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微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析
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作者 傅义珠 盛国兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期371-376,共6页
对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相... 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。 展开更多
关键词 微波 硅功率双极型晶体管 脉冲顶降 增益压缩
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固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究 被引量:12
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作者 赵夕彬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期381-384,392,共5页
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了... 针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。 展开更多
关键词 脉冲功率放大器 微波脉冲晶体管 调制电路 脉冲波形
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毫秒级长脉冲调制器技术探索和实现方法 被引量:5
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作者 何秀华 李网生 +1 位作者 田为 王登峰 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2018年第6期73-77,共5页
介绍了毫秒级脉冲高功率调制器系统技术。围绕长脉冲调制器应用体制、高压开关、驱动方式,以及脉冲顶降补偿技术等展开论述,对于两种常用体制、两类常用开关、三种驱动方式,以及四项顶降补偿技术各自的工作原理、特点、适用场合及优... 介绍了毫秒级脉冲高功率调制器系统技术。围绕长脉冲调制器应用体制、高压开关、驱动方式,以及脉冲顶降补偿技术等展开论述,对于两种常用体制、两类常用开关、三种驱动方式,以及四项顶降补偿技术各自的工作原理、特点、适用场合及优缺点做了系统阐述。介绍了电压电流为-70kV/50A、脉宽达1ms、脉冲顶降小于5%的长脉冲大功率调制器,并对其测试结果进行了说明。测试结果表明:研制的长脉冲调制器技术先进,在输出功率、输出波形、脉冲顶降等各方面指标均达到了国内领先水平。 展开更多
关键词 全固态调制器 脉冲 脉冲顶降补偿 Marx调制器 IGBT串并联
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L波段雷达功率放大器设计和优化
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作者 陈加伐 周正仙 +5 位作者 张大伟 沙雨杉 郑贤锋 屈军 崔执凤 刘劲松 《光学仪器》 2021年第4期1-10,共10页
设计一种L波段雷达功率放大器。对功率放大器的输出功率、脉冲顶降、热设计等关键参数进行了理论分析,结合电路输出功率的仿真结果对功率放大器的工作效率以及输出功率的带内波动进行评估。研究了脉冲顶降对输出信号的品质影响,探讨了... 设计一种L波段雷达功率放大器。对功率放大器的输出功率、脉冲顶降、热设计等关键参数进行了理论分析,结合电路输出功率的仿真结果对功率放大器的工作效率以及输出功率的带内波动进行评估。研究了脉冲顶降对输出信号的品质影响,探讨了功率放大器热设计的半定量的制约问题。给出系统主要参量的优化设计方法,完成了L波段雷达功率放大器的样机制作。在极限温度下对功率放大器的输出功率、脉冲顶降、脉冲上升下降时间、功率谱主副瓣功率比以及主杂波功率比等频域特性参数进行了测试与优化。测试结果表明,在极限温度范围下,系统主要技术指标不受温度的影响。与国内外同类产品相比,该功率放大器具有体积小、可靠性高、效率高、稳定性好等特点,同时较低的相位噪声有利于提高接收机的灵敏度。因此,该L波段雷达功率放大器可广泛应用于民用和军用雷达领域,具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 L波段 功率放大器 脉冲顶降 雷达
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