半导体致冷器件晶粒表面缺陷检测方法

为解决半导体致冷器件行业在晶粒表面缺陷检测中存在效率低、成本高等问题,引入卷积神经网络在半导体致冷器件晶粒表面缺陷的检测.首先,对采集图像预处理、二值化、边缘与轮廓检测处理后获得晶粒图像;然后,建立半导体致冷器件晶粒图像数据集,根据半导体致冷器件晶粒表面缺陷检测速度、准确率等要求,通过对比选择ResNet50网络并进行改进,使其输入图像尺寸更加适应半导体致冷器件晶粒特征;最后,为了更好地提取缺陷特征以及提高分类准确率,对迁移学习和数据增强进行试验.实验结果表明,半导体致冷器件晶粒表面缺陷检测平均准确率达96.17%,符合半导体致冷器件晶粒检测系统的技术指标,能满足工业生产的需求.

温差电致冷器的可靠性研究(续)

5 寿命试验5.1 常规寿命试验常规的寿命试验,主要目的就是通过试验对产品的可靠性给出定量的数值特征.通过寿命试验也可以判断某批产品是否符合技术标准中关于可靠性的要求.

基于微机电系统技术的微型热电致冷器研究进展

介绍热电材料、热电器件的原理及发展历史,从材料及结构两方面,对基于微机电系统加工工艺的微型热电致冷器的最新研究进展进行综述,比较不同材料及不同结构的性能特点,对块体热电材料和低维热电材料的研究进展进行介绍,着重分析超晶格薄膜材料及Cross-Plane型器件,指出研究具有更高优值系数的新型材料,在维持Seebeck系数不变的同时提高电导率并降低热导率,及采用新的加工工艺优化致冷器的结构,减小接触电阻、接触热阻等,是提高热电致冷器性能的有效手段。

集成双热电致冷器超长线列InGaAs组件封装技术

为了实现大视场、高空间分辨率、高光谱分辨率的指标要求,通常采用多模块拼接的技术方案,实现超长线列的组件。通过两个热电致冷器的拼接实现120 mm长度的大冷面,通过多个模块拼接实现4000元长线列InGaAs短波红外探测器组件的封装。同时针对超长线列温度均匀性实现、拼接焦平面的共面性、拼接的工程可靠性开展研究,通过热电致冷器的拼接、热分析、冷板材料的选择、零件公差控制及微调节等技术手段,在工程上实现了超大冷面的温度均匀性控制在±0.4℃以内;焦平面的共面性控制在±0.020 mm以内。封装的超长线列InGaAs短波红外组件通过了冲击和随机振动实验,实验前后焦平面的共面性无明显变化,实现了清晰的地面成像。

基于半导体致冷器数学模型的TEC制冷系统的效率估算

为了对半导体制冷系统的制冷效率进行估算 ,通过建立半导体致冷器 (TEC)的数学模型 ,并结合机械连接形式的TEC制冷系统 。

光纤陀螺中热电致冷器的热分析

论述了热电致冷器中的热效应,分析了由热效应引起的热流分配,推导了描写热流分配的方程组,建立了管芯与环境温差的数学模型。通过对实际模型的测试并对数据的进行拟合,确定了模型中的待定系数。该模型的建立对温控电路的设计具有重要的指导意义。

复杂环境下半导体致冷器的动态模型及温度控制

半导体致冷器在环境温度变化大,热传导不稳定,温度调节时间要求快等恶劣条件下工作时具有复杂的热电特性.基于小信号线性化方法得出了半导体致冷器在复杂环境下的线性动态模型,推导结果表明该模型有两个极点和一个零点,并且模型随工作条件的变化而变化.基于平均意义上的动态模型,采用模糊自适应PID控制算法和脉宽调制技术设计了半导体致冷器冷端的温度控制系统.阶跃反应表明该温度控制系统具有良好的动态性能和稳态品质,并具有良好的抗干扰特性,制冷10℃的时间约为70 s,稳态误差非常小,达到0.1℃.在简单环境下工作,其温度控制效果优于0.1℃.实验亦表明该温度控制系统在常温环境下,最大制冷温度与环境温度之差达到23℃,且随着控制温度的降低,阶跃反应的时间也越来越长,主要是和半导体致冷器的制冷效率、热沉的散热功率和半导体致冷器的供电电流饱和有关.

半导体致冷器在大功率激光器中的应用

论述了当前通信产品存在的热设计问题,介绍了通信设备中常见的散热方式、半导体致冷器的工作原理及特点。提出了大功率激光器基于半导体致冷器的散热方式,通过实验验证了半导体致冷器在大功率激光器散热中的效果。

FY-2C星辐射致冷器太阳屏研制

在风云二号(FY-2)01批气象卫星的基础上,为提高辐射致冷器(以下简称辐冷器)的性能,对C星辐冷器太阳屏进行了改进。根据太阳屏保护膜厚度和翻边白漆等表面特性对辐冷器性能的影响,通过控制保护膜厚度和改用耐紫外光的KS-Z无机漆等以改善C星太阳屏表面特性。地面试验和在轨测试结果表明,C星辐冷器温度和制冷量均在理论计算范围内,太阳屏技术改进有效。

小型致冷器制冷性能指标的确定及测试方法的探讨

本文在致冷器企业标准、产品说明书及检测经验的基础上 ,将降温时间τ和制冷量 Q定为表征致冷器制冷性能的指标 ,并介绍了用直接法及热平衡法对上述指标进行测量的方法和测试设备 。

半导体致冷器综合最佳工作状态分析

本文在分析半导体致冷器传统设计工作状态（最大致冷系数εｍａｘ状态与最大致冷量Ｑｍａｘ状态）所具有的局限性的基础上提出了半导体致冷器在小温差条件下的等功率状态概念。并推导出了半导体致冷器的最佳工作状态，在此状态下工作的半导体致冷器具有最佳的综合效益．

微型MEMS致冷器的研究新动向

微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化与集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却。因此,基于硅微机械加工工艺的微型致冷器被提上研究日程,并有望发展成为无压缩机、无机械部件的新型致冷器。着重介绍了微型MEMS致冷器的国内外研究动向与发展趋势,阐述并分析了几种典型致冷材料与器件的工作原理、技术可行性及应用研究前景。

按最大致冷系数设计的半导体致冷器的特性分析

本文找到了一种具有较高致冷系数和较大致冷量的设计方法。在保证上述条件下,本文分析了最佳工作电流和半导体致冷器的工作温度,半导体材料的优值系数等参数之间的关系。

一种新的LED制冷方案——微通道致冷器

微通道致冷器作为大功率光/电子器件新的致冷方案,具有体积小、散热效率高的特点,在军事、国防、航天航空、计算机等工业得到越来越多的重视和应用。文中对微通道致冷器制造的关键技术作了研究并进行了性能测试与数据分析,展望了微通道致冷器在功率型LED上的应用前景。

半导体致冷器与探测器杜瓦瓶钎焊的实验研究

本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。

半导体致冷器件及其在饮水机中的应用

介绍了半导体致冷器件的原理、特性、使用说明等,并举例说明了它在饮水机中的应用。

辐射致冷器红外通道在轨性能的研究

通过对风云一号气象卫星辐射致冷器红外通道遥测数据的分析，红外通道信号衰减符合指数规律．衰减系数与辐冷器内部材料放气率有关，并随时间衰减．分析了辐冷器内部材料放气特性及与红外通道信号衰减之间的关系，理论分析与卫星遥测数据基本吻合．

新型MEMS微致冷器可行性研究

MEMS的高能量密度驱动和IC高度集成使MEMS器件产生较强的热效应,影响了MEMS器件的稳定性和寿命。传统的致冷器与待致冷器件是相对独立的器件,无法满足MEMS器件局部有效致冷和系统集成的要求。介绍了一种新型铁电薄/厚膜MEMS微致冷器的原理和设计,探讨其作为MEMS致冷器的可行性,该致冷器可以在较大工作温度范围内,对基于IC硅工艺的MEMS器件和普通IC芯片进行致冷。

新型MEMS致冷器研究

微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化与集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却。因此,基于硅微机械加工工艺的微型致冷器被提上研究日程,并有望发展成为无压缩机、无机械部件、低功耗的新型致冷器。着重介绍了微型MEMS致冷器的国内外研究动向与发展趋势,阐述并分析了几种典型致冷材料与器件的工作原理、技术可行性及应用前景。

优化热电致冷器,提高系统性能

热电致冷器(TEC)已被用于医疗设备、光谱系统、探测器以及许多其它需要极端稳定的温度控制的应用场合。设计人员在试图制作高性能系统之前。