超薄磁膜磁特性的Heisenberg模型分析

应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法,研究了交换相互作用、表面各向异性和长程偶极相互作用共同作用下的超薄磁膜的磁特性。通过计算不同参数下系统的温度效应,分析了各种相互作用对系统状态的不同影响。在此基础上,通过分析自旋垂直分量绝对值等序参量的变化特征,发现在适当参数时,系统自旋通过温度效应可越过垂直取向和平面取向间的势垒,从而发生从垂直磁化向面内磁化的转变。

化学镀制备垂直记录Ni—Co—P磁膜的研究

用化学镀的方法,在以铝合金为基材的Ni—P合金上(30×30mm^2)镀N—Co—P磁膜,用振动样品磁强计测定矫顽力Hc及饱和磁矩Ms和剩磁Mr,研究了N、Co相对量的变化与Hc的变化关系,选定原子比为1:1时的N—Co—P镀液,测定了pH值为9.10,9.30和9.70时的Hc,并观察了施加与镀片平行和垂直两个方向的磁场对Hc的影响。

MMIC用多层磁膜电感研究

采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,"金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为7.5 nH,品质因数为7.17,与相同结构同工艺同批次传统单层无磁膜电感相比分别提高了270%和47%;"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为9 nH,品质因数为5.86,与传统电感相比分别提高了350%和25%。结果表明多层磁膜电感在低频范围(<5GHz)较传统电感有巨大优势。

反舰导弹加装磁膜近炸引信的可行性分析

分析了反舰导弹的命中概率及其战斗部的爆炸威力,阐述了为反舰导弹加装近炸引信的必要性和可能性;并根据反舰导弹的工作特点,介绍了一种较为适用的磁膜近炸引信模式.

单畴磁膜磁阻效应的计算

对磁记录中使用的磁阻传感器的磁阻效应进行了定量分析，并提出了一种新的单畴磁膜退磁场的近似计算方法──平行线近似。计算结果表明，该近似比椭圆近似更好地反映了外磁场作用下单畴膜的磁荷分布。

γ-Fe_2O_3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作了γ-Fe_2O_3磁膜,并通过透射电子显微镜观察了磁膜的电子显微像和选区电子衍射环,由电子衍射环进行了磁膜的晶体结构分析,讨论了多晶磁膜的生长条件。

γ-Fe_2O_3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作γ—Fe_2O_3磁性薄膜,并通过透射电子显微镜观察磁性薄膜的电子显微像和选区电子衍射环,进行了γ-Fe_2O_3,晶体结构分析,讨论了多晶薄膜的生长条件。

用于致动器的磁膜

永久磁铁薄片与薄膜,越来越多地应用在致动技术中。从多个最小磁铁的机械连接过渡到磁性多极分布,可以采用新的系统解决方案。在这方面,认识磁力、膜厚和极宽(极跟)之间的关系是一个决定性的标准。为了开发利用磁力传输的致动器,需要带有精细磁极分布的永久磁铁薄膜。图1示出一个以永久激励磁阻步进马达为基础的X和XY直接驱动机构,其中要求薄磁片的厚度为100μm。采用现代磁性材料,利用薄膜制作工艺和通过脉冲技术精细磁极结构的最新方法,

MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究

在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相对比在1 GHz时电感量有30%的提升,且对Q值影响不大;对于多圈电感,电感量与电感结构密切相关,当磁膜同时存在于线圈下和线圈之间时对电感量提升最大,但截止频率较低;而磁膜在电感线圈正下方的结构对电感量提升较前一种磁膜电感低,但截止频率较前一种磁膜电感高。

磁响应膜在水处理中的研究与应用进展

总结了磁响应膜的概念及其制备方法,阐明了磁响应膜应用于水处理过程中刺激响应机制及应用优势,并综述了磁响应膜在生活污水、工业废水、饮用水以及再生水回用中的研究与应用现状,以期为磁响应膜在水处理中的开发和应用提供支撑。

MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性

报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响.

平行与垂直磁化下多层磁膜巨磁电阻与外磁场关系的唯象理论计算

用Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的唯象理论方法，计算了相邻铁层间具有反铁磁耦合的层数较多的Ｆｅ／Ｃｒ多层膜，在外磁场平行和垂直于膜面情况下的磁电阻与外磁场的关系，并与实验结果作了比较，符合得较好。在计算中利用对称性条件，对Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的理论进行了简化，求出了电子分布函数和磁电阻的显式解。

巨磁致伸缩薄膜-衬底悬臂梁系统的力学特性

利用四参量能量极小化方法求解了任意薄膜/衬底厚度比悬臂梁系统的弯曲问题.在此基础上重点分析了磁膜应力和应变与构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数的关系,给出了这些参数对磁膜-衬底悬臂梁系统中平面弯曲特性的影响.计算结果表明,中平面在一般情况下是各向异性的,且随着磁膜厚度的增加中平面迅速下降;磁膜应力随着膜厚增加而减小,应变随膜厚增加而增加;材料泊松比对垂直于磁化方向的应力和应变以及中平面的影响很大,但是,泊松比对磁化方向的应力、应变和中平面的影响很小,可以忽略不计.

非晶多层膜Fe/SnO_2的磁特性

采用高频溅射制备了Fe/SnO2 非晶多层膜 .当SnO2 层厚度ds 固定为 5nm时 ,样品的饱和磁化强度Ms 随Fe层厚度dm 的减小而降低 ,这主要受死层效应和维度效应的影响 .样品在dm 很小时 ,呈现准二维磁性 .样品的居里温度Ic 随dm 的减小而单调下降 .当Fe层固定为 2nm时 ,Ms随ds

氮化铁薄膜的制备及其磁电阻效应

用磁控反应溅射法制备了铁和氮化铁薄膜 ,分别测出其 X射线衍射谱 ( XRD) ,分析表明存在氮化铁薄膜 .在室温下测量了制备态和退火样品的磁电阻 。

磁膜-衬底悬臂梁系统中薄膜应力与应变分析

运用能量极小原理,研究了磁性薄膜-非磁衬底悬臂梁系统的弯曲问题,着重分析了悬臂梁体系的中平面、磁膜内应力和应变与构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数的关系,给出了这些参数对磁膜-衬底悬臂梁系统弯曲特性的影响.结果表明,由于磁致伸缩效应是各向异性膨胀,体系的中平面在一般情况下是各向异性的.随着磁膜厚度的增加,中平面迅速下降,同时衬底对磁膜的束缚减小,从而释放了磁膜内应力,即应力减小;而磁膜应变随膜厚增加而增加.材料泊松比对垂直于磁化方向的应力和应变以及中平面的影响较大.但是,对磁化方向的应力、应变中平面的影响很小,这一性质来源于磁化方向上磁膜主动伸缩效应.

复合外场中磁光材料(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜畴壁运动特性的研究

通过对 (BiTm) 3 (FeGa) 5O12 膜施工加低频交变磁场 ,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场 (复合外场 ) ,用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件 (CCD) 计算机作数字化处理获得磁畴壁 (DW)的相对百分数。结果表明 :( 1 )复合外场下DW运动规律中存在交互作用项 ;( 2 )低频交变磁场幅值 ( 1 4 0A/m)远低于等效阻力场 ( 1 0 3 A/m)时 ,DW可以运动 ,但不同步 ,频率大于 1Hz时明显滞后 ,( 3 )利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。