触发电流对真空触发开关导通特性影响的实验

基于真空触发开关的导通机理,设计真空触发开关导通特性的实验研究方案。在详细分析真空触发开关导通过程的基础上,利用不同参数的触发电流导通真空间隙来研究对真空间隙导通过程的影响规律:在相同主间隙电压下,导通所需的触发电荷量随着导通时间的增长而在一定小范围内随之增长,而导通延时又随着触发电流的电流增长率和峰值增大而减小。再通过对导通过程影响规律的深入分析,得到了真空间隙的导通条件。即在主间隙电压为定值时,真空间隙导通所需的触发电荷量要近似满足一定关系。

数控交流稳压电源中零电流触发的研究

本文介绍了数控交流稳压电源中零电流触发脉冲的前沿相位和脉冲宽度。流过双向晶闸管的电流与零电流脉冲宽度的关系，电压控制信号的最佳到达相位。

沿面击穿型触发真空开关的触发实验研究

为给触发真空开关(TVS)在脉冲功率系统多级放电中的应用提供参考和设计依据,通过空载和通流两种触发实验研究了一种沿面击穿型的TVS,对比分析触发间隙电阻和触发电压两个参数变化规律的实验结果表明,在通流实验次数不多时存在触发间隙电阻增大、触发电压减小的趋势,原因在于沿面击穿型TVS工作过程中主间隙电流的作用远大于触发电流的作用,而主间隙电流的作用取决于大电流电弧以及金属蒸气沉积的效果。

多棒极型触发真空开关触发特性

主要研究多棒极型触发真空开关(TVS)的触发特性及其影响因素。研究表明,真空开关的触发时延主要由导通时延决定,增加触发电流的幅值和陡度(di/dt)可减小TVS的导通时延及其分散性。脉冲变压器直接触发TVS,可通过减小变压器漏感、提高触发电容的充电电压或增加触发电容电容量来降低导通时延及其分散性,但触发电容增加到一定值后对增加触发能量无帮助,没有必要继续增加。变压器直接触发方式可使导通时延减小至4μs左右,但分散性较大,且存在较小的触发回路电流导致的触发极熄弧现象。在脉冲变压器直接触发回路的基础上设计并研究了两种改进的触发回路:一种为脉冲变压器匹配续流回路,TVS导通时,通过续流回路的充电电容续流可使触发电流达kA级,导通时延减小至2～4μs,由于回路结构复杂,受到杂散参数影响,触发电流的幅值和陡度受到限制;一种为改进的触发回路,在触发极和阴极两端直接并接电容,导通时延可保持在1μs之内。最后研究并确定了并接电容选取依据和取值区间;对触发电压较小的TVS可在并接电容和触发极之间串联间隙,增大电容的充电电压和触发极能量,达到TVS可靠、精确触发的目的。

长间隙真空触发开关导通特性

基于真空触发开关的导通机理,设计了长间隙真空触发开关导通特性的实验方案。根据高速摄像图片讨论了长间隙真空触发开关的导通过程和影响导通特性的因素。通过实验得到了触发电流对间隙脉冲电流的影响规律:采用上升时间较短且峰值较高的触发电流,能够明显降低主间隙的火花电阻和导通延时,验证了对导通过程的理论预测。

晶闸管强触发电路设计

为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小(小于4 ns),具有较高的稳定性和可靠性。

AC型剩余电流动作断路器电子组件测试系统

针对剩余电流动作断路器电子组件生产检测中存在的自动化程度低、检测效率不高和精度低等问题,研究了交流可调触发电流发生技术及控制算法,设计了以ARM微控制器为核心的硬件电路,主要包括交流可调触发电流发生器、标准剩余电流互感器、工装夹具与传动控制单元、人机界面等部分,同时给出了系统软件及控制算法的设计流程图。测试数据表明:样机输出的交流可调触发电流最大示值误差为0.4%,具有自动测试、合格判断、数据存储、历史查询、通信等功能,满足了用户需求。

双向触发二极管的研制

双向触发二极管是利用双向闸流管原理设计出来的。它具有二极管的外形、双向可控硅的特性曲线,又能起到开关的作用,所以称它为双向触发二极管。双向触发二极管是一种用途很广的器件,它适用于多种形式的电路,在可控硅控制的电路中是一个触发元件、其典型的应用电路如图1所示。该电路是由负载电阻R_L、可调电阻R_1、电容C_1、双触发二极管Diac和双向可控硅五个元件组成的.此电路可以通过改变可调电阻R_1的阻值,来改变电容C_1的充电时间,以调整Diac的导通角。

新一代高压软起动器光电触发系统的研制

触发技术是高压软起动器的核心技术。文章介绍了一种高压软起动器的光电触发系统,详细描述了该系统的晶闸管阀触发功能和晶闸管状态检测功能,并通过实验验证了该系统的有效性。

10kV对旋风机软启动及触发技术研究

常规的晶闸管斜坡调压软启动方式和晶闸管触发系统对10 kV系统下的异步电机难以获得良好的启动效果。为此提出了基于续流角增量的定子电压补偿方法和模糊恒流启动控制方式,基本消除了大功率电机启动过程中的电流过大和电流振荡。晶闸管采用高频电流源触发,解决高压侧和低压侧隔离触发的问题。基于以上方法的新型软启动器在10 kV对旋风机上获得了不错的应用效果。

电子辐照改善可控硅触发性能的研究

应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照,使用晶体管图示仪测试其门极触发电流和通态电压,研究了辐照剂量、剂量率对门极触发电流和通态电压的影响,使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验,监测其退火后参数的变化。实验表明,门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大,辐照剂量在20 k Gy以下时,通态电压基本没有增加;门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时,存在反退火现象,继续提高退火温度又表现出正常的退火结果;1.5 Me V电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门极触发电流,还能提高晶圆片门极触发电流的一致性。

低触发电压的可控硅ESD保护结构的设计

当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行ESD的保护,但是一般的SCR保护结构很难满足现在低电压,以及一些特殊要求的集成电路ESD保护的要求。研究一种低触发电压的可控硅结构保护电路,通过和工艺寄生参数的结合,满足了低触发电压的设计要求。

创立达科技推出新一代微触发单向可控硅

2008年8月11日，国内领先功率半导体器件、芯片和模块供应商无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅TSE2P4M和TSE0405。这代产品采用全新的设计方法和工艺技术，大大改善了其开关性能和温度特性。经国内主要摩托车电器装备厂家使用实践证明，该产品能够克服上一代产品中存在的触发电流不易控制、温度特性差和开关速度低等弱点，有效提高点火器的点火能量及可靠性，其电性能已经达到了国外同类产品的水平。

双向可控硅低温触发的研究

双向可控硅工作于开关模式时,其栅极需要有较大的触发电流才可以使可控硅触发导通,但光电耦合器的输出电流往往比较小,因此环境温度较低时,光耦非常不容易触发双向可控硅;在光耦与可控硅之间添加一个共射极放大器,光耦输出的触发信号经共射极放大器放大后,可以很轻易地触发各类可控硅,甚至低端光耦也可以触发较大功率的可控硅。

矿井提升机交交变频调速系统同步电动机定子相电流调节器的优化

主要针对矿井提升机同步电动机的矢量控制系统中,影响定子交流电流,即相电流的因素进行了详细解读和分析,并重点介绍了相电流控制优化的方法。

可控硅触发特性参数测试仪的设计与制作

可控硅触发特性参数测试仪的设计与制作先明（成都大学成都６１００８１）自一九五四年美国贝尔实验室皮尔逊（Ｇｅｒａｌｄ，Ｐｅａｒｓｏｎ）根据肖克莱（Ｗｉｌｌｉａｎ，Ｓｈｏｃｋｄｅｙ）理论制成世界上第一只可控硅以来，由于可控硅特有的优点，从很小的儿童玩具到...

基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计

SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁。文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁。

可控硅物理特性综合实验仪的设计与制作

在研究可控硅物理特性的基础上,设计制作了可控硅物理特性综合实验仪。该实验仪除了能测试单向可控硅之外,还可对双向可控硅、光控可控硅等的物理特性进行测试。该实验仪的成功研制,将有助于实验者对可控硅基本性能的掌握,并且丰富了实验教学的内容。