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ZnO纳米粒子的表面光电压谱和光催化性能 被引量:16
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作者 井立强 孙晓君 +3 位作者 蔡伟民 徐自力 杜尧国 傅宏刚 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1778-1783,共6页
采用焙烧前驱物碱式碳酸锌的方法制备了不同粒径的ZnO纳米粒子 ,而用粒径最小的作为光催化剂 ,通过光还原过程分别得到了贵金属质量分数为 0 .5 %和 0 .75 %的Pd/ZnO或Ag/ZnO复合纳米粒子 .利用XRD ,TEM ,XPS ,SPS和EFISPS等测试技术对... 采用焙烧前驱物碱式碳酸锌的方法制备了不同粒径的ZnO纳米粒子 ,而用粒径最小的作为光催化剂 ,通过光还原过程分别得到了贵金属质量分数为 0 .5 %和 0 .75 %的Pd/ZnO或Ag/ZnO复合纳米粒子 .利用XRD ,TEM ,XPS ,SPS和EFISPS等测试技术对样品进行了表征 ,并通过光催化氧化气相正庚烷评估了样品的光催化活性 ,考察了微晶尺寸和贵金属Pd或Ag的沉积对ZnO纳米粒子表面光电压信号以及光催化活性的影响 ,探讨了样品表面光电压谱与其光催化活性的关系 ,说明了可以通过表面光电压谱的测试来初步地评估纳米粒子的光催化活性 .结果表明 :随着ZnO纳米微晶尺寸的减小 ,其SPS信号强度逐渐变弱 ,而光催化活性逐渐升高 ;沉积适量的贵金属Pd或Ag后 ,ZnO纳米粒子的SPS信号强度明显下降 ,而其光催化活性却有所升高 .此外 。 展开更多
关键词 光催化性能 ZnO 复合纳米粒子 表面光电压谱 光催化氧化 正庚烷 氧化锌 光催化剂
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量子尺寸氧化锌颗粒的表面光电压谱研究 被引量:18
2
作者 张昕彤 庄家骐 +5 位作者 徐金杰 谢腾峰 王德军 白玉白 李铁津 姚建年 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1945-1947,共3页
In the present work, we prepared two kinds of quantum sized ZnO particles whose size were 3 nm(P1) and 5 nm(P2), respectively, and studied their surface properties with surface photovoltage spectroscopy(SPS) and elect... In the present work, we prepared two kinds of quantum sized ZnO particles whose size were 3 nm(P1) and 5 nm(P2), respectively, and studied their surface properties with surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS). The photovoltaic response of the two samples showed opposite dependence on external electric field. And when electric field was applied, the thresholds of photovoltaic response of the two samples were all red shifted. The results showed that the surface properties of P1 were different from those of P2, because of their different preparation process. We assigned that basic zinc acetate structure exist on the surface of P1 sample. While for P2 sample prepared by aging P1, that kind of surface structure disappeared, but the particles might be doped with lithium ions in the aging process. 展开更多
关键词 氧化锌 纳米微粒 表面光电压谱 量子尺寸效应
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三聚噻吩的表面光电压谱研究 被引量:3
3
作者 曹昌盛 王策 +2 位作者 曹亚安 史延慧 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1010-1012,共3页
采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为 .结合三聚噻吩的 UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论 ,指认了三聚噻吩能级跃迁性质 ,即 3 80 nm附近的峰为带 -带跃迁峰 ,4 47,4 65和 60 0 nm附... 采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为 .结合三聚噻吩的 UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论 ,指认了三聚噻吩能级跃迁性质 ,即 3 80 nm附近的峰为带 -带跃迁峰 ,4 47,4 65和 60 0 nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁 ;而在 770和 90 0 展开更多
关键词 三聚噻吩 极化子 表面光电压谱 电场诱导表面光电压 电子运动 电子跃迁
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SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究 被引量:3
4
作者 戴国瑞 姜月顺 +3 位作者 王雅静 董玺娟 汤大新 李铁津 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第11期871-877,共7页
本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2^(2-)和O^-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表... 本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2^(2-)和O^-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果. 展开更多
关键词 SNO2 薄膜 红外光 表面光电压谱
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表面光电压谱(SPS)在有机半导体材料研究中的应用 被引量:4
5
作者 曹健 汪茫 +1 位作者 孙景志 周雪琴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期231-233,共3页
简要介绍了表面光电压谱 (SPS)的几种常用测试方法和测试原理 ,通过典型实例说明了SPS技术在研究有机半导体电子结构、有机半导体薄膜的光电性能与制备方法的关系、半导体异质结性能等方面的应用。评述了SPS技术在研究酞菁氧钛 /偶氮绿... 简要介绍了表面光电压谱 (SPS)的几种常用测试方法和测试原理 ,通过典型实例说明了SPS技术在研究有机半导体电子结构、有机半导体薄膜的光电性能与制备方法的关系、半导体异质结性能等方面的应用。评述了SPS技术在研究酞菁氧钛 /偶氮绿丹蓝复合材料的光电性能中发现的光伏极性反转新现象。 展开更多
关键词 表面光电压谱 有机半导体 电子态
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α-Bi_2Mo_3O_(12)/MoO_3催化剂的表面光电压谱研究 被引量:3
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作者 于剑锋 吴通好 王德军 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第9期853-858,共6页
合成了系列催化剂Bi_xPMo_(12)O_y(2=2~9,y=43~64),高温焙烧后该系列催化剂的基本组成为白钨矿型的α—Bi_2Mo_3O_(12)/MoO_3.研究其表面光电压谱发现,随着Bi/P比的增高,相应的光电压响应呈现规律性变化.在该系列催化剂上的丙烷选择... 合成了系列催化剂Bi_xPMo_(12)O_y(2=2~9,y=43~64),高温焙烧后该系列催化剂的基本组成为白钨矿型的α—Bi_2Mo_3O_(12)/MoO_3.研究其表面光电压谱发现,随着Bi/P比的增高,相应的光电压响应呈现规律性变化.在该系列催化剂上的丙烷选择氧化实验结果表明,铋含量增加,催化剂中作为碱性位的阳离子缺陷的浓度随着白钨矿结构中阳离子空位的有序化而下降,反映在光电压响应中对应着P_1带强度的减弱和P_2带的负移,而与之对应的催化活性迅速下降. 展开更多
关键词 表面光电压谱 丙烷选择氧 催化剂 三氧化钼
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二氧化钛/多孔硅/硅异质结的表面光电压谱 被引量:3
7
作者 李旦振 刘平 付贤智 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期558-560,共3页
首次在多孔硅 (PS)的表面镀纳米二氧化钛 (TiO2)薄膜,表面光电压谱 (SPS)测试表明:镀膜后多孔硅的光电压信号增强约2~3个数量级,其原因可能是双异质结构TiO2/PS/p-Si能有效地吸收近红外一直到紫外光... 首次在多孔硅 (PS)的表面镀纳米二氧化钛 (TiO2)薄膜,表面光电压谱 (SPS)测试表明:镀膜后多孔硅的光电压信号增强约2~3个数量级,其原因可能是双异质结构TiO2/PS/p-Si能有效地吸收近红外一直到紫外光,并且近本征的多孔硅自建电场增大,使光生电子-空穴对能有效地分离;PS/p-Si之间的势垒差产生的阻止少于向电极扩散的背向电场,也能有效地增强光生电压. 展开更多
关键词 表面光电压谱 多孔硅 异质结 纳米二氧化钛薄膜
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发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响 被引量:2
8
作者 陈亮 钱芸生 常本康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1008-1012,共5页
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一... 通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响;发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率. 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 表面光电压谱 电子扩散长度 发射层厚度 后界面复合速率
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光声光谱及表面光电压谱的能量校正和波长坐标校正 被引量:2
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作者 顾玉宗 张兴堂 +1 位作者 刘燕京 朱自强 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 1990年第2期77-83,共7页
本工作以Rosencwaig和Gersho的理论为依据,用自行设计安装的光声光谱仪,对光声光谱、表面光电压谱进行了能量及波长坐标校正,得到了相当于光源能量不随波长而变及波长坐标线性变化的结果。
关键词 光声光 表面光电压谱 能量 校正
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利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁 被引量:1
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作者 康博南 黄宗浩 +6 位作者 谢腾峰 王德军 常玉春 刘杨 宋俊峰 张邦恒 杜国同 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期190-193,共4页
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50~ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0~ 60 0 nm) .实验证明 。
关键词 MEH-PPV 表面光电压谱 定域态 定域跃迁 共轭聚合物 能级跃迁 聚对苯乙炔 光电性能
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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究 被引量:2
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作者 崔毅 王宝辉 张力 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第5期620-622,共3页
采用表面光电压谱和光电化学方法 ,对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a- Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究 ,测定了 a- Si:H薄膜的能带结构 ,为 a-
关键词 A-SI:H薄膜 氢化非晶硅 表面光电压谱 光电化学 半导体材料
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TiO_2薄膜制备及其表面光电压谱研究 被引量:1
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作者 戴国瑞 刘旺 +4 位作者 陈自力 姜月顺 诸真家 陈丽华 李铁津 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期372-378,共7页
本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结果表明,Ti/O原子比接近2,钛原子氧化态为4,高温氢气退火处理的样品,存在三价态钛Ti^(3+).TiO_2薄膜淀积在... 本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结果表明,Ti/O原子比接近2,钛原子氧化态为4,高温氢气退火处理的样品,存在三价态钛Ti^(3+).TiO_2薄膜淀积在硅衬底上,在合适条件下,表面光电压信号增强约二个数量级,主要是形成异质结和消反射作用的结果. 展开更多
关键词 TIO2薄膜 制备 表面光电压谱 测试
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聚乙烯咔唑超分子膜/p-Si体系的表面光电压谱研究 被引量:2
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作者 顾玉宗 符瑞生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期49-52,共4页
利用LB技术,以二十碳酸作辅助成膜材料,在疏水处理的P-Si上分别制备了2、4、6、10和20层聚乙烯咔唑(PVK)超分子膜。对这种体系的表面光电压谱(SPS)研究结果表明,表面光电压随PVK膜层数的增加而增强,在紫... 利用LB技术,以二十碳酸作辅助成膜材料,在疏水处理的P-Si上分别制备了2、4、6、10和20层聚乙烯咔唑(PVK)超分子膜。对这种体系的表面光电压谱(SPS)研究结果表明,表面光电压随PVK膜层数的增加而增强,在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加,表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于PVK的光导电性引起的。 展开更多
关键词 超分子膜 表面光电压谱 聚乙烯咔唑
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应用表面光电压谱研究固体表面酸度 被引量:1
14
作者 王德军 冯守华 +2 位作者 刘旺 肖良质 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期1240-1244,共5页
测量与亚带隙辐射相关的表面光电压谱可极其灵敏地得到固体表面态信息。固体表面酸与受体表面态相关。本文用近红外光辐射测试了分子筛和杂多酸的表面光电压,观察到在900~1500 nm光谱区有表面光电压响应。不同的峰位对应不同受体表面... 测量与亚带隙辐射相关的表面光电压谱可极其灵敏地得到固体表面态信息。固体表面酸与受体表面态相关。本文用近红外光辐射测试了分子筛和杂多酸的表面光电压,观察到在900~1500 nm光谱区有表面光电压响应。不同的峰位对应不同受体表面态位置,代表不同酸的强度;峰强度对应态密度,反映了酸总量。对初步结果也进行了理论分析。 展开更多
关键词 表面光电压谱 分子筛 杂质酸
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四苯基卟啉及其衍生物的表面光电压谱 被引量:1
15
作者 韩明勇 刘旺 +2 位作者 王永强 安庆大 李铁津 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期91-93,共3页
酞菁和卟啉染料是一类典型的分子半导体材料,由于其在生命过程、癌的治疗等生物学上的探索及其化学传感、光电特性在固体电子学器件研究中占有很重要的地位。尤以这类染料的光电性质深受人们的重视,这与太阳能光电池。
关键词 表面光电压谱 四苯基卟啉
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掺铁TiO_2的X-射线衍射和表面光电压谱研究
16
作者 段晓东 孙德智 +4 位作者 齐虹 朱质彬 史鹏飞 徐金杰 王德军 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期411-413,共3页
以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。结果表明 ,在掺铁量小于 0 .0 0 7(Fe/Ti摩尔比 )范围内 ,随着掺铁比的逐渐提高 ,催化剂粒径逐渐增大 ,催化剂的带隙宽度加大 ... 以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。结果表明 ,在掺铁量小于 0 .0 0 7(Fe/Ti摩尔比 )范围内 ,随着掺铁比的逐渐提高 ,催化剂粒径逐渐增大 ,催化剂的带隙宽度加大 ,光电压响应阈值蓝移 ,预示着实际应用中催化剂的催化活性的提高。但随着催化剂掺铁比例的进一步提高 ,Fe2 O3相的出现将导致光催化剂在长波处出现光伏响应 。 展开更多
关键词 TIO2 掺铁 X-射线衍射 场诱导表面光电压谱
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细菌视紫红质(BR)的表面光电压谱研究
17
作者 王宝辉 王今堆 +3 位作者 傅学奇 王德军 崔毅 李铁津 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期35-40,共6页
采用表面光电压谱系统地研究了细菌视紫红质(BR)的光伏特性,结果表明BR薄膜有着独特的光电性质,并且与BR薄膜的制备方法和湿度有关。从经过HEPES修饰的BR表面光电压谱,观察到了BR的中间体M412和O640响应峰... 采用表面光电压谱系统地研究了细菌视紫红质(BR)的光伏特性,结果表明BR薄膜有着独特的光电性质,并且与BR薄膜的制备方法和湿度有关。从经过HEPES修饰的BR表面光电压谱,观察到了BR的中间体M412和O640响应峰,说明HEPES对BR中间体的稳定作用。 展开更多
关键词 细菌视紫红质 表面光电压谱 光电响应
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应用表面光电压谱研究TiO_2/AS体系的表面态
18
作者 葛晓萍 史书阳 李露 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第4期301-303,共3页
采用(NH4)2SO4和TiO2为原料,制备了TiO2/AS复合材料。用表面光电压谱(SPS)表征了TiO2/AS的表面态。发现在热处理过程中(NH4)2SO4和TiO2之间发生了反应,生成了S-Ti配合物,这个表面的S-Ti配合物SPS峰的强度和IR峰的强度与处理温度有平行... 采用(NH4)2SO4和TiO2为原料,制备了TiO2/AS复合材料。用表面光电压谱(SPS)表征了TiO2/AS的表面态。发现在热处理过程中(NH4)2SO4和TiO2之间发生了反应,生成了S-Ti配合物,这个表面的S-Ti配合物SPS峰的强度和IR峰的强度与处理温度有平行关系。 展开更多
关键词 TiO2/AS 表面光电压谱 光伏效应
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表面光电压谱及其检测技术实验
19
作者 刘向阳 王蓓 +2 位作者 郑海务 黄明举 顾玉宗 《物理实验》 北大核心 2009年第12期1-4,10,共5页
利用锁相放大器、单色仪、Xe灯光源等搭建了表面光电压谱检测仪.基于表面光电压谱技术的原理,并借助场诱导表面光电压谱测定了半导体材料的光伏响应、导电类型、能带隙和表面电荷分布.
关键词 半导体表(界)面 光电性质 表面光电压谱
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新型功能材料的表面光电压谱与光电特性研究
20
作者 王宝辉 李铁津 王德军 《感光科学与光化学》 CAS CSCD 1995年第4期374-375,共2页
新型功能材料的表面光电压谱与光电特性研究博士研究生王宝辉导师李铁津,王德军(学位授予单位吉林大学化学系,长春130023)多孔硅、氢化非晶硅和超微粒子是当前电材料的研究热点和核心,由于三种材料具有十分独特的光电性质和... 新型功能材料的表面光电压谱与光电特性研究博士研究生王宝辉导师李铁津,王德军(学位授予单位吉林大学化学系,长春130023)多孔硅、氢化非晶硅和超微粒子是当前电材料的研究热点和核心,由于三种材料具有十分独特的光电性质和丰富的物理现象,在光电子学、太阳能... 展开更多
关键词 光电材料 光电特性 表面光电压谱
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