江苏省第三代半导体产业创新发展现状及路径

第三代半导体产业是国家重点布局的方向。专利技术作为创新能力的核心表现形式,一定程度上代表了产业创新能力及发展程度。江苏省第三代半导体产业发展历史悠久、基础雄厚,但在产业发展的过程中存在“有高原、无高峰”、协调发展能力不足、产学研结合能力有待提升等问题。建议围绕“3+3+3”的发展路径,培养产业顶尖机构3处、打造3个重点区域、强化产学研3方合作,为促进江苏省第三代半导体产业高质量发展提供保障。

山西省第三代半导体产业链发展对策研究

介绍了发展第三代半导体产业链的必要性,国内外第三代半导体产业链的发展现状,分析了山西省第三代半导体产业链发展的现状,提出山西省第三代半导体产业链发展的对策建议。

宁波市第三代半导体产业现状与创新发展对策研究

在全球科技竞争不断加剧的背景下,伴随着新能源汽车、新一代通信等产业的蓬勃发展,第三代半导体已成为各国政府、企业及科研机构竞相追逐的技术高地。文章聚焦第三代半导体产业,阐述了其基本定义、产业链结构、市场前景、技术发展方向与挑战等内容。以宁波市为例,立足地方产业发展需要,从政策体系构建、产业培育发展、创新能力建设3个方面总结梳理其第三代半导体产业发展现状,基于现状进一步分析产业发展中存在的短板,并从平台建设、技术攻关、产创联动、科技金融与招商等方面提出针对性的对策建议。这些建议旨在推动宁波市第三代半导体产业快速创新发展,同时为其他城市前瞻谋划第三代半导体产业提供有益的参考。

10.5亿,连城数控将投建第三代半导体项目

早在2018年,特斯拉在Model3上率先采用了碳化硅器件,自此,碳化硅开始驶入发展的快车道。时至今日,碳化硅正在冲击8英寸的“龙门”,而设备端作为碳化硅降本增效不能忽视的一环,能助力碳化硅飞得更高。也因此,相关设备厂商持续发力,不断满足产业链对设备的要求。近日,连城数控便宣布了一项10.5亿的投资项目。

中国电科产业基础研究院:全力开新局 引领第三代半导体创“芯”发展

“满屏‘绿点’,产品整体良率水平达到新高度!”轰鸣的掌声从中国电科产业基础研究院会议室传出,大屏幕上滚动展示的最新批次1200V碳化硅MOSFET产品测试结果,让与会技术人员脸上露出了满意的笑容,标志着他们半年多的加班加点工作终于有了好的回报。

总投资10亿!第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户

6月5日,在北京昕感科技有限公司总部,在锡山区委书记方力与昕感科技董事长王哲共同见证下,第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。此次签约的项目总投资超10亿元,主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线,可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产,实现满产产能约129万只/年,产值超15亿元/年。

先进半导体研究院:引领第三代半导体产业新变革

建设背景.硅及先进半导体材料是发展半导体技术的基石,是全球半导体产业竞争的焦点。近年来,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,以其优越的性能和巨大的市场前景,迅速开辟出全球半导体市场的新赛道。我国《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中明确提出,要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业,极大促进第三代半导体产业在我国更快更好地发展。

宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略研究

进入21世纪以来,随着对半导体材料研究的深入,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料开始崭露头角,因其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率,更高的击穿电场、以及更强的抗辐射能力等优势,占据着市场的主导地位。为了促进宁波市第三代半导体产业的发展,增强竞争力,文章基于宁波市第三代半导体的产业现状,探析宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略。宁波市是国家自主创新示范区,宁波市的第三代半导体材料供应链本土化示范作用对于提高我国制造业的高质量发展和核心技术自主可控具有重要意义。

第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析

第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长,并且精准表征氮化镓外延材料的特性,文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明,对氮化镓外延材料进行拉曼光谱分析时最佳扫描范围是100~1000 cm^(-1)、最佳曝光时间是5 s、最佳光孔直径为100μm,从而更精准地表征氮化镓外延材料,进而对微波功率器件的性能提升起到推动作用。

中国第三代半导体产业发展研究

第三代半导体广泛应用于照明、电力电子、新一代移动通信、新能源等领域,其基础性强、战略意义重大。我国第三代半导体产业链已经基本完备,市场规模逐年快速增长,且第三代半导体技术在专利布局方面也具备优势,与国际领先水平的差距不断缩小。本文对中国第三代半导体产业和技术发展现状以及发展趋势进行研判与分析,针对第三代半导体技术发展出现的问题,提出未来中国第三代半导体技术发展的思路与建议。

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向．

Ⅲ族氮化物第三代半导体材料发展现状与趋势

以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料（InN除外），是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此，被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点，各国均投入大量人力物力进行相关研发。

第三代半导体产业概况剖析

技术创新是推动产业发展的永恒动力。当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视。我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发,启动了一系列重大研究项目。

基于第三代半导体的国家关键基础设施电磁防护研究

当前电磁环境趋于复杂,国家关键基础设施的电磁防护已经越发迫切。针对此问题,提出采用第三代半导体进行前门和后门防护的对策。通过列举第三代半导体的发展,论证将其应用于电磁防护中的可行性和先进性。针对不同关键基础设施,分别论证第三代半导体在特定系统中的应用部位和防护方式。论述表明,第三代半导体在国家关键基础设施防范重大电磁威胁中堪当大任。

第三代半导体GaN材料发展状况简介

半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体管的诞生到1965年半导体硅(Si)材料超越Ge材料成为半导体集成电路的主要材料,再到二十世纪七十年代以砷化镓(GaAs)材料为代表的第二代半导体材料的引入,半导体技术的发展与进步不断地引起世界各国的重视,尤其是近年来,无线通信、雷达等领域的高频率、宽带宽、大功率、高效率器件的需要,第三代半导体材料——以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),金刚石为代表的宽禁带半导体材料得到迅速的发展,得到了世界各国广泛的关注。

第三代半导体器件专利分析

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电器件,已成为国际半导体器研究与产业化的热点。基于科学计量的方法,本文从专利申请和授权的年度趋势、发明人所在地、专利申请地、专利分类体系分布以及专利权人的角度深入分析了第三代半导体器件专利的整体产出情况、重点技术领域以及研发机构情况,并对我国发展相关产业提出建议。研究表明,近30年来第三代半导体器件专利申请量高速增长,专利的来源地与受理地均为日本、美国、中国和韩国,中国大陆地区在该领域缺少龙头企业,相关研发以大学和科研院所为主,尚需培育市场需求。

基于网络的第三代半导体微波器件产品成熟度评估系统

针对第三代半导体微波器件产品成熟度评估的迫切需求和国内外现有成熟度评估方法在客观性、全面性等方面的不足,从技术集成度和技术维度两个角度对传统技术成熟度(TRL)评价方法进行了全面扩展,建立了产品成熟度结构化的描述与度量模型,利用层次分析(AHP)、属性数学等原理提出了专家调查问卷形式下的产品成熟度定量计算方法,并构建了基于Web的第三代半导体微波器件产品成熟度评估系统,实现了全面客观高效的产品成熟度评估.

中关村科技园区管理委员会 顺义区人民政府印发《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》的通知

中科园发[2019]39号各有关单位:为促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业发展,中关村科技园区管理委员会与顺义区人民政府共同制定了《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》。现予以印发,请认真遵照执行。

第三代半导体IEC国际标准动态综述

本文对IEC制定的第三代半导体国际标准的最新发展动态进行了综述,介绍了IEC已经发布和正在制定的标准的主要技术内容,介绍了我国在该领域首项提案的进展情况,以利于我国专家了解和参与国际标准化工作。

广东省第三代半导体创新发展刍议

第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga_(2)O_(3))、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体。相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更大的禁带宽度和击穿电场、更高的工作频率和电子漂移饱和速度、更稳定的物理化学性质等优异特性,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的要求。第三代半导体是推动半导体集成电路产业实现“超越摩尔”的重要材料,是新一代通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网、新型显示、航空航天等诸多高技术领域无可替代的“核芯”,也是实现碳达峰、碳中和、以及新型基础设施建设等国家战略需要的重要环节,正逐渐成为全球各国取得竞争优势的战略高地。