超大规模集成电路适应性测试方法综述

随着现代半导体工艺的迅猛发展,超大规模集成电路(VISI)的研发和制造技术日臻成熟,一个普通芯片,甚至由几亿个晶体管组成。随着集成电路设计和制造复杂度的提高,工艺技术的不断创新,电路测试难度大幅度提升,测试成本飙升,因此,自适应测试的发展至关重要,动态地调整测试流程,消除测试模式冗余,减少了测试时间,提升了测试效率,降低了测试成本。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。

面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法

随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果.

日本超大规模集成电路项目合作开发的启示

通过回顾1976年日本通产省所成功组织的超大规模集成电路研发项目,着重分析了日本政府在VL- SI研究项目中的组织方式、联合研究项目的技术和参与成员选择、联合实验室的组织形式、资源分配等方面所发挥的重要作用,在此基础上,指出了政府在构建以企业为主体的研发机制中应特别注意在研发成员组成、技术领域、组织形式等方面的选择。

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 .

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。

超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究

通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI)

化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展

随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了

基于PCI总线的超大规模集成电路边界扫描测试系统

采用现场可编程门阵列 (FPGA)和PCI 90 5 2目标接口芯片 ,实现了符合PCI总线规范和IEEE 114 9 1标准的超大规模集成电路边界扫描测试系统 ,具有对系统级、PCB级和芯片级集成电路进行边界扫描测试的功能 ,结构简单、速度快。

超大规模集成电路的板级测试研究

为检测以超大规模集成电路为核心的电子设备,设计了基于边界扫描技术的电路测试系统。对超大规模集成电路进行板级测试,并提出在互连网络两端的边界扫描单元分别做输出操作的针对互连测试和簇测试过程的测试方法。测试结果表明:利用该方法,提高了超大规模集成电路板级故障的分辨能力,获得了更好的测试效果。

国产超大规模集成电路测试系统综合试验验证方法

为全面验证国产超大规模集成电路测试系统的工作指标和性能,提出测试系统的一种综合试验验证方法,根据测试系统不同的验证阶段,分别从系统仪器技术指标测试试验验证、系统软硬件功能测试试验验证和系统集成电路测试能力试验验证3个阶段开展综合试验,并针对各阶段的验证方法开展测试系统的试验验证实例分析,验证实例结果表明该综合试验验证方法能够全方位验证国产超大规模集成电路测试系统的工作指标、功能性能以及测试能力,进一步验证所述方法的可行性;该验证方法能够有效解决集成电路测试系统投入测试应用前的试验验证问题,也为新研集成电路测试系统的指标与功能性能验证提供一种有效的综合验证思路。

超大规模集成电路设计平台建设初探

着重介绍了依托学校IC设计中心,以学科建设为目标,建设超大规模集成电路设计平台。建设方案既注重软硬件优化配置、性价比、系统的实用可靠及先进水准,又提出公用平台的共享管理措施。所提出的平台建设方案及管理经验可供有关院校借鉴。

超大规模集成电路系统设计课程实践教学改革与实践

超大规模集成电路系统设计课程是计算机工程专业方向的学科基础课,是一门理论和实践紧密结合的课程。文章提出把该课程的实践分为课程实验、自主实验和课程设计3种类型,3种类型的实验全部基于Nexys3 FPGA开发板进行设计,同时阐述考试方式改革方法。

日本超大规模集成电路研究组合的若干经验

一九七六年至一九八零年,在日本通产省的主持下,日本最大的五家计算机公司(富士通、日本电气、日立、东芝和三菱电机)组成“超大规模集成电路技术研究组合”(以下简称“超LSI组合”或“组合”),共同研究为制造超LSI所必要的技术。经过四年的努力,“组合”不仅在技术上取得了成功,而且为国家主持大型技术开发项目提供了不少成功的经验。

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究

在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠离子的有机碱和高效的无钠螯合剂减少了金属离子的玷污,对活性剂影响吸附的作用机理进行了分析,得到了一种小粒径、高速率和低损伤的无钠抛光液。

《超大规模集成电路与系统导论》双语教学方法学的研究与实践

《超大规模集成电路与系统导论》是电子科学与技术学科微电子工程专业的重要专业理论课。该课程采用双语教学的重点和意义是:使学生能正确理解并熟练掌握集成电路与系统设计所用到的专业名词、理论概念以及计算机辅助工具各个内容的全英文表达;具备合格的阅读英文相关科技文献和设计需求手册的能力。本文分析课程特点和双语教学特色,提出一系列从选择教材、制定教学大纲、编写教案和教学课件、选择有效的教学形式与方法、安排项目实践课等方面完整的教学方法学上的研究与创新思路。

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”