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SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
被引量:
11
1
作者
谢孟贤
古妮娜
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期34-43,共10页
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其...
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。
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关键词
双极型晶体管
异质结双极型晶体管
SiGe-HBT
SiGe-BiCMOS
调制掺杂场效应晶
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职称材料
题名
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
被引量:
11
1
作者
谢孟贤
古妮娜
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
台积电(上海)有限公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期34-43,共10页
文摘
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。
关键词
双极型晶体管
异质结双极型晶体管
SiGe-HBT
SiGe-BiCMOS
调制掺杂场效应晶
Keywords
BJT
HBT
SiGe-HBT
SiGe-BiCMOS
MODFET
Strain engineering
SiGe-FET
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
谢孟贤
古妮娜
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
11
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