磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能

利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池.

感应耦合等离子体增强磁控溅射法制备MoO_(3)高透亲水光学薄膜

将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌、晶体结构和化学成分。通过正交实验法,以MoO_(3)薄膜的氧钼比、光学透过率、水接触角为指标,探究了感应耦合等离子体(ICP)氧氩比、ICP功率、靶位工作压强和ICP前处理时间工艺参数对MoO_(3)薄膜性能的影响。结果表明:氧氩比是影响性能的主要参数,其次是工作压强,影响最小参数是ICP功率。最优工艺参数是氧氩比400/300、靶位工作压强为0.15 Pa、功率为1500 W、前处理时间为18 min。研究为高透亲水光学薄膜应用,提供具体实验设计和工艺方法指导。

CdTe薄膜射频磁控溅射法制备研究

太阳能的规模化利用是解决当今全球能源短缺的重要途径。CdTe作为公认的高效、廉价的薄膜电池材料受到重视,文章介绍了射频磁控溅射法,总结了射频磁控溅射法制备的影响因素,包括溅射频率、脉冲偏压、沉积时间与射频功率、衬底靶距、衬底温度及沉积气氛等,以期为太阳能规模化利用提供助力,为薄膜电池材料的发展添砖加瓦。

射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性

利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响 ,且给出了解释。

磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。

反应磁控溅射法制备的氮掺杂TiO_2光催化膜的氮化学态和光催化活性(英文)

采用中频交流磁控溅射法 ,以O2 /N2 混和气为反应气体 ,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2 膜 .利用原子力显微镜、紫外 可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态 ,并通过苯甲酰胺的光催化降解实验对光催化剂活性进行了评价 .结果表明 ,所得掺杂膜仅能够被紫外光所激发 ,反应气的配比对膜的形貌和TiO2 的锐钛矿 /金红石相比率均有影响 ,而氮在膜中以掺杂N3 -、表面吸附N2 和固溶N2 的形式存在 .随着N3 -掺入量的增加 ,掺杂膜的光催化活性显著提高 ,在反应气体组成为N2 /(O2 +N2 ) =80 % (体积分数 )时 ,掺杂N3 -量为0 5 94 % ,苯甲酰胺光催化降解效果最好 ,其活性约为纯TiO2 膜的 1 .

磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜

采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。

磁控溅射法薄木镀膜金属工艺参数的遴选

为获得高品质抗电磁辐射木材,采用正交试验设计L_(27)(3^(13)),真空磁控溅射镀膜,试验分析了封闭剂、真空度、镀膜温度、镀膜时间及交互作用等因素对镀膜质量的影响。结果表明:桐木单板应用MF3封闭剂(固体质量分数为50%的三聚氰胺甲醛树脂及内含溶液质量分数1%KH-560硅烷偶联剂,添加5%(按质量计)的异佛尔酮二异氰酸酯组成)、真空室的真空度10^(-2)~10^(-4)MPa、靶材温度200℃、溅射时间100 s条件下,工艺效果最为理想。经电磁屏蔽效能检测,镀膜厚度达到30μm以上时,在30 MHz^1.5 GHZ频段之间,电磁屏蔽效能达到30~60 d B中等屏蔽效能等级,镀膜单板屏蔽效能随着电磁波频率的提高呈缓慢下降之势。镀膜木材在高温、高湿条件下老化强度有微弱下降,但对镀膜与薄木的结合无影响。镀膜后的薄木可用于高端电磁屏蔽、导静电装饰性木材产品的开发。

磁控溅射法制备防紫外线PET织物的研究

探讨用磁控溅射法制备防紫外线PET织物的工艺条件及影响因素。用磁控溅射法在PET织物上制备纳米氟碳薄膜,在磁控溅射过程中对不同的PET织物布样采用不同的溅射功率、工作气压和基底温度等,使织物获得不同的防紫外性能。通过正交试验分析了磁控溅射法中各因素对PET织物防紫外线性能的影响规律,认为磁控溅射法在PET织物上制备PTFE薄膜以提高织物的防紫外线性能是可行的;影响织物防紫外线性能的因素按重要程度依次排列为织物品种、工作气压、溅射功率和基底温度。

反应磁控溅射法制备HfO_2金刚石红外增透膜

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响。利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8～12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.6%,使金刚石红外透过率达到88%;在3～5μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出12.8%。

偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Al透明导电膜

用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 .

磁控溅射法制备TiB_2涂层的研究进展

TiB_2熔点高、硬度高、密度低、电阻率低、高温下化学稳定性好,是一种应用潜力巨大的涂层材料。磁控溅射法是一种重要的制备TiB_2涂层的物理气相沉积方法,具有沉积温度低、基体可选择范围大的优点。分析和总结了偏压大小与极性、基体温度和气压等工艺参数对涂层沉积速率、显微结构(包括形貌、结晶度、织构和晶粒尺寸等)、性能(包括硬度、弹性模量、结合强度和摩擦学性能)和残余应力的影响,并概括了目前降低残余应力的途径。

同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响

室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率。并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化。结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率。

平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能

研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后，薄膜表面致密均匀，无裂纹，薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率，完全可以作为固体电解质使用。

RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究

采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较好的成膜特性 .在界面处 ,Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、 Zn2 p3/2 与 Zn LMM峰积分面积比值的变化、 Si2 p峰的非对称性 ,均表明 Si与 Zn O的界面处有明显的成键作用 .在界面处 ,n型 Si反型为 p型 .

反应磁控溅射法制备Y_2O_3金刚石红外减反膜

采用纯钇（Y）金属靶,在氧＋氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究了薄膜的组成和结构。利用X射线衍射仪（GIXRD）和椭偏仪（Ellipsometer）研究了不同衬底温度和热处理温度对氧化钇薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪（FTIR）检测了镀膜前后金刚石红外透过性能。研究发现Y2O3薄膜能够有效提高金刚石在8-12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.8%,使金刚石红外透过率由66.4%提高到88.2%;在3-5μm范围,双面镀制了Y2O3薄膜的金刚石平均透过率达64.9%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出10.9%。

磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌薄膜研究进展

铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜是一种n型半导体光学透明薄膜,具有优异的光电转换特性.综述了磁控溅射法制备AZO薄膜的研究现状.介绍了衬底温度、溅射功率、氧分压、溅射角度、衬底类型和退火温度等工艺参数对AZO薄膜的微结构、表面形貌和光电性能的影响.展望了其今后的研究方向和应用前景.

直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应(英文)

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ,光电流在 2 0 0s的时间内能恢复到暗电流 ,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。

直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。

磁控溅射法在玻璃基片制备VO_2薄膜的结构与性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加。