不同禁带宽度催化剂协同低温等离子体氧化NO_(x)

由于催化剂协同低温等离子体法脱除氮氧化物效果显著,通过研究制备了WO_(3)、ZnO、NiO、CdS和Cu_(2)O共5种禁带宽度不同的催化剂,通过SEM、XRD、Raman等表征方式,对比了与低温等离子体联合催化氧化NO与NO_(x)的性能。实验得出:P型半导体对NO_(x)去除效果较差,N型半导体对NO_(x)的去除具有明显效果;氧化效率由大到小依次为CdS、WO_(3)、ZnO,这与其禁带宽度值正好相反;CdS对NO、NO_(x)的氧化效率分别为98.4%、84.4%,并且CdS循环再利用的催化性能效果依旧。阐明了等离子体和催化剂对反应过程的具体影响和二者之间的耦合作用。经过放电催化后的样品,借助离子色谱测定其表面的NO_(3)^(-)与NO_(2)^(-),有利于深入了解此类协同机制。

TiO_2禁带宽度和光吸收系数对其光催化性能的影响

为了研究TiO2禁带宽度和光吸收系数对其光催化性能的影响,使用Materials Studio的Dmol3和CASTEP模块分别对Ag+、Fe3+、Pt4+、La3+4种金属离子掺杂TiO2的能带结构和光学性质进行分析。分子模拟表明:金属离子掺杂使TiO2的禁带宽度变窄、吸收波长红移,相同光照条件下光吸收系数增加,影响了TiO2的光催化性能。光催化反应实验表明:在254 nm照射条件下,TiO2的禁带宽度为1.09 eV时光催化性能最好,TiO2的光吸收系数越大,光催化性能越好。

TiO_2与ZnFe_2O_4薄膜禁带宽度测定及对光催化效率的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备了TiO_2薄膜、ZnFe_2O_4薄膜和掺杂ZnFe_2O_4的TiO_2薄膜。利用紫外吸收光谱测定了薄膜的激发波长,计算得到了禁带宽度,并通过光催化分解实验进行了验证。

层状类钙钛矿结构铁电薄膜的禁带宽度及红外吸收研究

用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积法（ＰＬＤ）在石英玻璃衬底上制备均匀透明的ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜．紫外透射光谱研究表明在波长为３７０～９００ｎｍ范围薄膜具有很好的透光性，在３２０ｎｍ处有一陡峭的吸收边，由半导体理论计算得到薄膜的禁带宽度为３．２５ｅＶ，ＦＴＩＲ红外光谱研究表明薄膜晶格振动的特征频率约为２．４×１０１３Ｈｚ．

温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响

提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .

化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报

利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族二元化合物和Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２、Ⅱ－Ⅳ－Ⅴ２族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报。

用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据,根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律,计算出禁带宽度,并且着重讨论禁带宽度的两种求法,比较了两种方法的计算精度.

掺锗CZSi禁带宽度的变化

采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.

基于禁带宽度的太阳电池建模及智能预测技术研究

在构建径向基神经网络的基础上,通过对材料禁带宽度与太阳电池参数关系的研究,提出一种新的太阳电池通用仿真模型,该模型能自动调整参数,同时模拟不同太阳电池;通过遗传算法的优化,将预测技术应用于光伏发电系统,解决了蓄电池控制滞后的问题,提高了系统的稳定性。

更精确地利用光谱自然确定禁带宽度

以建立在能量守恒定律得到的塔克(Tauc)关系为出发点,推算出一个三参数方程用来以光谱实验数据获得更加精确和可靠的材料的禁带宽度。禁带宽度Eg、材料性质指数n及取决于跃迁种类的常量A自然而然地以参数形式出现在这个参数方程中。于是当对实验数据进行最小二乘方非线性拟合后,就能得到表征材料特性的关键指标禁带宽度Eg、材料性质指数n和取决于跃迁种类的常量A的最佳值。应用结果表明该方法能够非常精确、方便、快速地获取材料的禁带知识,很有可能是一种在半导体材料研究方面得以应用的好方式。

UV-Vis光谱研究Al^(3+),Zn^(2+),Cu^(2+)掺杂对TiO_2薄膜光学禁带宽度的影响

通过采用溶胶-凝胶法制备了稳定的TiO2溶胶,在此基础上制备了Al3+,Zn2+,Cu2+等金属离子氧化物掺杂的复合TiO2薄膜。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计以及NKD-7000W薄膜分析系统对所得薄膜晶相组成、光学性质以及禁带宽度等进行了表征。结果表明,这些金属氧化物与TiO2的复合薄膜体系中,形成了单一的锐钛矿相TiO2,与纯TiO2薄膜相比,复合薄膜中TiO2纳米粒子平均尺寸在一定程度上减小了。同时,复合TiO2薄膜的光学透过率以及光学禁带宽度均随着添加量的增加而规律性变化。

推迟模式下侧向Fe/Ni超晶格体极化子禁带宽度研究

基于等效介质理论计算了半无限侧向Fe/Ni体系超晶格的体模式,通过对体极化子禁带宽度的讨论给出了自旋波在该体系下传播区域的改变。外场较小时磁性层的磁比例因子与外场对禁带宽度的影响规律性较强,Ni层越厚、外场越大禁带宽度越大。外场增大使趋肤效应与涡流损耗效应增强,导致自旋波衰减,禁带宽度变化情况复杂化。讨论结果与J.Barnas利用传输矩阵方法算出的磁性/非磁性超晶格推迟模式的体极化子的色散曲线很相似。对比发现,等效介质理论更具简便性,在所研究体系中第二种磁性介质的饱和磁化强度趋于0时即为J.Barnas的磁性/非磁性超晶格。

利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。

低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值．

光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制

采用参数调节法研究了光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制作用,通过计算得到禁带宽度的解析表达式及禁带宽度随两层光子晶体光学厚度的变化规律。当两层光子晶体的光学厚度都等于λ0/4时,禁带宽度达到最大,说明用调节一维光子晶体的光学厚度来实现对禁带宽度的调制是有效的。

一维光子晶体禁带宽度对折射率的响应

采用参数调节法研究了折射率对一维光子晶体禁带宽度的调制作用,通过数值计算得到禁带宽度的解析表达式及禁带宽度随光子晶体的折射率比(n1/n2)的增加而增加的结论,说明用调节一维光子晶体的折射率来实现对禁带宽度的调制是十分有效的。

用光学方法测量半导体禁带宽度的温度系数

本文提出了一种测量半导体禁带宽度温度系数的方法,推导出一个求dEg/dT的公式。利用这一公式,在室温附近测量计算了砷化镓单晶的禁带宽度温度系数,得到结果为-3.97×10^(-4)ev/k,这与人们公认的-3.95×10^(-4)ev/k极其接近,说明作为一种基本测量方法,是切实可行的。

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.

稠环烃有机半导体禁带宽度的人工神经网络预报

稠环烃有机半导体的禁带宽度与其分子构型以及π电子数有关，将可表征分子几何结构特征的拓扑指数一顶点复杂度信息指数和π电子数作为人工神经网络的输入特征量，利用经已知样本集训练的人工神经网络对稠环烃有机半导体的禁带宽度进行预报，预报结果与实测结果符合较好，表明人工神经网络是进行定量结构—性质或定量结构—活性相关性研究的一种有效方法。