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局域交换场和电场调控的锗烯纳米带自旋过滤效应 被引量:1
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作者 相阳 郑军 +1 位作者 李春雷 郭永 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第18期268-273,共6页
基于非平衡格林函数方法,理论研究了Z轴方向局域交换场和电场对锗烯纳米带中电子自旋极化输运性质的影响.结果表明对锗烯的边缘区域施加强度大于其2倍有效自旋轨道耦合强度的交换场,可使自旋向上和向下电子的能带在不同的能量区间产生带... 基于非平衡格林函数方法,理论研究了Z轴方向局域交换场和电场对锗烯纳米带中电子自旋极化输运性质的影响.结果表明对锗烯的边缘区域施加强度大于其2倍有效自旋轨道耦合强度的交换场,可使自旋向上和向下电子的能带在不同的能量区间产生带隙,从而实现对不同自旋取向电子的100%过滤.提出了一种利用电场辅助降低自旋过滤效应所需阈值交换场强度的方法.研究表明,同时对中心器件区域施加局域交换场和电场,可以在小于有效自旋轨道耦合的弱交换场强度下,在较大的能量窗口区域过滤自旋向上或向下的电子.增大局域交换场强度,自旋过滤效应所对应的能量区间显著增大. 展开更多
关键词 锗烯 局域交换场 自旋过滤效应
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连接构型对铬卟啉分子自旋过滤效应的调控
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作者 李美华 叶伏秋 张军 《吉首大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期36-42,共7页
采用第一性原理方法对不同连接构型的铬卟啉分子电子自旋输运性质进行计算分析.结果表明,对角连接构型的铬卟啉分子在0~0.2V偏压区间范围内的自旋极化率高达95%以上,水平连接构型的导电性能比对角连接高约1个数量级.说明改变铬卟啉分子... 采用第一性原理方法对不同连接构型的铬卟啉分子电子自旋输运性质进行计算分析.结果表明,对角连接构型的铬卟啉分子在0~0.2V偏压区间范围内的自旋极化率高达95%以上,水平连接构型的导电性能比对角连接高约1个数量级.说明改变铬卟啉分子连接构型,可以改变电子自旋前线分子轨道分布和输运路径,从而实现其自旋过滤效应,对基于不同连接构型的铬卟啉分子器件的电子自旋输运性质进行有效调控. 展开更多
关键词 铬卟啉分子 电子自旋输运 连接构型 自旋过滤效应
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双苯环分子自旋过滤效应第一性原理的研究
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作者 许迎莹 尹海涛 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2021年第6期60-64,共5页
分子电子学是近十年来发展起来的一门新兴学科,当器件的尺寸进一步缩小到纳米尺度时,分子电子学有望成为传统电子学的补充甚至替代.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了嵌于石墨烯纳米带电极间的双苯环分子器件的自... 分子电子学是近十年来发展起来的一门新兴学科,当器件的尺寸进一步缩小到纳米尺度时,分子电子学有望成为传统电子学的补充甚至替代.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了嵌于石墨烯纳米带电极间的双苯环分子器件的自旋输运性质.研究发现两电极磁矩平行和反平行时,器件有不同的输运性质.电极磁矩平行时出现完美的自旋过滤效应和明显的负微分电阻效应. 展开更多
关键词 分子器件 自旋过滤效应 负微分电阻效应
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磁隧道结中的自旋过滤效应
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作者 张一彬 《科学技术创新》 2021年第1期43-44,共2页
量子隧穿效应是基本的量子现象之一,隧穿即电子隧穿势垒,即当电子的总能量小于势垒高度时,电子仍可穿过这一势垒。近年来,对于量子隧穿效应的研究引起了人们的关注,其中磁性隧道结(MTJs)中的量子隧穿输运现象是人们关注的热点。人们要... 量子隧穿效应是基本的量子现象之一,隧穿即电子隧穿势垒,即当电子的总能量小于势垒高度时,电子仍可穿过这一势垒。近年来,对于量子隧穿效应的研究引起了人们的关注,其中磁性隧道结(MTJs)中的量子隧穿输运现象是人们关注的热点。人们要想设计出具有较高的磁隧穿电阻(TMR)和完美自旋过滤效应的MTJs。本文简要的介绍了几种MTJs中的自旋过滤效应。 展开更多
关键词 磁性隧道结(MTJs) 磁隧穿电阻(TMR) 自旋过滤效应
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双自旋过滤隧道结中的隧穿时间
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作者 曾绍龙 李玲 谢征微 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第22期277-286,共10页
基于自由电子近似和Winful的隧穿时间模型,研究了普通金属/自旋过滤层/非磁绝缘层/自旋过滤层/普通金属(NM/SF/I/SF/NM)双自旋过滤隧道结中自旋相关的居留时间(dwell time)和相位时间(phase time).分别以居留时间和相位时间随入射电子... 基于自由电子近似和Winful的隧穿时间模型,研究了普通金属/自旋过滤层/非磁绝缘层/自旋过滤层/普通金属(NM/SF/I/SF/NM)双自旋过滤隧道结中自旋相关的居留时间(dwell time)和相位时间(phase time).分别以居留时间和相位时间随入射电子能量、势垒高度和势垒宽度、以及分子场大小的变化情况做了讨论.计算结果表明:在低能隧穿区域(入射电子的能量小于势垒高度),由于自旋相关的自相干项的影响,不同自旋方向电子的相位时间总是大于居留时间;在高能隧穿区域(入射电子的能量大于势垒高度),自旋相关的自相干项的影响减小,不同自旋方向电子的相位时间和于居留时间趋于一致.NM/SF/I/SF/NM双自旋过滤隧道结中的居留时间和相位时间基本不受非磁绝缘层势垒高度和宽度变化的影响,该现象不同于常规的铁磁金属/非磁绝缘层/铁磁金属(FM/I/FM)隧道结.但当非磁绝缘层势垒高度低于自旋过滤层势垒高度时,改变非磁绝缘层的势垒高度和宽度会使居留时间和相位时间出现相峰值,该峰值的出现与不同自旋方向电子的共振隧穿有关.自旋过滤层的势垒高度的变化对NM/SF/I/SF/NM双自旋过滤隧道结中的居留时间和相位时间影响大,但宽度变化的影响较小.自旋过滤层中分子场的变化对不同自旋方向的电子的居留时间和相位时间有明显影响,且上自旋电子的居留时间和相位时间随分子场的增大而减少,而下自旋电子的情况刚好相反. 展开更多
关键词 居留时间 相位时间 磁性隧道结 自旋过滤效应
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界面铁掺杂锯齿形石墨烯纳米带的自旋输运性能 被引量:2
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作者 邓小清 孙琳 李春先 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期345-351,共7页
基于密度泛函理论第一原理系统研究了界面铁掺杂锯齿(zigzag)形石墨烯纳米带的自旋输运性能,首先考虑了宽度为4的锯齿(zigzag)形石墨烯纳米带,构建了4个纳米器件模型,对应于中心散射区的长度分别为N=4,6,8和10个石墨烯单胞的长度,铁掺... 基于密度泛函理论第一原理系统研究了界面铁掺杂锯齿(zigzag)形石墨烯纳米带的自旋输运性能,首先考虑了宽度为4的锯齿(zigzag)形石墨烯纳米带,构建了4个纳米器件模型,对应于中心散射区的长度分别为N=4,6,8和10个石墨烯单胞的长度,铁掺杂在中心区和电极的界面.发现在铁磁(FM)态,四个器件的β自旋的电流远大于α自旋的电流,产生了自旋过滤现象;而界面铁掺杂的反铁磁态模型,两种电流自旋都很小,无法产生自旋过滤现象;进一步考虑电极的反自旋构型,器件电流显示出明显的自旋过滤效应.探讨了带宽分别为5和6的纳米器件的自旋输运性能,中心散射区的长度为N=6个石墨烯单胞的长度,FM态下器件两种自旋方向的电流值也存在较大的差异,β自旋的电流远大于α自旋电流.这些结果表明:界面铁掺杂能有效调控锯齿形石墨烯纳米带的自旋电子,对于设计和发展高极化自旋过滤器件有重要意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 自旋输运 自旋过滤效应 第一性原理方法
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基于石墨烯电极TCNQ分子结热/电输运性质理论研究
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作者 刘仪伟 邱乙峰 张蓓 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期135-140,共6页
本文采用密度泛函理论和非格林平衡函数,对基于石墨烯电极的7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane,TCNQ)分子结热/电输运性质进行系统研究.研究结果表明:随着中心TCNQ分子个数的增加,声子透射系数明显降低,即声子透射行... 本文采用密度泛函理论和非格林平衡函数,对基于石墨烯电极的7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane,TCNQ)分子结热/电输运性质进行系统研究.研究结果表明:随着中心TCNQ分子个数的增加,声子透射系数明显降低,即声子透射行为受到极大抑制.与此同时,电子透射系数也有一定程度的减小.在热/电参数的协同作用下,伴随分子数量的增加分子结热电转换性能呈上升趋势,1TCNQ热电优值(ZT)为0.016,而2TCNQ则上升了1个数量级,ZT值达到0.11.最后,我们对分子结依赖于分子结构个数的自旋输运性质进行研究,发现TCNQ分子结具有显著的自旋过滤效应,其过滤能力随着TCNQ分子数量的增加而增加.该工作可为实验制备分子热电器件提供理论依据和数据支持. 展开更多
关键词 锯齿状石墨烯纳米带 TCNQ分子 自旋输运性质 自旋过滤效应
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硼氮掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运的调控 被引量:1
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作者 张丹 崔丽玲 +4 位作者 谭金桃 肖金 何军 范志强 罗小刚 《湖南工业大学学报》 2020年第5期15-20,共6页
采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了硼和氮原子单独掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运行为的调控作用。研究发现硼和氮原子都是掺杂在锯齿型硅烯纳米带的边缘最稳定。硼和氮原子的掺杂区域对器件的自旋输运性质起着关键作... 采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了硼和氮原子单独掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运行为的调控作用。研究发现硼和氮原子都是掺杂在锯齿型硅烯纳米带的边缘最稳定。硼和氮原子的掺杂区域对器件的自旋输运性质起着关键作用:当掺杂在器件的散射区时,可发现微小的自旋劈裂现象;但是当掺杂在电极区时,会出现较明显的自旋劈裂现象,相应的自旋过滤效率可高达100%。 展开更多
关键词 锯齿型硅烯纳米带器件 掺杂 第一性原理 自旋输运性质 自旋过滤效应
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Fe_(3)GeTe_(2)/h-BN/石墨烯二维异质结器件中的高效率自旋注入 被引量:1
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作者 杨维 韩江朝 +2 位作者 曹元 林晓阳 赵巍胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期426-431,共6页
最近,二维铁磁材料的发现加速了自旋电子学在超低功耗电子器件方面的应用.其中,Fe_(3)GeTe_(2)通过实验调控,比如界面层间耦合和离子液体调控,可以使其居里温度达到室温,具有广泛的应用前景.本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数方法,... 最近,二维铁磁材料的发现加速了自旋电子学在超低功耗电子器件方面的应用.其中,Fe_(3)GeTe_(2)通过实验调控,比如界面层间耦合和离子液体调控,可以使其居里温度达到室温,具有广泛的应用前景.本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数方法,研究了Fe_(3)GeTe_(2)/石墨烯二维异质结在有无氮化硼作隧穿层情况下的输运性质.结果表明:当Fe_(3)GeTe_(2)/石墨烯之间为透明接触时,由于电子轨道杂化,在±0.1 V偏压下可以实现有效的自旋注入.通过加入氮化硼作为隧穿层,则可以在更宽偏压范围[–0.3 V,0.3 V]内实现高效自旋隧穿注入;并且,由于Fe_(3)GeTe_(2)与石墨烯电子态在布里渊区的空间匹配程度取决于电子自旋方向,相应出现的自旋过滤效应导致了接近100%的自旋极化率.这些研究结果有望推动二维全自旋逻辑以及相关超低功耗自旋电子器件的发展. 展开更多
关键词 二维铁磁 自旋隧穿注入 自旋过滤效应 第一性原理计算
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石墨烯纳米带异质结的热自旋输运性质的研究 被引量:1
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作者 汤晓琴 叶雪梅 +1 位作者 谭兴毅 任达华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期642-648,共7页
石墨烯纳米带及其异质结因其丰富而优异的物理性质,引起了人们的广泛关注。基于密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了不同宽度碳链N(N=6、8、10)的单氢钝化和双氢钝化的石墨烯纳米带所构成的异质结的热自旋输运特征,在N=6体系中... 石墨烯纳米带及其异质结因其丰富而优异的物理性质,引起了人们的广泛关注。基于密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了不同宽度碳链N(N=6、8、10)的单氢钝化和双氢钝化的石墨烯纳米带所构成的异质结的热自旋输运特征,在N=6体系中发现了热自旋过滤效应;N=8体系中发现了自旋塞贝克效应;N=10体系中发现了自旋塞贝克效应、负微分自旋塞贝克效应以及热负微分电阻效应,为热自旋纳米电子学器件的研究提供了理论指导。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 异质结 自旋电子学 自旋过滤效应 热负微分电阻效应
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氮化硼纳米带功能化碳纳米管的热自旋输运性质
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作者 肖佳勇 谭兴毅 +3 位作者 杨贝贝 任达华 左安友 傅华华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期209-218,共10页
热自旋电子学器件结合了自旋电子学和热电子学各自的优点,对人类可持续发展具有重要作用.本文研究了锯齿形BN纳米带(ZBNRs)共价功能化碳纳米管(SWCNT)的电子结构,发现ZBNRs-B-(6,6)SWCNT为磁性半金属,nZBNRs-B-(6,6)SWCNT(n=2—8)为磁... 热自旋电子学器件结合了自旋电子学和热电子学各自的优点,对人类可持续发展具有重要作用.本文研究了锯齿形BN纳米带(ZBNRs)共价功能化碳纳米管(SWCNT)的电子结构,发现ZBNRs-B-(6,6)SWCNT为磁性半金属,nZBNRs-B-(6,6)SWCNT(n=2—8)为磁性金属;nZBNRs-N-(6,6)SWCNT(n=1—8)为双极化铁磁半导体;4ZBNRs-B-(4,4)SWCNT和4ZBNRs-N-(4,4)SWCNT为磁性半金属,4ZBNRs-B-(m,m)SWCNT(m=5—9)为磁性金属;4ZBNRs-N-(m,m)SWCNT(m=5—9)为双极化铁磁半导体.然后,基于锯齿形BN纳米带共价功能化碳纳米管设计了新型热自旋电子学器件,发现基于ZBNRs-N-(6,6)SWCNT的器件具有热自旋过滤效应;而8ZBNRs-N-(6,6)SWCNT和nZBNRs-B-(6,6)SWCNT(n=1,8)都存在自旋相关塞贝克效应.这些发现表明BN纳米带功能化碳纳米管在热自旋电子学器件方面具有潜在的应用. 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋相关塞贝克效应 自旋过滤效应
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First-Principles Study on Switching Performance and Spin Filtering Efficiency of Dimethyldihydropyrene/Cyclophanediene Single-Molecule Devices with Zigzag Graphene Nanoribbon Electrodes
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作者 Chang-Feng Zheng Yan-Qi Mu +1 位作者 Zong-Liang Li Guang-Ping Zhang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期644-652,I0066-I0072,I0100,共17页
Moleculardeviceswith highswitchingperformance and/or the perfect spin filtering effect have always been the pursuit with the development of molecular electronics.Hereb,yusingthe 2001.0V nonequilibrium.Green's func... Moleculardeviceswith highswitchingperformance and/or the perfect spin filtering effect have always been the pursuit with the development of molecular electronics.Hereb,yusingthe 2001.0V nonequilibrium.Green's function method in combination with the density functionaltheory,the switching performance and spin filtering properties of dimethyldihydropyrene(DHP)/cyclophanediene(CPD)photoswitchable molecule connected by carbon atomic chains(CACs)to two zigzag graphene nanoribbon electrodes have been theoretically investigated.The results show that DHP is more conductive than CPD and therefore an evident switching effect is demonstrated,and the switching ratio(RON/OFF)can reach 4.5×103.It is further revealed that the RoON/OF of DHP/CPD closely depends on the length of CACs.More specifically,the RoN/OFF values of DHP/CPD with odd-numbered CACs are larger than those with even-numbered CACs.More interestingly,a high or even perfect spin filtering effect can be obtained in these investigated DHP/CPD single-molecule devices.Our study is helpful for future design of single-molecule switches and spin filters and provides a way to optimize their performance by means of varying the length of bridging CACs. 展开更多
关键词 Single-molecule switch Spin filtering effect Odd-even effect Nonequilibrium Green's function method Density functional theory
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功能化扶手椅型石墨烯纳米带异质结的磁器件特性 被引量:1
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作者 朱朕 李春先 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期270-276,共7页
石墨烯在未来纳米电子器件领域具有广泛的应用前景,但是基于扶手椅型石墨烯纳米带(AGNR)的磁输运性质的研究还比较少.本文理论上提出AGNR边缘桥接过渡金属Mn原子,再用双F原子(或双H原子)饱和形成特殊化学修饰的纳米带(AGNR-Mn-F2或AGNR-... 石墨烯在未来纳米电子器件领域具有广泛的应用前景,但是基于扶手椅型石墨烯纳米带(AGNR)的磁输运性质的研究还比较少.本文理论上提出AGNR边缘桥接过渡金属Mn原子,再用双F原子(或双H原子)饱和形成特殊化学修饰的纳米带(AGNR-Mn-F2或AGNR-Mn-H2),并运用基于第一性原理和非平衡态格林函数相结合的方法对其磁输运性质进行理论计算.结果表明:这两种纳米带所构成的异质结(F_2-AGNR-Mn-H_2)具有优良的磁器件特性,即在很宽的偏压范围内,能实现100%的自旋极化,且在P(在左右电极垂直加上相同方向的磁场)和AP构型(在左右电极垂直加上相反方向的磁场)时,分别具有单自旋和双自旋过滤效应;同时发现,这种异质结也具有双自旋二极管效应,它的最大整流比可达到108.此外,改变开关磁场的方向,即从一种磁构型变换为另一种磁构型时,能产生明显的自旋阀效应,其巨磁阻高达108%.这意味着这种特殊的异质结能同时实现优良的自旋过滤、双自旋二极管及巨磁阻效应,这对于发展自旋磁器件有重要意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带异质结 自旋过滤效应 自旋二极管效应 巨磁阻效应
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γ-石墨炔基分子磁隧道结的输运性能
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作者 李瑾 邸茂云 +1 位作者 刘旭光 杨致 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期1953-1962,共10页
对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能... 对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能。研究结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带连接方式不同,所构建的几种分子磁隧道结输运性能不同,即随着电压的增加,三种分子磁隧道结中电流的变化趋势不同,虽然都观察到了明显的自旋过滤效应和巨磁阻效应,但自旋极化率和隧穿磁阻不同,其中隧穿磁阻最大可达10^(9)%量级,这一数值远高于传统磁隧道结,实验上这一数值只有18%。以上结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带所组成的磁隧道结可以应用于自旋电子器件,也可用于通过改变电压或磁场信号得到相应的电流从而起到信息传递作用的分子传感器。 展开更多
关键词 分子磁隧道结(MMTJ) 石墨炔纳米点 石墨烯纳米带(GNR) 自旋过滤效应 隧穿磁阻效应
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Electronic Transport Properties of Spin-Crossover Magnet Fe(Ⅱ)-N4S2 Complexes
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作者 杜明丽 胡玉洁 +1 位作者 黄静 李群祥 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2018年第1期33-38,I0001,共7页
Spin-crossover (SCO) magnets can act as one of the most possible building blocks in molec- ular spintronics due to their magnetic bistability between the high-spin (HS) and low-spin (LS) states. Here, the electr... Spin-crossover (SCO) magnets can act as one of the most possible building blocks in molec- ular spintronics due to their magnetic bistability between the high-spin (HS) and low-spin (LS) states. Here, the electronic structures and transport properties through SCO magnet Fe(II)-N4S2 complexes sandwiched between gold electrodes are explored by performing exten- sive density functional theory calculations combined with non-equilibrium Green's function formalism. The optimized Fe-N and Fe-S distances and predicted magnetic moment of the SCO magnet Fe(II)-N4S2 complexes agree well with the experimental results. The reversed spin transition between the HS and LS states can be realized by visible light irradiation according to the estimated SCO energy barriers. Based on the obtained transport results, we observe nearly perfect spin-filtering effect in this SCO magnet Fe(II)-N4S2 junction with the HS state, and the corresponding current under small bias voltage is mainly contributed by the spin-down electrons, which is obviously larger than that of the LS case. Clearly, these theoretical findings suggest that SCO magnet Fe(II)-N4S2 complexes hold potential applications in molecular spintronies. 展开更多
关键词 Electronic structure Transport property Spin-crossover magnet Spin-filteringeffect
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Negative Differential Resistance and Spin-Filtering Effects in Zigzag Graphene Nanoribbons with Nitrogen-Vacancy Defects
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作者 徐婷 黄静 李群祥 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第6期653-658,I0003,共7页
We explore the electronic and transport properties of zigzag graphene nanoribbons (GNRs) with nitrogen-vacancy defects by performing fully self-consistent spin-polarized density functional theory calculations combin... We explore the electronic and transport properties of zigzag graphene nanoribbons (GNRs) with nitrogen-vacancy defects by performing fully self-consistent spin-polarized density functional theory calculations combined with non-equilibrium Green's function technique. We observe robust negative di erential resistance (NDR) effect in all examined molecular junctions. Through analyzing the calculated electronic structures and the bias-dependent transmission coefficients, we find that the narrow density of states of electrodes and the bias-dependent effective coupling between the central molecular orbitals and the electrode subbands are responsible for the observed NDR phenomenon. In addition, the obvious di erence of the transmission spectra of two spin channels is observed in some bias ranges, which leads to the near perfect spin-filtering effect. These theoretical findings imply that GNRs with nitrogenvacancy defects hold great potential for building molecular devices. 展开更多
关键词 Defective graphene nanoribbon Electronic structure Spin-polarized transport property Negative differential resistance Spin-filtering
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