一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO

设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器（VCO）。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围。基于SMIC 65 nm工艺,在1.8 V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证。结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 m W;当控制电压在0.6~1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495~1.499 GHz。

扩大滤波器调谐范围的自动补偿法

提出一种扩大同轴线型机械调谐滤波器调谐范围的新方法─—自动偿法。能将同轴线型机械调谐滤波器的调谐范围从５～２０％满意地扩展到倍频程￣［１］；此法不影响在调谐范围内对带宽的控制，不增加滤波器的体积，甚至对谐振器的品质因数也无明显的影响，同时给出了几种应用实例。

环形腔声光可调谐掺铒光纤激光器调谐范围的研究

介绍了一种基于声光可调谐滤波器(AOTF)的可调谐掺铒光纤激光器。从掺铒光纤放大器的速率方程和传输方程出发,推导出声光可调谐掺铒光纤激光器的输出公式,理论上解释了该环形腔声光可调谐掺铒光纤激光器调谐范围仅决定于掺铒光纤的增益带宽;并在实验中测得该激光器调谐范围为1 526.05 nm到1 560.63 nm,这个区间对应着实验所得掺铒光纤自发辐射谱的增益区间,从而验证了理论推导所得结论。

减反射膜与外腔半导体激光器调谐范围

由于镀了减反射膜的半导体激光二极管端面的反射曲线的谱宽有限，而且，增益峰值波长随载流子密度的变化，因而实际上起作用的反射率通常都比能测到的最低反射率高，在腔内可建立的载流子密度的上限比预期的低。在考虑了这些因素后，计算了用这种管子作外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）的增益介质时。

展宽文氏桥振荡器调谐范围的新方法

本文对限制文氏桥振荡器调谐范围的主要原因作了分拆.为了展定文氏桥振荡器的调谐范围,文中利用复合型运算放大器来补偿单运放有限的增益带宽税的不利影响,并采用开关电容等效电阻,以获得稳定的大时间常数.实验结果表明了该方案的有效性,并已成功地应用于宽带高精度信号源的设计.

L波段宽调谐范围的取样光栅分布布拉格反射激光器设计

L波段取样光栅分布布拉格反射(SG-DBR)激光器在高速光通信与无源光网络中具有广泛的应用前景。本文以InGaAsP作为无源波导区材料,从理论上分析了实现L波段宽调谐SG-DBR激光器所需的关键参数,包括前后取样光栅的反射峰间隔、取样周期、占空比等。同时采用传输矩阵模型,讨论了取样对数与前、后取样光栅反射特性的关系。最后得到了一组优化的SG-DBR激光器参数,其对应的调谐范围达到47.6 nm。

60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计

基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器(VCO)设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz(15.3%),与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz～64GHz开放频段超高速短距离无线通信。

微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围分析与设计

介绍了可调谐激光器的意义和它的基本调谐方法及调谐原理.对影响微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围的因素做了重点分析,计算了空气隙的最大变化范围和由此引起的激射波长的调谐范围.

低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz压控振荡器设计

本文采用TSMC0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO。采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5GHz,调谐范围为460MHz,在5GHz频偏100KHz时相位噪声为-101.57dBc/Hz的VCO。电源电压为2.6V,总直流消耗为9.74mA,总直流功耗为25.324mW。

一种宽调谐范围的毫米波LC压控振荡器设计

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种具有宽调谐范围的毫米波电感电容压控振荡器,振荡器采用开关电容阵列、大容值范围可调电容和大滤波电容实现频率调谐范围与相位噪声的双优化.通过三组开关电容阵列来获得八条子频段,优选容值范围较大的可调电容来细调每一个频段的振荡频率,获得较大的调谐增益Kvco,从而最大程度地提高频率调谐范围.通过大滤波电容与尾电流源构成的低通滤波器抑制偶次谐波附近的噪声,从而优化相位噪声.仿真结果表明,在1.2 V的工作电源电压下,压控振荡器的频率调谐范围22.2 G^29.2 GHz,中心频率25.7 GHz,在1 MHz频率偏移处的相位噪声-100.9 dBc·Hz^-1,功耗10.81 mW,芯片核心面积为0.056 mm^2.

宽调谐范围低相位噪声的小面积VCO设计与实现

为了解决压控振荡器的调谐范围、相位噪声、功耗和芯片面积等指标难以多重优化的问题,本文基于TSMC40 nmCMOS工艺,通过设计改进型开关电容阵列、高Q值LC谐振电路和大滤波电容等结构,实现了一种宽调谐范围低相位噪声的小面积压控振荡器.采用NMOS型负阻结构,以适应于0.9 V的低电源电压电路.将改进型开关电容阵列与可调电容相结合,获得8条工作于不同频率的子频段,通过选择合理的电容,使8个子频段首尾重叠,从而获得一段连续的振荡频率.与传统结构相比,改进型开关电容阵列添加了两个上拉电阻和一个输入端反相器,既能获得更宽的调谐范围,又可以抑制电源噪声,从而优化相位噪声.通过大滤波电容与尾电流MOS管并联构成低通滤波器,滤除共模点处的高频分量,抑制偶次谐波噪声,同时使输出波形更加对称,仿真结果表明,添加大滤波电容后相位噪声降低了3.02 dB.在满足电路要求的情况下,选择Q值更高的电感和电容提高谐振电路的品质因数,从而降低功耗.版图采用抽头电感,减少电感的使用个数,节省版图面积,降低成本.测试结果表明,在0.9 V电源电压下,压控振荡器的频率调谐范围为2.65~3.84 GHz,中心频率为3.24 GHz,在1 MHz频率偏移处的相位噪声为-109.71 dBc/Hz,功耗为10.81 m W,芯片核心面积仅为0.13 mm~2.

低功耗宽调谐范围锁相环设计

针对传统锁相环输出频率范围有限、功耗大的缺陷,通过对压控振荡器震荡机理进行理论分析,设计了一款用于时钟发生器的低功耗、宽调谐范围、低相位噪声锁相环。该锁相环采用了新型可编程、低调谐增益、低功耗的环形振荡器,达到了宽频率输出范围、低相位噪声、低功耗的目的,采用SMIC公司0.18um混合信号工艺,用Cadenced的Hspice仿真工具进行仿真,在1.8V电源电压供电情况下获得了50MHz-1.7GHz的频率锁定范围和1.8mW-2.3mW的较低功耗。单边带相位噪声在10KHz频偏处为-104dBc/Hz.。

国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录

湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作，将半导体激光芯片调谐范围（指发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。据介绍，此前半导体激光器调谐范围最长只能达到几十纳米。

一种宽频率调谐范围的前馈型VCO设计

为满足SerDes(SERializer/DESerializer)接收端相位插值型时钟数据恢复电路(CDR)对正交多相时钟的要求,采用22 nm CMOS工艺,设计了一种具有宽频率调谐范围,可产生12相时钟的前馈型环形压控振荡器(VCO)。电路包括频率调节电路和前馈型VCO电路两个部分。频率调节电路采用粗细调结构增大了振荡器调谐范围,实现了频率的精确调节;前馈型VCO通过辅助前馈通路形成5级环形振荡器,提高了振荡频率,产生的12相正交时钟也提高了插值线性度。仿真验证结果表明:所设计的VCO输出频率范围为2.21~11.23 GHz,8 GHz频率下振荡器的相位噪声为-93.1 dBc/Hz@1 MHz,-114.05 dBc/Hz@10MHz,功耗为5.18 mW。

湖南大学改写纳米线激光器调谐范围世界纪录

湖南大学邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学宁存政教授领衔的纳米光子学小组合作，将半导体激光芯片调谐范围（即发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创下纳米线激光器调谐范同的世界记录，与原来调谐范围最长仅几十纳米相比，发光波长调节范围扩大约10倍。

国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录

湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作，将半导体激光芯片调谐范围扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。这项成果将可能在新光源、光通讯、分子和生物传感、太阳能电池等领域产生很多应用。国内外的许多激光专家都在研究如何提高半导体激光器的调谐范围，以更充分发挥激光的作用。

最大化SA／NE602的调谐范围

本文阐述了SA／NE602考毕兹振荡器电路在中频，高频，甚高频应用中理论和实验的结果。 许多年前，我开始从事设计以SA／NE602集成电路为前端的AM超外差无线接收机的实验。其中一个最具挑战性的任务包括设计一个可在2．17：1频率范围（995kHz～2155kHz）内调谐的本地振荡器，并要求它能接受所有的AM频段（540kHz～1700kHz）。我发现制造商的应用手册中提供的振荡器的设计信息对完成这个任务几乎没有帮助。本文接下去阐述的是我试图将SA／NE602考毕兹振荡器的设计建立在一个更严格的基础上。

我国成功改写纳米线激光器调谐范围的世界记录

据媒体报道,湖南大学的研究人员与美国亚利桑那州立大学合作,将半导体激光芯片调谐范围扩大,成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光,创下纳米线激光器调谐范围的世界记录。