离子氮化及等离子表面处理用脉冲电源及其应用

脉冲电源是近年来在离子氮化及等离子表面处理领域发展的一项重要技术。本文阐述脉冲辉光放电的特点，介绍了用ＧＴＯ作开关元件的大功率脉冲电源的原理、电路特点及脉冲离子氮化的生产应用情况。脉冲电源能可靠迅速灭弧，散弧清洗速度快，能够消除或减弱空心阴极效应，解决了具有深孔或沟槽的复杂零部件和齿轮根部的氮化难题，易于选择最佳工艺参数，提高氮化质量，并比直流电源节约电能３０％左右。

等离子表面处理提高密封条漆面粘接稳定性的试验研究

针对频发的车门密封条脱胶问题,通过在不同工况下的浮辊剥离实验,研究密封条丙烯酸泡棉胶在漆面的粘接行为。经70℃加热5 min,丙烯酸泡棉胶带在2K清漆表面的粘接力由40 N/cm衰减至5 N/cm以下,表明在高温应力条件下,胶带在2K清漆表面存在较高的脱胶风险。在不同工艺参数下采用等离子处理对车身油漆进行粘接改性,并通过表面能测试和浮辊剥离实验,对处理后车身油漆的粘接改性效果进行研究。结果表明:等离子表面处理可以有效提高密封条在漆面的粘接稳定性。在功率500 W、喷枪距离8 mm、处理速度100 mm/s的工艺下,车身油漆达到最优粘接改性效果;在此工艺参数下对清漆进行表面处理的样品在所有工况下均为内聚破坏;等离子预处理后的漆面在一周内均能保持粘接有效性。

展示电晕和等离子表面处理的最新成果

在Chinaplas2007展会期间，位于德国汉堡的Softal电子技术公司将展示其在电晕和等离子表面处理方面的最新技术成果。届时，观众还可以与该公司的技术专家进行面对面的交流和探讨。该公司将展示的最新技术包括：

等离子体表面处理对YBCO薄膜表面形貌的研究

采用自制的等离子表面处理装置对MOD法制得YBCO薄膜进行表面处理.我们通过控制等离子处理时间,辉光电流,处理温度以及退火的工艺流程,发现YBCO超导薄膜表面成分,表面形貌发生的明显的改变.这种简易快速的方法将对YBCO薄膜表面质量提高起到有效的作用.

氩气低温等离子体处理对PBO纤维的表面改性

采用低温等离子体表面处理技术对聚苯撑苯并二口恶唑(PBO)纤维表面进行改性。选用氩气作为处理气氛,研究了气压、功率和处理时间等参数对纤维表面性质的影响。采用FT-IR和SEM等方法对处理前后纤维表面化学结构及形态结构进行了表征,并通过单丝拔出试验测定了改性前后PBO纤维与环氧树脂基体的界面剪切强度(IFSS),对纤维与树脂的界面粘结性进行了初步评价。同时,采用液滴形状法对纤维表面亲水性进行了表征。通过研究发现,经低温氩气等离子处理后,PBO纤维表面亲水性增强,PBO纤维/环氧树脂的IFSS较未处理样品提高了42%。

低温等离子体表面处理对UHMW-PE复合材料冲击性能的影响

采用低温等离子体对纤维表面进行处理。结果表明,处理后的纤维表面能提高,使环氧树脂能良好地浸润纤维,纤维与树脂的粘结强度提高,制成的复合材料抗冲击性能得到改善,其原因是:由表面引入的多种含氧基团所形成的化学键力,由表面刻蚀坑产生的机械嵌合力。

大气环境中等离子体表面处理实验装置设计

介绍了自行设计的能在大气环境中进行等离子体表面处理的实验装置 ,该装置具有结构简单 ,设备及运行费用低 ,实验条件严格可控 ,特别是在大气环境下能够对被处理材料方便地进行操作等特点 ,尤其适用于薄膜形材料工业化、连续性的等离子体表面处理 .

等离子体表面处理对硅衬底GaN基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响

硅衬底GaN基发光二极管(LED)的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化,严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理工艺对硅衬底GaN基发光二极管n型欧姆接触特性的影响.实验结果表明,1.1 mm×1.1 mm的LED芯片在350 m A电流下,n-GaN表面未做等离子体处理时,n电极为高反射率Cr/Al的芯片正向电压为3.43 V,比n电极为Cr的芯片正向电压高0.28 V.n-GaN表面经O2等离子体表面处理后,Cr/Al和Cr电极芯片的正向电压均有所降低,但Cr/Al电极芯片的正向电压仍比Cr电极芯片高0.14 V.n-GaN表面经Ar等离子体处理后,Cr/Al电极芯片正向电压降至Cr电极芯片的正向电压,均为2.92 V.利用X射线光电子能谱对Ar等离子体处理前后的n-GaN表面进行分析发现,Ar等离子体处理增加了n-GaN表面的N空位(施主)浓度,更多的N空位可以提高n型欧姆接触的热稳定性,缓解晶圆键合的高温过程对n型欧姆接触特性的破坏.同时还发现,经过Ar等离子体处理并用HCl清洗后,n-GaN表面的O原子含量略有增加,但其存在形式由以介电材料GaO_x为主转变为导电材料GaO_xN_(1-x)和介电材料GaO_x含量相当的状态,这会使得接触电阻进一步降低.上述两方面的变化均有利于降低LED芯片的正向电压.

低压真空等离子体表面处理在非织造过滤产品领域应用

介绍了等离子体涂层表面处理过滤介质,重点分析涂层工艺的经济性,说明了在非织造布过滤产品上的应用情况。

用于自由曲面模具零件的等离子束表面处理机器人轨迹生成研究

为了满足等离子束表面处理的工艺特性要求,提出了一种基于等残余高度法改进的初始轨迹迭代优化算法,介绍了等离子束表面处理机器人系统以及轨迹自动生成和工艺参数模块,再分析轨迹规划的拓扑结构和工艺参数,接着提出改进的轨迹优化算法,该方法综合考虑自由曲面曲率、轨迹间距等多种因素,相较于一般的轨迹规划算法,能在保证加工效率的基础上有效提高表面加工质量。

等离子体表面处理监控系统数据通讯的CPLD实现

介绍了等离子体表面处理监控系统数据通讯中数据链路层所需完成的功能 ,提出了用 CPL D完成其功能的方法 :将数据链路层中有限状态机模型与 CPL D在描述有限状态的优势相结合 ,完成半双工的停等协议 .

利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性

IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全。介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶显影特性的方法。研究表明,这种方法可有效地提高IP胶的亲水性和显影均匀性,其中静态接触角可从原来的77°降至45°,而IP胶的厚度损失仅为3 nm^5 nm;同时,还可有效降低由于胶表面的颗粒污染所造成的铬金属点缺陷数量,即从原来的4颗/块降至0.53颗/块。除此之外,这种方法还非常有助于提高具有密集图形和带孔掩模版的图形分辨率和成品率,其中成品损失率可从原来的14%降至处理后的2%。

低温等离子体表面处理在纺织工业中的应用

低温等离子体表面改性技术具有低能耗、低维修成本和易于操作的优点 ,是一项环保技术。

等离子体表面处理技术在笔舌上的应用

自来水笔的笔舌表面要有很好的亲水性,以确保有良好的引水、储墨和抗漏性能,特别是采用热塑性塑料注塑成型的笔舌更是如此。传统的工艺是采用化学处理(即采用强酸液体进行浸泡),使得笔舌表面粗化,达到提高亲水性的目的。但是,这种工艺的废水处理是个大问题,并且由于强酸液体的浓度、温度的变化,浸泡时间的长短,以及浸泡方式的不同,会使笔舌表面粗化不均匀,诸如引水槽、储墨槽等窄小的缝隙中,如果浸泡液未完全进入,就会使得这些关键部位没有完全达到粗化的目的。

等离子体表面处理清洗对有机光伏电池表面有何作用?

铟锡氧化物(ITO)作为一种重要的透明半导体材料,不仅具有稳定的化学性质,而且具有优良的透光性和导电能力,因此在光电子工业中得到了非常广泛的应用。ITO的导带主要由In和Sn的5s轨道组成,而价带则是氧的2 p轨道占主导地位,氧空位及Sn取代掺杂原子构成施主能级并影响导带中的载流子浓度,ITO由于沉积过程中在薄膜中产生氧空位和Sn掺杂取代而形成高度简并的n型半导体,其费米能级Er位于导带底Ec之上,从而具有很高的载流子浓度和较低的电阻率。

低温等离子体在铝片表面沉积类PEG结构研究

研究了低温等离子体条件下铝片表面沉积的类 PEG(聚乙二醇 )大分子层结构及其性质 .铝片在二(乙二醇 )甲醚 /微波电子回旋共振低温氧等离子体条件下进行处理 ,表面得到一层均匀、致密的涂层 .经过电子光谱化学分析 ( ESCA)、衰减全反射红外光谱 ( ATR-FTIR)和生物活性的分析和表征 ,发现沉积的涂层为类 PEG结构 ,表面主要聚集大量 -CH2 -CH2 -O-键 ;与改性前相比 。

不同作用距离下玻璃纤维增强的氰酸酯基复合材料表面等离子体活化研究

用等离子体处理技术对不同作用距离下的玻璃纤维增强的氰酸酯基复合材料表面进行活化处理,通过对处理前后的材料表面进行接触角、表面能、表面形貌、红外光谱等宏观微观性能的对比分析,获得了不同距离下等离子体表面活化处理的作用规律。结果显示:在同一工作电压下,随着作用距离的增加,材料表面的接触角越来越大,表面能随着作用距离的增加而降低,材料表面浸润性和表面能显著提高;表面形貌显示,等离子体活化处理之后,表面树脂碎片颗粒变小,露出了玻璃纤维,粗糙度增加,并且随着作用距离的减小,粗糙度增加的程度变大;红外光谱显示等离子体活化处理后复合材料表面酯基C-O键断裂,酯基数量降低,而硝基、酮基、羧基、醇羟基的数量相应的增加,表面极性增强,随着作用距离的增加,材料表面增加的硝基、酮基、羧基、醇羟基等官能团的数量也越来越少。