温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度下的软畴段对应着不同的(Hip)d,而且(Hip)d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(Hip)d是饱和磁化强度4πMs的2倍.

软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系

研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。

软畴段在面内磁场作用下的行为

实验研究发现Ｈｉｐ对软畴段的条泡转变场Ｈｓｂ和磁泡缩灭场ＨＯ有较大影响。