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银纳米线透明导电薄膜仿真研究现状 被引量:1
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作者 张墅野 邵建航 何鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期118-127,共10页
银纳米线薄膜作为新型柔性透明导电薄膜,具有导电性能好、透光率高、成本低和柔性良好等优点。本文从电学、力学和光学三个方面介绍了银纳米线薄膜的仿真原理、仿真工具及发展现状。目前,银纳米线薄膜的电学性能仿真已研究得比较完善,... 银纳米线薄膜作为新型柔性透明导电薄膜,具有导电性能好、透光率高、成本低和柔性良好等优点。本文从电学、力学和光学三个方面介绍了银纳米线薄膜的仿真原理、仿真工具及发展现状。目前,银纳米线薄膜的电学性能仿真已研究得比较完善,能够从微观到宏观尺度建立精确的模型,常用的节点主导假设(JDA)模型、多节点表示(MNR)模型能够较好地模拟、预测银纳米线薄膜的方阻。银纳米线薄膜力学仿真尚未能建立起完美的宏观模型,只能通过分子动力学方法等对单根或多根银纳米线之间的力学性能进行仿真模拟。银纳米线薄膜的光学性能的仿真主要依靠时域有限差分方法来模拟光与材料的相互作用,依靠该方法能够模拟少量银纳米线的光学性能,并且目前已有建立大型复杂银纳米线薄膜光学模型的尝试。此外,多物理场耦合且能够反映整个银纳米线薄膜的光-电-热-力综合性能的仿真模型仍未建立,未来研究者们还需于此继续深耕。 展开更多
关键词 银纳米线 仿真模拟 柔性器件 透明导电薄膜
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光交联聚乙烯醇/银纳米线复合透明导电薄膜的稳定性研究
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作者 郭沛怡 季书林 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期10013-10021,共9页
通过简单的溶液工艺将水溶性光交联聚乙烯醇-苯乙烯基吡啶盐(SbQ-PVA)溶液涂敷至银纳米线(AgNWs)薄膜上形成SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜,分析了不同面密度的AgNWs薄膜在涂敷SbQ-PVA前后的光电性能和形貌,对比了AgNWs裸膜和SbQ-PVA/AgNWs复合... 通过简单的溶液工艺将水溶性光交联聚乙烯醇-苯乙烯基吡啶盐(SbQ-PVA)溶液涂敷至银纳米线(AgNWs)薄膜上形成SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜,分析了不同面密度的AgNWs薄膜在涂敷SbQ-PVA前后的光电性能和形貌,对比了AgNWs裸膜和SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜的机械和环境稳定性。结果表明,SbQ-PVA涂层不影响银纳米线网络的导电性,还能起到减小光散射和减反增透的作用,复合薄膜方阻低至约20Ω/sq时,也具有约90%的高透过率。同时,相比于AgNWs薄膜,SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜具有更优异的稳定性,其对外部刺激(5000次弯曲、3B铅笔刮擦、空气老化、酸碱盐溶液腐蚀)的抵抗力显著提升。此外,SbQ-PVA/AgNWs复合薄膜能够在去离子水超声处理中保持稳定,利用此特点配合光掩模进一步实现了银纳米线薄膜的图案化。 展开更多
关键词 银纳米线透明导电薄膜 表面保护涂层 机械稳定性 环境稳定性 图案化
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聚合物基透明导电薄膜断裂韧性的测量方法
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作者 周佳丽 张旋 +1 位作者 张晓锋 颜悦 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第2期23-27,32,共6页
在航空透明件领域,厚聚合物基底上透明导电薄膜的断裂韧性是量化抗开裂性的关键力学特性,因此基于纳米压痕和通道开裂试验评估了薄膜的断裂韧性。采用磁控溅射法将氧化铟锡(ITO)薄膜沉积在聚碳酸酯(PC)基底上。纳米压痕试验中,纳米压痕... 在航空透明件领域,厚聚合物基底上透明导电薄膜的断裂韧性是量化抗开裂性的关键力学特性,因此基于纳米压痕和通道开裂试验评估了薄膜的断裂韧性。采用磁控溅射法将氧化铟锡(ITO)薄膜沉积在聚碳酸酯(PC)基底上。纳米压痕试验中,纳米压痕在ITO薄膜上引起脆性断裂,通过对所得的载荷-深度曲线进行积分来计算断裂韧性;通道开裂试验中,使用原位拉伸法获得开裂应变,并结合力学模型计算断裂韧性。结果表明,不考虑残余应力时,2种测试方法获得了相对一致的断裂韧性,500 nm厚ITO薄膜的断裂韧性为1.62~1.81 MPa·m^(1/2);对于200 nm以下厚度的薄膜或存在大残余应力的薄膜,宜选择通道开裂试验以确定断裂韧性。 展开更多
关键词 聚合物基透明导电薄膜 断裂韧性 纳米压痕 通道开裂 原位试验
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多层复合ZnS/Cu/Ag/ZnS透明导电薄膜的磁控溅射制备及性能研究
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作者 陶凯 李豫博 +3 位作者 王煜昊 郭凯洋 李青萍 丁海 《河南工学院学报》 CAS 2024年第4期13-19,共7页
采用磁控溅射法制备ZnS/Cu/Ag/ZnS多层复合透明导电薄膜,并对其微观结构和光电性能进行研究。选用纯度>99.99%的ZnS、Cu和Ag靶材,分别利用射频和直流溅射电源,在玻璃衬底上逐层溅射沉积了不同膜层参数的ZnS/Cu/Ag/ZnS结构薄膜。利用... 采用磁控溅射法制备ZnS/Cu/Ag/ZnS多层复合透明导电薄膜,并对其微观结构和光电性能进行研究。选用纯度>99.99%的ZnS、Cu和Ag靶材,分别利用射频和直流溅射电源,在玻璃衬底上逐层溅射沉积了不同膜层参数的ZnS/Cu/Ag/ZnS结构薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等对复合薄膜的形貌、物相、透光性和导电性进行测试。优化后的复合薄膜显示出均匀的界面组织,优良的透光性和导电性,400—800 nm可见光波段的平均透射率为87.47%,表面电阻为6.74Ω/sq,品质因子达38.91×10^(-3)Ω^(-1)。该复合透明导电薄膜具有优良的综合光电性能,为无铟透明导电膜的产业应用和拓展提供了更多选项。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 多层结构 磁控溅射 介质层 种子层
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基于透明导电薄膜技术的电子玻璃信息显示与交互技术研究
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作者 闫伟蓬 李隽 邢英荣 《科学与信息化》 2024年第10期114-116,共3页
随着信息化时代的到来,人们对于高效便捷的信息展示和交互方式的需求越来越迫切。传统的显示技术已经无法满足这一需求,而基于透明导电薄膜技术的电子玻璃技术为信息显示和交互带来了新的可能性。本文旨在探讨基于透明导电薄膜技术的电... 随着信息化时代的到来,人们对于高效便捷的信息展示和交互方式的需求越来越迫切。传统的显示技术已经无法满足这一需求,而基于透明导电薄膜技术的电子玻璃技术为信息显示和交互带来了新的可能性。本文旨在探讨基于透明导电薄膜技术的电子玻璃信息显示与交互技术的研究进展,以期为相关领域的研究者和工程师提供有价值的参考。 展开更多
关键词 透明导电薄膜技术 电子玻璃 信息显示 交互技术
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柔性AgNWs/PEDOT:PSS-PET透明导电薄膜的制备与性能 被引量:1
6
作者 周洋 申志浩 +1 位作者 陈瑨 刘长春 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期65-68,共4页
透明导电薄膜由于兼具较高的透光度和较低的电阻率,被广泛地应用在太阳能电池、传感器和柔性OLED等光电子器件中。采用多元醇法制备了长径比约为1 200的银纳米线(AgNWs),并且,与PEDOT∶PSS相结合,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为透明导... 透明导电薄膜由于兼具较高的透光度和较低的电阻率,被广泛地应用在太阳能电池、传感器和柔性OLED等光电子器件中。采用多元醇法制备了长径比约为1 200的银纳米线(AgNWs),并且,与PEDOT∶PSS相结合,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为透明导电薄膜基底,通过简单、高效的喷涂工艺制备AgNWs/PEDOT∶PSS-PET复合柔性透明导电薄膜,并且,研究其表面形貌与材料结构。然后,对薄膜进行了后处理,提高薄膜的导电性,并且,利用拉曼(Raman)光谱分析了进行后处理后,薄膜导电性提高的原因。当该复合薄膜在透光率<85%时,其面电阻<50Ω/sq,而且,薄膜的粗糙度仅为11.3 nm。另外,经过700 h的空气气氛放置试验后,薄膜的面电阻基本保持不变,仍具有较好的稳定性。 展开更多
关键词 多元醇法 聚噻吩 银纳米线 透明导电薄膜 聚对苯二甲酸乙二醇酯
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原子层沉积及其在透明导电薄膜领域的研究与应用
7
作者 段超 李坤 +4 位作者 高岗 杨磊 徐梁格 浩钢 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1052-1066,共15页
集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧... 集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧化铟为代表,通过对比分析说明原子层沉积制备薄膜在形貌、成分等方面的优越性,对不同方式制备的常见透明导电薄膜的光电性能进行了总结。详细讨论了原子层沉积的应用范围,包括在大尺寸基底,如大平面和大曲率基底上可以制备高质量薄膜,在小尺寸基底,如粉体、沟槽、微纳结构上仍然有着超高的保形性。最后对原子层沉积制备薄膜的优势进行了总结,对其独特的发展潜力进行了展望。 展开更多
关键词 原子层沉积 透明导电薄膜 镀膜方式 形貌 成分 光电性能
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原子层沉积技术用于红外透明导电薄膜
8
作者 段超 李坤 +1 位作者 高岗 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1553-1553,F0004,共2页
二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸... 二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸不断减小,纵横比不断增大,器件表面更加复杂,镀膜困难程度不断提高。ALD技术以其可自限制生长和共形沉积的特点,在大平面、大曲率基底、小尺寸沟槽及缝隙等复杂三维表面均匀沉积薄膜,甚至可以用于辅助生长纳米催化剂,因而在众多薄膜沉积技术中脱颖而出。 展开更多
关键词 表面化学反应 透明导电薄膜 原子层沉积 纳米催化剂 纵横比 沉积薄膜 三维表面 沉积效率
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金属网格柔性透明导电薄膜研究进展 被引量:3
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作者 黄兵 刘萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期140-151,共12页
随着柔性电子器件的发展,柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分,今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、... 随着柔性电子器件的发展,柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分,今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、可拉伸、低成本等方面发展。氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)是目前使用最广泛的透明导电薄膜,但ITO制备工艺复杂,具有脆性,且铟是稀有金属,储量少,价格昂贵。因此,研制可替代ITO的高性能柔性透明导电薄膜越来越迫切。目前已有研究人员研制出多种可替代ITO的柔性透明导电薄膜,其中基于金属网格的柔性透明导电薄膜是替代ITO的有力竞争者。金属网格柔性透明导电薄膜展示了极好的光电性能和机械灵活性。它最吸引人的地方在于可以独立改变金属网格的线宽和间距,从而在调节薄膜方阻和透光率方面表现出更好的权衡性。目前,已有大量的研究人员研制出可与ITO媲美的金属网格柔性透明导电薄膜。多数研究者通过光刻技术制作出母版,再结合化学镀或电沉积技术进行导电薄膜制作。以光刻技术为基础制备的柔性透明导电薄膜性能良好,但光刻工艺复杂而且设备昂贵。还有研究人员通过其他技术进行研究,如印刷增材制造技术、静电纺丝技术、光子烧结、模板法等,制备的柔性透明导电薄膜性能良好。其中基于印刷增材制造技术制备的柔性透明导电薄膜已经在触摸屏领域实现产业化,有望进一步发展。本文综述了金属网格柔性透明导电薄膜的研究进展及在光电器件中的应用,包括有机太阳能电池、有机发光二极管等,具体讨论了金属网格透明导电薄膜的基本特性、光电性能、制造技术和器件应用,并点明了其制备方法的优劣性,以期为后续的研究提供参考。 展开更多
关键词 金属网格 柔性透明导电薄膜 太阳能电池 有机发光二极管
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银纳米线柔性透明导电薄膜的制备
10
作者 刘晓文 潜飞 +3 位作者 张波 吴美莹 李红斌 张宝华 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1022-1029,共8页
采用多元醇法制备了直径约40 nm、长径比约300的银纳米线.以聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(polyethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate,PETG)膜为基底,采用旋涂法制备了银纳米线柔性透明导... 采用多元醇法制备了直径约40 nm、长径比约300的银纳米线.以聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(polyethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate,PETG)膜为基底,采用旋涂法制备了银纳米线柔性透明导电薄膜,探究了不同辅助成膜剂对成膜性能的影响.发现以黄原胶为辅助成膜剂制备的银纳米线薄膜具有较理想的透明性和导电性;银纳米线分散液沉积密度对银纳米线薄膜的透明性和导电性有重要影响,当沉积密度为10 mg/cm2时,银纳米线薄膜的透光率和导电性能最优;弯曲测试结果表明,银纳米线薄膜具有很好的柔韧性. 展开更多
关键词 多元醇法 银纳米线 旋涂法 柔性透明导电薄膜
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碲化铋红外透明导电薄膜的制备与光电性能(特邀)
11
作者 吴易豪 肖雪华 +3 位作者 毕然 李雅丹 郑传涛 王一丁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期150-158,共9页
采用射频磁控溅射法在石英衬底和硒化锌衬底上制备了碲化铋薄膜,分别研究了薄膜厚度、退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和冷场发射扫描电子显微镜,分析了薄膜结构、成分和形貌。结果表明,... 采用射频磁控溅射法在石英衬底和硒化锌衬底上制备了碲化铋薄膜,分别研究了薄膜厚度、退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和冷场发射扫描电子显微镜,分析了薄膜结构、成分和形貌。结果表明,退火有利于薄膜的结晶,且不改变晶体的择优取向。傅里叶变换红外光谱测试结果表明,在石英衬底和硒化锌衬底上沉积的薄膜,光学透过率随着薄膜厚度和退火温度的增加而减小,在硒化锌衬底上沉积的薄膜透过波段比石英长,且光学透过率更加稳定。霍尔效应测试结果表明,随着薄膜厚度和退火温度的增加,薄膜的电阻率逐渐减小,最小为1.448×10-3Ω·cm,迁移率为27.400 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.573×1020cm-3。在石英衬底上沉积的15 nm厚的Bi2Te3薄膜,在1~5μm波段的透过率达到80%,退火200℃后透过率达到60%,电阻率为5.663×10-3Ω·cm。在硒化锌衬底上沉积相同厚度的薄膜,在2.5~20μm波段的透过率达到65%,200℃退火后透过率达到60%,薄膜电阻率为9.919×10-3Ω·cm。制备的Bi2Te3薄膜具有优良的光电特性,是红外透明导电薄膜领域理想的候选材料之一,在红外光电子学芯片制备领域有较好的应用前景。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 中红外波段 射频磁控溅射 BI2TE3 光电性能
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金属基叠层透明导电薄膜研究进展
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作者 诸宇飞 方嘉驿 +3 位作者 巫陈浩 王哲 李欣 卢琳琳 《科技创新与应用》 2023年第20期45-48,共4页
金属基叠层透明导电薄膜具有优异的光电性能,合理选择膜层材料,设计膜层厚度,可调整其电导率和折射率,在光电器件领域应用前景广阔。该文结合金属基叠层透明导电薄膜目前的研究工作,综述其选材、制备方法及后续处理,介绍金属基叠层透明... 金属基叠层透明导电薄膜具有优异的光电性能,合理选择膜层材料,设计膜层厚度,可调整其电导率和折射率,在光电器件领域应用前景广阔。该文结合金属基叠层透明导电薄膜目前的研究工作,综述其选材、制备方法及后续处理,介绍金属基叠层透明导电薄膜的相关应用,并对其研究和发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 金属基叠层结构 选材 制备方法 研究进展
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用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
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作者 王梦笑 王光红 +3 位作者 赵雷 莫丽玢 刁宏伟 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期16-22,共7页
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对... 提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。 展开更多
关键词 晶硅异质结 太阳电池 透明导电氧化物薄膜 多层TCO薄膜 载流子迁移率 功函数
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粉末靶制备的AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的光电性能 被引量:2
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作者 刘思宁 周艳文 +1 位作者 吴川 吴法宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1427-1433,共7页
室温下,采用射频磁控溅射AZO粉末靶和Ag靶在玻璃基底上制备Ag层厚度分别为12 nm和15 nm两组对称结构掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)透明导电薄膜,研究了Ag层和AZO层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明:3层薄膜的可见光区平均透... 室温下,采用射频磁控溅射AZO粉末靶和Ag靶在玻璃基底上制备Ag层厚度分别为12 nm和15 nm两组对称结构掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)透明导电薄膜,研究了Ag层和AZO层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明:3层薄膜的可见光区平均透光率达到了80%,550 nm处的最高透过率达到了88%,方块电阻小于5Ω/□。Ag层厚度是影响AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的主要因素,AZO层的厚度对薄膜光学性能影响较大。 展开更多
关键词 多层透明导电薄膜 金属基透明导电薄膜 粉末靶 射频磁控溅射
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喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜 被引量:17
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作者 张聚宝 侯春 +5 位作者 翁文剑 程逵 杜丕一 沈鸽 汪建勋 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1063-1068,共6页
采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:... 采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11%(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82%,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺锑二氧化锡 喷雾热解 光电性能 SnO2:Sb
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三氧化二铟基透明导电薄膜光、电特性的研究 被引量:21
16
作者 王建恩 王运涛 +3 位作者 王军 张兵临 何金田 张艳兰 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期141-146,共6页
本文是一篇综述性报告。根据近年来的有关报道,结合作者的实验结呆,对IO、ITO透明导电薄膜的研究情况和实验方法作了简要的评述,重点讨论了其电学性能和光学性能及影响它们的主要因素,分析了透过率峰位移随膜厚的变化关系,等... 本文是一篇综述性报告。根据近年来的有关报道,结合作者的实验结呆,对IO、ITO透明导电薄膜的研究情况和实验方法作了简要的评述,重点讨论了其电学性能和光学性能及影响它们的主要因素,分析了透过率峰位移随膜厚的变化关系,等离子体共振吸收峰与载流子浓度的依赖关系及紫外范围吸收限的位移与跃迁能隙的关系等,为进一步深入研究和制备优质透明导电薄膜提供参考。 展开更多
关键词 三氧化二铟基透明导电薄膜 ITO 光学性能 电学性能
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(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究 被引量:10
17
作者 薛建设 林炜 +2 位作者 马瑞新 康勃 吴中亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期560-564,共5页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320~800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射
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射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究 被引量:16
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作者 张化福 刘汉法 +1 位作者 类成新 袁长坤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期287-291,共5页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。 展开更多
关键词 ZnO:Zr薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能
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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量:15
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作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 2003年第4期37-40,共4页
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多
关键词 ITO透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡
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掺钼氧化锌透明导电薄膜光学性质研究 被引量:12
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作者 吴臣国 沈杰 +2 位作者 王三坡 章壮健 杨锡良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期171-175,共5页
采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率... 采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率为27.3cm2V-1s-1,载流子浓度为3.1×1020cm-3。在可见光区域的平均透射率大于85%,折射率(550nm)为1.853,消光系数为7.0×10-3。通过调节氧分压可以调节薄膜载流子浓度,禁带宽度随载流子浓度的增加由3.37增大到3.8eV,薄膜的载流子有效质量m*为0.33倍的电子质量。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化锌 磁控溅射 光学性质 有效质量
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