22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。

Client Puzzle协议在防御资源耗尽型DoS攻击中的应用

文章在研究现有的被动式Client Puzzle协议(CPP)对防御资源耗尽型DoS攻击的基础上,结合分类服务的基本思想,在应用层提出了一个基于主动式CPP协议的HTTP请求分类服务系统模型(CPPWQ)。在对模型的分析和设计基础上,给出了它的一个实现原型,并在局域网条件下对原型系统的性能进行了测试和分析,验证了模型在防御资源耗尽型DoS攻击中的应用效果。

单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.

深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法

基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。

基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计

提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0.6μm的n阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V电池充电禁止等功能,可用于单节锂离子电池充电的一级保护。

全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性

提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.

600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计

介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度。基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700mA驱动电流,达到阈值电压后提供190mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150V/ns,传输延迟加开启延迟为20ns。

500V耗尽型NLDMOS器件研究

基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路。

部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究

介绍了部分耗尽型 SOI MOS 器件浮体状态下的 Kink 效应及对模拟电路的影响。阐述了 4 种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型 SOI MOS 器件 Kink 效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型 SOIM O S F E T 工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法。

用于关断耗尽型GaN器件的Buck-Boost负压电路

设计了一种Buck-Boost负压关断电平产生电路。通过引入动态调整关断时间的计时模块、分段电流限模块和纹波高速检测模块,实现了在耗尽型GaN器件快速开关时稳定栅极负压的供给,有效消除了耗尽型GaN器件在高压应用时密勒误开启现象的发生。电路基于0.35μm BCD工艺进行设计与仿真验证。结果表明,该电路在宽输入范围内稳定输出-14 V的负压,在20~130 mA恒定负载电流下工作效率达80~87%,在0.5~1 MHz的工作频率下GaN器件栅极开关切换期间输出电压依然稳定。该电路满足高压应用需求。

耗尽型a-IZO TFT的模拟研究

采用Silvaco软件的Atlas对耗尽型单栅、双栅非晶铟锌氧化物薄膜晶体管SG a-IZO TFT、DG a-IZO TFT进行二维器件模拟。讨论了a-IZO层的厚度、态密度模型参数对耗尽型SG a-IZO TFT的电特性影响。研究发现,当a-IZO层厚度达到60 nm及以上时,器件的关断电流急剧上升。分析了态密度模型参数对单栅器件的电特性影响。对耗尽型SG a-IZO TFT与DG a-IZO TFT的电特性进行了比较。结果表明,DG器件在开启电压、亚阈值摆幅、开态电流等方面表现更佳。

缘栅耗尽型场效应管沟道类型和工作区类型的判别研究

模拟电子技术是电气、电子通信类等工科类专业的专业基础课。晶体三极管和场效应管是模拟电子技术课程的重要内容,场效应管和晶体三极管相比,具有许多优良性能如低噪声、低功耗、良好的热稳定性,现已被广泛用于电子电路中。在教学过程中发现场效应管这部分知识较抽象,学生理解该知识点有一定难度。对此,该文提出一种绝缘栅耗尽型场效应管沟道类型的判别方法和工作区类型的判别方法。实践证明,该判决方法不仅能便于学生理解场效应管工作原理,更能辅助学生准确地判别其沟道类型和工作区类型。

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor,pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。

500V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计

增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件。其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集成问题和两种器件之间的隔离问题。提出一种隔离良好、芯片面积较小的增强型与耗尽型集成VDMOS设计和制造方法,耗尽管位于增强管里面比耗尽管位于增强管外面时耗尽管芯片面积减小74%。测试结果表明500 V增强型VDMOS击穿电压BVDSS平均值为550 V,耗尽型VDMOS击穿电压BVDSX平均值为540 V,增强型VDMOS平均阈值电压VTH为3.2 V,耗尽型VDMOS平均阈值电压VP为-3.7 V,两种管子总良率在94%以上,达到预期的设计目的,并成功应用于LED等产品中。

浅析耗尽型MOSFET对智能变送器中DAC的供电与保护

具有ESD保护功能的耗尽型MOSFET代替JFET器件和普通耗尽型MOSFET,能有效抑制各种干扰,极大提高整个系统的稳定性和安全性。由于智能变送器在工业控制、物联网、轨道交通、航空航天等领域的广泛应用,特别是近年自动驾驶汽车、医疗仪器和能源环境控制系统应用的日益普及,系统智能化、集成化、小型化的发展趋势对智能变送器的性能、品质要求不断提高,关键模块DAC在恶劣环境下有效的抗干扰能力是整个变送器工作稳定、系统安全的重要保障。传统的JFET器件能实现稳定供电,但不能起到有效的抗干扰作用。普通耗尽型MOSFET器件替代传统的JFET器件,能稳定供电,并能有效抑制浪涌、瞬态电流、电压干扰,但没有静电防护功能。为更有效解决系统电路保护的问题,通过对器件本身结构进行研究,开发自带ESD保护功能的耗尽型MOSFET。在实际测试和使用中有效验证了该器件对DAC模块的供电,不仅能稳定供电,抑制浪涌、瞬态电流、电压干扰,而且能有效消除静电对器件的损坏可能性。该器件的应用大大提高了智能变送器的稳定性,对自动驾驶汽车和医疗仪器的安全性有重要作用。

我厂N沟道耗尽型场效应晶体管的失效分析及改进效果

本文介绍了我厂贯军标代表品种场效应器件的主要失效模式，并针对失效机理采取了措施，取得了一定的效果。

耗尽型VDMOS制造方法及其应用研究

现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行了深入的研究,已经比较成熟。VDMOS器件主要是由两种类型的器件组成的,即增强型VDMOS器件和耗尽型VDMOS器件,而本文的主要目的就是研究耗尽型VDMOS器件的制造方法和具体的应用情况。

耗尽型MOSFET激励电源上电

许多开关型电源用“按键上电”电路使其脱机运转初始化。这些电路简单的由电阻（如International Rectlfler公司的IRIS4015）实现，复杂的由双极晶体管或MOSFET实现（参考文献1）。这些晶体管为反激变换器或PFC（功率因数校正）IC提供初始电流。当这些电源用正常模式开始工作时，专用线圈的电压持续给PFC芯片供电，从而减小了激励上电电路的功耗。