集) 波分复用技术的关键器件之一。提高 A W G 器件的性能和拓展 A W G 器件的功能是 A W G 器件发展的两大方向。综述了 A W G 的串扰、波长响应展宽和偏振特性的优化措施,以及以 A W G 为基本器件构成的多种功能模块,如16 路上路/ 下路复用器。 展开更多
关键词 硅基二氧化硅波导器件 阵列波导光栅 波分复用
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硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析 被引量:2
3
作者 邓晓清 杨沁清 +2 位作者 王红杰 胡雄伟 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1303-1307,共5页
使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性 .结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性 .采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力 ,可以... 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性 .结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性 .采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力 ,可以影响芯区附近的应力分布 ,但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性 ,增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性 ,但效果较差 .调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题 ,而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小 . 展开更多
关键词 双折射效应 补偿理论 硅基二氧化硅波导 偏振补偿 应力释放槽 热膨胀系数
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硅基二氧化硅波导阵列相位控制芯片 被引量:6
4
作者 颜跃武 安俊明 +6 位作者 张家顺 王亮亮 李建光 王红杰 吴远大 尹小杰 王玥 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1-8,共8页
设计并制作了硅基二氧化硅波导阵列相控芯片,该芯片由分束单元、相位调制单元、输出波导阵列三部分构成,分束单元采用三级1×2的光分束器级联而成,相位调制单元采用热光调制方式,输出部分包含8根密集阵列波导.8根波导输出的光在远... 设计并制作了硅基二氧化硅波导阵列相控芯片,该芯片由分束单元、相位调制单元、输出波导阵列三部分构成,分束单元采用三级1×2的光分束器级联而成,相位调制单元采用热光调制方式,输出部分包含8根密集阵列波导.8根波导输出的光在远场发生干涉,形成扫描光束,加电后通过二氧化硅热光效应,折射率变化0.027%(0.000 4)时,扫描光束偏转5.5°.该波导相控阵列采用2.0%超高折射率差的硅基二氧化硅波导为材料,经等离子体增强化学气相沉积法进行材料生长及退火,再经电感耦合等离子体干法刻蚀技术进行刻蚀,最后切割抛光制作而成.测试结果表明,静态下该芯片8条输出阵列波导形成清晰干涉光斑,在电压达到130V时,热调制相位后,光斑移动5.5°. 展开更多
关键词 光子器件 光学相控阵 硅基二氧化硅 热光调制 不等间距波导
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1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制 被引量:2
5
作者 龙文华 李广波 +5 位作者 贾科淼 屈红昌 唐衍哲 吴亚明 杨建义 王跃林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1798-1803,共6页
采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB. 展开更多
关键词 阵列波导光栅 硅基二氧化硅 光波导 光波分复用器/解复用器 集成光学
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小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅(英文) 被引量:6
6
作者 王文敏 刘文 马卫东 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1137-1142,共6页
随着阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)型器件在光通信系统中的大规模应用,对低成本AWG芯片的需求越来越多.在各种降成本方案中,减小AWG芯片的尺寸是最有效的方法之一.本文介绍了一种新型小尺寸低折射率差硅基二氧化硅AWG的... 随着阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)型器件在光通信系统中的大规模应用,对低成本AWG芯片的需求越来越多.在各种降成本方案中,减小AWG芯片的尺寸是最有效的方法之一.本文介绍了一种新型小尺寸低折射率差硅基二氧化硅AWG的设计.在该AWG中,输入波导/输出波导与平板波导连接的部分制作成两侧为空气槽的高折射率差波导,所以在与输出平板波导连接处的相邻输出波导间距较小,这样可以在设计上缩短平板波导的长度、减少阵列波导的数量,实现较小的AWG芯片尺寸.该AWG的其它部分,如输入/输出波导与光纤耦合的部分、阵列波导光栅等均采用常规的低折射率波导工艺,所以就同时具有与常规的低折射率波导AWG相同的优点:如低耦合损耗、较好的串扰以及光学特性等.根据这个原理,设计了一种40通道100GHz频率间隔的低折射率差硅基二氧化硅AWG,其芯片尺寸只有23.88mm×10.5mm,是传统相同材料制作的AWG尺寸的1/6. 展开更多
关键词 空气槽 阵列波导光栅 通带宽度 硅基二氧化硅技术
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硅基二氧化硅20通道循环型阵列波导光栅制备 被引量:2
7
作者 张家顺 安俊明 +3 位作者 孙冰丽 陈军 胡炎彰 单崇新 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期233-242,共10页
采用硅基二氧化硅材料,针对G.698.4标准,设计并制作了适用于5G前传的20通道循环型阵列波导光栅,通道间隔为100 GHz。相较于传统的周期性阵列波导光栅结构,采用的2×20循环型阵列波导光栅结构可实现通道波长的严格对准,且插损均匀性... 采用硅基二氧化硅材料,针对G.698.4标准,设计并制作了适用于5G前传的20通道循环型阵列波导光栅,通道间隔为100 GHz。相较于传统的周期性阵列波导光栅结构,采用的2×20循环型阵列波导光栅结构可实现通道波长的严格对准,且插损均匀性更高。另外,采用指数型锥形波导取代矩形多模干涉结构以实现阵列波导光栅通带平坦化,减小因波导结构上的突变带来的损耗,且不带来光谱性能的恶化。通过机械补偿无热封装后,制备的20通道循环型阵列波导光栅模块损耗约为5.5 dB,在-40℃/25℃/80℃三温温度变化时,波长偏移量在-40~80 pm范围内。该无热模块具有小型化、低成本、大规模化生产的优势,可广泛应于5G前传网络。 展开更多
关键词 光波导 阵列波导光栅 硅基二氧化硅 5G前传 无热封装
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Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析
8
作者 杨淑英 安俊明 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期650-654,共5页
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM)对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水... 采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM)对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水平方向和垂直方向所受应力趋于一致,双折射系数B可小于10-4;Si衬底背面氧化层的存在使双折射系数略有增大,但随氧化层厚度的增加可减缓其增加量. 展开更多
关键词 硅基二氧化硅波导 应力 双折射 数值分析
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硅基二氧化硅阵列波导光栅制作工艺的研究 被引量:12
9
作者 郎婷婷 林旭峰 何建军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期97-102,共6页
硅基二氧化硅阵列波导光栅是集成化波分复用光网络中的核心器件之一。对其制作工艺的研究对提高器件的性能具有重大意义。提出一种在波导上包层使用硼锗共掺高温退火的工艺方法,成功实现阵列波导间空隙的填充,并将阵列波导光栅的插入损... 硅基二氧化硅阵列波导光栅是集成化波分复用光网络中的核心器件之一。对其制作工艺的研究对提高器件的性能具有重大意义。提出一种在波导上包层使用硼锗共掺高温退火的工艺方法,成功实现阵列波导间空隙的填充,并将阵列波导光栅的插入损耗成功降低约2 dB。相对于传统的硼磷硅玻璃工艺,此方法避免了剧毒气体磷烷的使用,工艺简便安全,同时降低了成本。最后,通过对光刻、增强型等离子体化学气相沉积法(PECVD)薄膜沉积、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和高温退火回流等工艺步骤的改进、完善和优化,实现了额外损耗约为1.5 dB的阵列波导光栅。 展开更多
关键词 集成光学 平面光波导器件 硼锗共掺高温退火 阵列波导光栅 硅基二氧化硅光波导
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硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析 被引量:3
10
作者 欧海燕 雷红兵 +3 位作者 杨沁清 王红杰 王启明 胡雄伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期122-124,共3页
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯... 从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。 展开更多
关键词 偏振 线双折射 硅基二氧化硅光波导器件
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低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析
11
作者 安俊明 李健 +4 位作者 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期183-185,共3页
采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表... 采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表明,侧向硅层的存在可平衡硅基二氧化波导在水平方向与垂直方向的应力,减小这两个方向上的应力差,有助于减小硅基二氧化硅光波导的应力双折射. 展开更多
关键词 硅基二氧化硅 光波导 制备工艺 应力 双折射 数值分析
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一种硅基二氧化硅结构的超快全光开关 被引量:7
12
作者 吴永宇 张小平 +1 位作者 单欣岩 郭立鹏 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第4期242-247,共6页
作为全光计算的基本逻辑单元的重要结构,全光开关的研究进展影响着整个全光计算甚至集成光学领域的发展。设计了一种硅基二氧化硅结构的超快全光开关,并通过双色抽运探测实验对光控光开关的消光比以及开关响应时间进行了测试,实现了开... 作为全光计算的基本逻辑单元的重要结构,全光开关的研究进展影响着整个全光计算甚至集成光学领域的发展。设计了一种硅基二氧化硅结构的超快全光开关,并通过双色抽运探测实验对光控光开关的消光比以及开关响应时间进行了测试,实现了开关强度比为7…1、开关时间约为500fs的超快全光开关的设计。 展开更多
关键词 集成光学 硅基二氧化硅 全光开关 响应时间 超快光学
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硅基二氧化硅偏振分束器的设计及误差分析 被引量:4
13
作者 潘盼 李伶俐 蔡雪原 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第12期405-411,共7页
设计了一种非对称臂马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型硅基二氧化硅偏振分束器(PBS),在1535~1565nm波长范围内,其偏振消光比大于20dB,插入损耗大于-0.5dB。采用有限差分-束传播法(FD-BPM)进行误差分析,分别计算了多模波导的宽度和长度以及非对... 设计了一种非对称臂马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型硅基二氧化硅偏振分束器(PBS),在1535~1565nm波长范围内,其偏振消光比大于20dB,插入损耗大于-0.5dB。采用有限差分-束传播法(FD-BPM)进行误差分析,分别计算了多模波导的宽度和长度以及非对称臂的宽度和长度误差对偏振分束器性能的影响。仿真结果表明,多模波导长度和非对称臂长度误差分别小于±2μm和±4μm时,偏振分束器的消光比和插入损耗仍能保持较好的结果;而要保持20dB以上的偏振消光比,多模波导宽度误差应小于±500nm,非对称臂宽度误差应小于±4nm(宽臂)和±2.5nm(窄臂)。非对称臂宽度对工艺的要求比较高,拟利用热光效应改变波导折射率来补偿波导尺寸变化引起的相位误差,以便下一步制备出高性能的硅基二氧化硅偏振分束器。 展开更多
关键词 光学器件 硅基二氧化硅波导 偏振分束器 有限差分-束传播法 误差分析
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基于硅基定向耦合器的单纤三向器设计
14
作者 杨淑英 安俊明 李俊一 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期150-152,共3页
设计了基于硅基二氧化硅定向耦合器的光纤到户单纤三向器。通过定向耦合器耦合系数对波长的信赖性,在相同的耦合长度下实现单纤三向器三个波长(1310nm,1490nm和1550nm)的全周期耦合或半周期耦合,使三个波长信号从不同的耦合臂输出,完成... 设计了基于硅基二氧化硅定向耦合器的光纤到户单纤三向器。通过定向耦合器耦合系数对波长的信赖性,在相同的耦合长度下实现单纤三向器三个波长(1310nm,1490nm和1550nm)的全周期耦合或半周期耦合,使三个波长信号从不同的耦合臂输出,完成三向器粗分波功能。有限差分束传播法(FD-BPM)模拟结果表明三向器损耗小于0.5dB,三个响应波长的1dB带宽即可满足ITU.984带宽要求,最优串扰为-14dB。 展开更多
关键词 硅基二氧化硅 定向耦合器 单纤三向器 复用/解复用
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环氧树脂/硅基-纳米SiO_2涂层的制备及防腐蚀性能 被引量:12
15
作者 王英楠 戴雪岩 +2 位作者 徐天璐 曲立杰 张春玲 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1564-1572,共9页
采用硅氢加成反应制备了2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷(ETEO),用ETEO对纳米SiO_2进行表面接枝得到新型硅基纳米SiO_2(ETEO-SiO_2),并制备环氧树脂/ETEO-SiO_2复合涂层.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、氢核磁共振谱(~1H NMR)与X射... 采用硅氢加成反应制备了2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷(ETEO),用ETEO对纳米SiO_2进行表面接枝得到新型硅基纳米SiO_2(ETEO-SiO_2),并制备环氧树脂/ETEO-SiO_2复合涂层.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、氢核磁共振谱(~1H NMR)与X射线光电子能谱分析(XPS)对ETEO和ETEO-SiO_2进行了表征.场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察到ETEO-SiO_2涂层横截面粗糙,ETEO-SiO_2具有良好分散性.接触角分析表明ETEO-SiO_2涂层疏水性提高.利用电化学阻抗实验与盐雾实验研究了复合涂层的防腐蚀性能,结果表明,添加ETEO-SiO_2纳米粒子后涂层的防腐蚀性能远优于纯环氧树脂和纳米SiO_2复合环氧树脂涂层,当ETEO-SiO_2纳米粒子添加量达到4%(质量分数)时,防腐蚀性能最佳.纳米SiO_2表面接枝ETEO后,ETEOSiO_2纳米粒子与环氧树脂基体之间的相容性增加,分散稳定性提高,涂层更加致密,减少了腐蚀介质所需的扩散通道并抑制腐蚀反应过程的进行,提高了复合涂层的防腐蚀性能. 展开更多
关键词 复合涂层 纳米二氧化硅 环氧树脂 表面接枝 防腐蚀性能
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Gd_2CuO_4薄膜与Si,SiO_2/Si基底界面相互作用研究
16
作者 张英侠 朱永法 +1 位作者 姚文清 曹立礼 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1703-1706,共4页
采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶... 采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶体结构 ,而以 Si O2 /Si为基底时 ,经 70 0℃热处理 1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构 .Gd2 Cu O4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大 ,热处理时间对晶粒度则影响较小 .AES深度剖析表明 ,形成的薄膜组成均匀 ,在界面上有一定程度的扩散 .以 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4与基底Si相互扩散 ,以 Si O2 /Si为基底时则主要是薄膜中 Gd,Cu向 Si O2 层中的扩散 .AES线性分析表明 ,在薄膜与基底的界面上 ,各元素的俄歇电子动能发生位移 。 展开更多
关键词 Gd2CuO4薄膜 晶化 界面扩散 AES 界面相互作用 铜酸钆 旋转镀膜技术 二氧化硅/
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Effect of inorganic salt impurities on seeded precipitation of silica hydrate from sodium silicate solution
17
作者 Xiao-bin LI Xiao-bing GAO +5 位作者 Qiu-sheng ZHOU Yi-lin WANG Tian-gui QI Lei-ting SHEN Gui-hua LIU Zhi-hong PENG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期3016-3028,共13页
To clarify the precipitation of silica hydrate from the real desilication solutions of aluminosilicate solid wastes by adding seeds and improve integrated waste utilization,the seeded precipitation was studied using s... To clarify the precipitation of silica hydrate from the real desilication solutions of aluminosilicate solid wastes by adding seeds and improve integrated waste utilization,the seeded precipitation was studied using synthesized sodium silicate solution containing different inorganic salt impurities.The results show that sodium chloride,sodium sulfate,sodium carbonate,or calcium chloride can change the siloxy group structure.The number of high-polymeric siloxy groups decreases with increasing sodium chloride or sodium sulfate concentration,which is detrimental to seeded precipitation.Calcium chloride favors the polymerization of silicate ions,and even the chain groups precipitate with the precipitation of high-polymeric sheet and cage-like siloxy groups.The introduced sodium cations in sodium carbonate render a more open network structure of high-polymeric siloxy groups,although the carbonate ions favor the polymerization of siloxy groups.No matter how the four impurities affect the siloxy group structure,the precipitates are always amorphous opal-A silica hydrate. 展开更多
关键词 ALUMINOSILICATE sodium silicate solution siloxy group IMPURITY silica hydrate
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高Q平面集成光波导谐振腔 被引量:5
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作者 钱坤 唐军 +3 位作者 刘俊 张成飞 郭慧婷 潘梓文 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期319-323,共5页
提出了一种高品质因数的氧化硅平面集成光波导谐振腔的设计与加工方案。利用Matlab与BeamPROP软件对回音壁模式(WGM)谐振腔结构模型进行了仿真分析,深入讨论了耦合状态、腔长与谐振腔品质因数的关系。设计了直径6 cm的环形光波导谐振腔... 提出了一种高品质因数的氧化硅平面集成光波导谐振腔的设计与加工方案。利用Matlab与BeamPROP软件对回音壁模式(WGM)谐振腔结构模型进行了仿真分析,深入讨论了耦合状态、腔长与谐振腔品质因数的关系。设计了直径6 cm的环形光波导谐振腔,直波导与环形腔的耦合率为3.3%。整个谐振腔耦合结构被设计为欠耦合状态来优化其品质因数。在此基础上,在硅衬底上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术和紫外光刻技术制作出二氧化硅光波导谐振腔芯片,芯片尺寸为7 cm×7 cm。利用一个波长为1 550 nm可调谐激光器对谐振腔的光谱进行了测试,测试结果表明所加工出的氧化硅光波导谐振腔的品质因数高达4.3×107。 展开更多
关键词 回音壁模式(WGM) 谐振腔 硅基二氧化硅 品质因数 光波导
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微光学陀螺波导谐振腔的优化设计 被引量:4
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作者 冯丽爽 于怀勇 +2 位作者 洪灵菲 杨德伟 杜哲峰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期504-508,共5页
提出一种应用于微型光学陀螺的谐振腔的优化设计方案,优化设计方案同时兼顾微型光学陀螺精度要求与其系统微型化设计。光波导材料为传输损耗为0.01dB/cm的硅基二氧化硅材料,有效的降低了谐振腔内部的损耗,使得谐振腔内损耗仅为0.5dB,利... 提出一种应用于微型光学陀螺的谐振腔的优化设计方案,优化设计方案同时兼顾微型光学陀螺精度要求与其系统微型化设计。光波导材料为传输损耗为0.01dB/cm的硅基二氧化硅材料,有效的降低了谐振腔内部的损耗,使得谐振腔内损耗仅为0.5dB,利于谐振腔的高精度;光波导结构采用准单模矩形结构,利用腔中的弯曲波导对一阶模的有效滤除实现了光的基模传输,利于谐振腔的小型化;此外分析了波导的传输损耗、波导耦合器分光比对谐振腔性能及陀螺极限灵敏度的影响,得出波导耦合器分光比的优化参数,并仿真得到谐振腔的谐振清晰度达到70以上。假定在激光光源线宽为30kHz,探测器响应度0.95A/W,积分时间为10s的条件下,仿真得到系统的极限灵敏度为1.6°/h左右。最后实验验证了此优化设计方法是有效可行的。 展开更多
关键词 微光学陀螺 耦合器 谐振腔 硅基二氧化硅
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用于集成光学陀螺的波导谐振腔设计 被引量:7
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作者 冯丽爽 于怀勇 洪灵菲 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期149-151,155,共4页
给出了一种集成光学陀螺谐振腔的优化设计方案,在保证集成光学陀螺精度的同时更利于微型化。选用传输损耗为0.01dB/cm的硅基二氧化硅材料作基底,谐振腔内损耗仅为0.5dB,保证了谐振腔的高清晰度;采用准单模矩形波导结构,利用弯曲波导对... 给出了一种集成光学陀螺谐振腔的优化设计方案,在保证集成光学陀螺精度的同时更利于微型化。选用传输损耗为0.01dB/cm的硅基二氧化硅材料作基底,谐振腔内损耗仅为0.5dB,保证了谐振腔的高清晰度;采用准单模矩形波导结构,利用弯曲波导对一阶模的有效限制实现了光的基模传输,利于谐振腔的小型化;分析了波导的传输损耗、波导耦合器分光比对谐振腔性能及陀螺极限灵敏度的影响,得出波导耦合器分光比的优化参数,并仿真得到谐振腔的谐振清晰度达到70以上。在激光器线宽为30kHz,探测器响应度0.95A/W,积分时间为10s的条件下,系统的极限灵敏度为1.6°/h。 展开更多
关键词 集成光学陀螺 耦合器 谐振腔 硅基二氧化硅
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