近化学计量比的HgCdTe薄膜表面处理方法

本文采用X射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br_(2):Me)、溴-氢溴酸(Br_(2):HBr)和溴-氢溴酸-乙二醇(Br_(2):HBr:Eg)3种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe表面状态进行了研究,结果表明这3种溴基腐蚀液均会造成HgCdTe表面富碲(Te^(0)),且富碲程度为(Br_(2):HBr:Eg)<(Br_(2):HBr)<(Br_(2):Me)。为了获得接近化学计量比的表面,一般采取先氧化富碲为TeO_(2)后腐蚀的方式去除表面富碲,然而,湿法腐蚀去除表面富碲的方法存在各种缺点。等离子体氧化具有氧化性强,工艺稳定,安全环保等优点,因此本文通过氧等离子体氧化Br_(2):HBr:Eg处理后的HgCdTe表面,进一步研究了盐酸、乳酸和氢氧化铵溶液腐蚀去除HgCdTe表面氧化物的情况,结果表明低浓度的盐酸能够较彻底地去除HgCdTe表面氧化物且不引入碳等其他污染物。在此接近化学计量比的表面制备的CdTe钝化膜与HgCdTe界面孔洞大小及数量显著减小,说明CdTe/HgCdTe界面的缺陷密度更低。

近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除

在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3 晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶。这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核。通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹。

近化学计量比掺镁铌酸锂晶体周期极化特性研究

采用汽相输运平衡技术制备出了高质量近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,系统研究了晶体中的 [Li]/ [Nb]比含量对其畴极化电场的影响 .实验结果表明 :随着晶体中 [Li]/ [Nb]比的提高 ,畴极化反转电场呈明显下降趋势 ,使用近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,我们在 3.5± 0 .1kV/mm大小的外加极化电场条件下 ,成功地实现了 1.0mm厚度的周期极化畴反转 .我们用铌酸锂晶体的缺陷模型对实验结果给出了合理的解释 .

近化学计量比钽酸锂晶体的拉曼光谱研究

本文研究了不同组分钽酸锂晶体的拉曼散射光谱,我们发现,在谱线的形状和数量方面,近化学计量比晶体与同成分晶体存在明显差异。通过实验,我们得到了钽酸锂晶体完整的长波长光学模式,并首次给出了钽酸锂晶体拉曼线宽和晶体组分的定量关系。另外,我们还发现了两个与本征缺陷相关的局域模,278 cm-1和750 cm-1峰,它们的强度与晶体中本征缺陷的数量成正比。

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

本文总结了近化学计量比铌酸锂晶体的不同生长方法及它们各自的特色,分析了锂铌摩尔比对晶体性能的影响及Li含量的各种表征方法。通过比较看出,采用K_2O助熔剂生长近化学计量比铌酸锂晶体是一种较为实用的途径。基于此,我们采用K_2O助熔剂提拉法和助熔剂-坩埚下降法生长了近化学计量比铌酸锂晶体,所得晶体的最大尺寸分别达到φ45mm×60mm和φ25mm×40mm。

近化学计量比Zn:In:Fe:LiNbO_3晶体位相共轭性能和全息关联存储

以K2O为助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长掺ZnO为3%(摩尔分数)和 Fe2O3为0.03%(质量分数),In2O3分别为1%(摩尔分数),2%,3%的3种近化学计量比Zn:In:Fe:LiNbO3(near stoichiometric Zn:In:Fe:SLN)晶体。测量了3种晶体的红外光谱、位相共轭反射率和响应时间。结果表明:3 种不同In3+浓度的 Zn:In:Fe:SLN 晶体的红外光谱中,分别出现3个新的OH-吸收峰3502,3503cm-1和3504cm–1。晶体的稳态位相共轭反射率分别达到192%,172%和140%,响应时间分别为3.8,3.2min和2.4min。以Zn:In:Fe:SLN晶体作为存储介质和位相共轭镜进行全息关联存储实验,在输出平面上得到关联输出的清晰的图象。分别以原物的50%和25%信息寻址,50%信息寻址的关联存储图像清晰完整;25%信息寻址的图像基本完整。

掺铁近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其光学性能研究

在LiNbO3(LN)中掺进 0 .0 1%Fe2 O3(质量分数 )和 10 .9%K2 O(摩尔分数 )助熔剂 ,用顶部籽晶 (TSSG)法生长近化学计量比掺铁铌酸锂 (SLN∶Fe) ,以及采用Czochralski法生长同成分掺铁铌酸锂 (CLN∶Fe)。测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱。Li+取代反位铌(NbLi4 +)和占据锂空位 ,使SLN∶Fe晶体的晶格常数变小。SLN∶Fe晶体的吸收边相对于CLN∶Fe晶体发生了紫移。SLN∶Fe晶体的OH吸收峰移到 3 466cm- 1 。利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数和响应时间 ,计算了有效载流子浓度。测试结果表明 :SLN∶Fe晶体的指数增益系数达到 2 8cm- 1 ,而CLN∶Fe晶体的指数增益系数为 18cm- 1 ;SLN∶Fe晶体的响应速度比CLN∶Fe晶体提高了 1个数量级。

K_2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO_3晶体性质的比较

分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3 晶体。比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加。另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因。

近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级。通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果。提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体。

大尺寸近化学计量比铌酸锂晶体的制备

研究了扩散法制备近化学计量比铌酸锂晶体的工艺,从原料配比、合成方式、晶片放置方式和扩散工艺等方面进行了工艺优化。对不同厚度和切割方向的铌酸锂晶体进行扩散处理,对三英寸Z-cut铌酸锂晶体进行了批量扩散试验,并对扩散后的晶体进行了组分和均匀性测试。结果表明,厚度为3.1 mm的Z-cut晶体组分达到近化学计量比,光学质量达到实用化要求,而XYZ=5.1 mm×5.1 mm×21.0 mm的晶体光学质量较差,同时厚度达1.8mm的Z-cut三英寸近化学计量比铌酸锂晶片可实现批量制备。

近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能(英文)

应用气相传输平衡技术 ,我们获得了 3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值。在我们实验室所能达到的最大光强 2 6MW/cm2 照射下 ,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变 ,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高 6个量级 ,为目前已报道的铌酸锂晶体之最。应用双光束全息写入法测得掺 1.0mol%Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有 4 .6× 10 -7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级 ,从已有实验数据推测 ,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高 9个量级以上。

近化学计量比Mn：Fe：LiNbO_3晶体的生长及其光学性能(英文)

采用助熔剂提拉法,从掺入0.1%(摩尔分数)Fe_2O_3,0.2%MnO和11.2% K_2CO_3的同成分LiNbO_3熔体中生长出高质量近化学计量比Mn:Fe:LiNbO_3晶体。采用提拉法生长了相同掺杂的同成分晶体。与同成分晶体相比较,近化学计量比晶体的紫外吸收发生紫移,红外吸收变窄。利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、增益系数和响应时间。结果显示:近化学计量比晶体的增益系数和衍射效率分别达到25 cm^(-1)和68.3%,响应时间为亚秒级。

掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长(英文)

用改进的提拉技术从富锂[摩尔比n(Li2O)/n(Nb2O5)=58.5/41.5]熔体中生长了φ40mm×60mm的掺镁近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体。利用X荧光光谱分析了晶体中铌离子(Nb5+)和镁离子(Mg2+)的含量。通过紫外吸收和红外吸收峰研究了晶体中缺陷的结构,初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值的浓度。生长晶体的比热容[0.69J/(g.K)]高于同成分LiNbO3晶体的比热容[0.64J/(g.K)]。

近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心的研究

对不同锂铌比的掺铁铌酸锂晶体的光折变光栅的写入与擦除过程进行了研究,发现单中心模型已经不适用于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的光折变过程.通过对光折变光栅的擦除曲线的拟合发现,近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的擦除过程为双指数过程,说明对于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心为两种.

近化学计量比SiC陶瓷纤维先驱体制备方法

近几年来，近化学计量比 SiC 陶瓷纤维的制备已成为 SiC 陶瓷纤维领域中的热点。PMS 和 PSE 是制备近化学计量比 SiC 陶瓷纤维的两种先驱体，其制备是得到近化学计量比 SiC 陶瓷纤维的关键。因此本文综述了近化学计量比 SiC 陶瓷先驱体的制备方法，包括脱卤合成、MeSiH3 的催化脱氢偶合、H3SiH2SiH2CH3 的脱氢偶合、Bu4PCl 催化氯硅烷重分配反应等，同时也简评了国内的发展。

掺镁近化学计量比LiNbO_3晶体的生长

利用提拉法,从掺入11mol％KzO和1mol％MgO的化学配比LiNbO3熔体中生长了高质量的掺镁近化学计量比LiNbO3晶体.与同成分LiNbO3晶体相比,紫外吸收边发生明显蓝移,OH-红外吸收峰的位置和波形也发生了显著的变化,初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值浓度.酸腐蚀结果表明,晶体具有区域性单畴结构.

近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。

近化学计量比铌酸锂晶体的晶格振动和相变软模研究

在室温下,近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)的拉曼散射研究从理论和实验上揭示了晶格空位对于拉曼光谱的影响。高温下,随着温度的升高,软模(5的拉曼峰变化非常强烈。一个软光学声子模来源于在铌-氧平面内的三重简并对称弯曲振动。顺电-铁电结构相变发生在大约1170℃。

坩埚下降法生长近化学计量比Cr∶LiNbO_3晶体及光谱研究

以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(60～80℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术生长了Cr3+掺杂的近化学计量比的LiNbO3晶体。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析了晶体的主要成分,其中Cr3+、Li2O、Nb2O3的含量分别为0.62mol%、49.23mol%和50.15mol%,并在FT-IR谱中观察到了因组分变化引起的OH-伸缩振动的变化。测定了晶体的吸收与发射光谱,观测到Cr3+在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为480nm与658nm,对应于Cr3+的4A2→4T1与4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,并观测到了微弱的684nm和728nm的R线吸收。同时测定了Cr3+∶LiNbO3晶体在670nm激发下的荧光光谱,是由4T2→4A2跃起所产生的850～1150nm的宽带荧光发射发光带,此发光带是由于取代Li+与Nb5+格位的Cr3+的4T2→4A2能级跃起的复合发光所致,并计算了该晶体的晶场强度以及Racah参数等。

还原处理近化学计量比铌酸锂晶体的光折变特性研究

给出了一种光生伏特场E_ph(?)10~4V/cm,耦合系数(?)(?)25cm^-1,光折变响应时间τ为100ms的强还原试样,其光折变衍射效率η随温度变化,激活能为0.48±0.01eV.它的光电导、暗电导的激活能分别为0.48±0.02eV和0.8±O.02eV.这些结果与同成分纯铌酸锂晶体的不同.