电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钼铌合金中8种元素

采用5.0 mL氢氟酸和10.0 mL硝酸混合酸消解样品,选择Ce 407.570nm、Cu217.895nm、Fe 234.350nm、Er 390.631nm、Mg 383.829nm、Mn 257.610nm、Pb 283.305nm、Zn 213.857nm为分析线,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)进行测定,从而建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钼铌合金中Ce、Cu、Fe、Er、Mg、Mn、Pb、Zn等8种元素的分析方法。考察了主要元素Mo、Nb和Al对待测元素的影响,结果表明,这些元素对待测元素基本无影响。各元素校准曲线的线性相关系数均大于0.999;方法中各元素检出限为5.4~63μg/g。按照实验方法测定钼铌合金样品中Ce、Cu、Fe、Er、Mg、Mn、Pb、Zn,结果的相对标准偏差(RSD,n=6)为0.89%~4.4%;回收率为98%~102%。按照实验方法测定钼铌合金样品中Cu、Fe、Er、Mg、Mn、Pb、Zn、Ce,并与电感耦合等离子体质谱法(ICPMS)的测定结果进行比对,二者基本一致。

铌粉粒度和烧结方法对钼铌合金的影响

为了提高钼铌合金的性能,本文采用不同球磨时间球磨的铌粉和高纯细粒度钼粉进行混合,通过冷等静压(CIP)在200 MPa下进行压制后,用中频炉和真空炉在1950℃温度下烧结5 h。结果表明,铌粉球磨时间在25 h时,烧结密度最高,烧结断口孔隙最少,且在真空炉烧结后,氧含量显著降低。

钼铌合金单晶的制备

研究熔炼室真空度、合金原料棒化学成分、熔炼速度、搅拌速度等对铝铌合金单晶制备的影响。结果表明，熔炼室高真空条件，低杂质元素含量（特别是C和O）的两次电子束熔炼／热加工原料棒、合适的熔炼速度0．4～4．0mm/min和旋转速度1．0～40r/min能确保区熔过程稳定，制备出高质量钼铌合金单晶。

钼铌合金靶材轧制工艺研究

通过调整轧制工艺研究了不同钼铌合金板烧结坯的密度、氧含量、坯料开轧温度和变形量等因素对其轧制成形的影响。结果表明:钼铌合金的氧含量在0.100%~0.126%时,氧元素不是引起晶界表面能下降的主要因素;烧结坯中大量孔洞、裂纹等缺陷导致轧制中轧板容易出现分层、开裂、起皮甚至断裂。

一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法

本发明提供了一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法,包括以下步骤:一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料;二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上,然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离,之后进行相对逆向旋转,接着进行熔接处理,将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动,得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材,其直径为20~40 mm,长度为100~800 mm,晶体取向与单晶籽晶一致,晶向偏离角不大于3°,杂质元素总浓度不高于70μg/g,直线度不大于1.0 mm/m。

锁定“钼”标砥砺前行——“高性能触控显示屏用钼铌合金靶材的技术研究及产品开发”项目简介

溅射靶材是平板显示、新能源及光伏行业不可或缺的重要基材,市场需求量大。为了有效拓展市场,金堆城钼业股份有限公司(以下简称“金钼股份”)成立钼铌合金靶材科研项目团队。经过两年的不懈努力,攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题,掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。该项目小组在小规格钼铌靶材的基础上展开了大规格钼铌合金平面靶材、管状靶材的开发。项目组成员通过原料的纯化解决了钼铌合金应用面板行业的第1个“卡脖子”问题——高纯;通过特殊热处理解决了作为阻挡层的钼铌合金能否有效发挥耐湿性的第2个关键问题——均质;通过工艺标准化控制解决了钼铌合金能否成功应用于面板行业的问题——大尺寸。

工艺参数对钼-铌合金单晶制备的影响

主要讨论了熔炼室真空度,钼-铌合金原料棒化学成分和尺寸规格,熔炼速度,搅拌速度等对单晶制备的影响。试验结果表明,熔炼室残余压力值低于3.0×10-2Pa时,区熔过程能稳定制备出钼-铌合金单晶。高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,区域熔炼时放气严重,极大地破坏了熔炼室高真空而未能直接生长制备出单晶,但经两次电子束熔炼获得的Ф12mm￣Ф17mm原料棒C含量降为63×10-6,O含量仅为14×10-6,区熔时熔炼室真空度较高,能稳定地生长制备出Ф31mm×735mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18mm或小于Ф11mm原料棒则未能获得钼-铌合金单晶。此外,熔炼速度和搅拌速度也是非常关键的工艺参数。本试验得出,原料棒在熔炼速度为0.4￣4.0mm/min,搅拌速度为1.0～20r/min的条件下能稳定制备出高质量钼-铌合金单晶。

大尺寸钼-铌合金单晶的研制

报道了φ31mm×500mm大尺寸定向生长钼-铌合金单晶的研制情况,介绍了原料选用与制备时所必需遵循的原则,论述了坯料直径与生长单晶直径的关系,并分析了所研制的定向生长单晶的晶向偏角、力学性能和组织结构。

钼-铌合金原料品质对单晶制备的影响

主要讨论了钼-铌合金原料品质，包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响。结果表明：高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高，在20kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶，但其经过两次电子柬熔炼获得的Φ（12～17）mm原料棒C元素质量分数降为6．3×10^-3％、O元素质量分数降低了近2个数量级，仅为1．4×10^-3％，能稳定地生长制备出Φ31mm×735mm的大尺寸钼-铌合金单晶，而直径超过Φ18mm或小于Φ11mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶。

钼蓝光度法测定铝钼铌硅合金中的硅

介绍了用钼蓝光度法测定铝钼铌硅合金中硅含量的方法。经实验,结果表明:该方法操作简便,方法稳定性、重现性、准确性好,能满足铝钼铌硅中硅含量的分析检测要求。

钼－铌合金的高温硫化

作者研究了纯钼、纯铌和钼－铌合金的硫化过程速率和硫化层结构．通过比较不同组成合金的硫化速率，确定出了抗硫化性最强的合金组成．同时还对Ｍｏ５０％Ｎｂ合金的硫化动力学进行了详细调查．

钼和钼-铌单晶的制备及工艺参数的影响

介绍了钼和钼-铌单晶的制备原理、制备工艺及电子束区域熔炼炉组成结构。对熔炼室真空度、聚焦、原料棒化学成分、尺寸规格、熔炼速度,搅拌速度等对单品制备的影响进行了详细分析。

金钼股份技术中心高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付

近日,金堆城钼业股份有限公司技术中心科研团队顺利完成客户订购的3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材的交付,制备的钼铌合金管状靶材直径大于150 mm、长度达到2100 mm,纯度可达99.99%,O(氧)含量小于0.05%(质量分数)。钼铌靶材主要用于溅射制备LCD/OLED高端液晶显示屏及太阳能电池的电极和布线材料,是平板显示及光伏行业不可或缺的重要基材。团队经过不懈的努力,基于前期的基础研究,攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题,掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测,制备出的钼铌合金靶材的各项指标达到要求。在此基础上项目组承接了用户管状靶材的订购需求,并在约定的周期内顺利交付。此外,项目组也正在加紧液晶面板高世代线用大尺寸钼铌合金板状靶材的加工制备并及时交付用户认证。

铌合金球铁在PQF机组连轧辊中的应用

针对某公司普通合金球铁整体式连轧辊在大型热轧无缝钢管PQF连轧机组连轧机架使用中部分机架容易断辊的现状,采用铌合金球铁作为连轧机复合连轧辊的辊颈材料,取得了较好的抗断裂效果。用铌合金球铁制成的连轧机复合连轧辊的辊颈,再通过整体正火+回火的热处理方式,进一步细化、改善组织,最终连轧辊辊颈抗拉强度达到了600~759 MPa,满足了大型PQF连轧机组连轧辊的实际轧制需求。

铌钼镍对冷硬铸铁高温力学性能的影响

Nb和Ni可以有效地提高冷硬铸铁的高温力学性能,Mo对冷硬铸铁硬度影响较大,而对其强韧性指标影响不大。Nb和Ni可固溶于冷硬铸铁的珠光体、莱氏体和渗碳体中,使其固相转变速度降低,从而提高了冷硬铸铁的高温组织稳定性和力学性能。Mo仅固溶于渗碳体中,因而仅对冷硬铸铁的硬度有明显影响。

Effect of Alloying on the Microstructure and Fracture Toughness of Nb-Mo-Si Alloys

It was found that typical Nbss /Nb5Si3 eutectic lamellar structure formed in the Nb-Mo-Si alloy. The interface between Nbss and Nb5Si3 phases was so strong that the alloy fractured mainly in the cleavage mode. In this paper, the fourth element was added with the aim of modifying interface structure. The microstructural characterization and the fracture toughness of Nb-17Si-10Mo ternary alloy doped with Ga, In, Zn and V, respectively, were investigated. It was revealed that the lamellar structure maintained with the addition of Ga and In, whereas it changed slightly with Zn and V additions. Moreover, a little increase in fracture toughness of Nb-17Si-10Mo ternary alloy was obtained through the addition of Ga and Zn.

双声道磁头用芯片材料的研制

研究了NiNbMoFe合金的成分与性能的关系,及热处理工艺对性能的影响。经过用户试验及与进口材料的性能比较,确证研制的MH-2、MH-21、MH-80MoNb合金可完全取代进口材料用作中、高档头用芯片。

Electronic Structure ofTiAl-2M(M=V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn) Alloy

The electronic structures of TiAl-2M(M=V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,Mn) alloy have been investigated using EHT band calculation method. Their bandstructures and average prperties have been obtained. The results show that doping thetransition metal elements can effectively change the band structure and enable the alloysystem to show the stronger metallic feature. The dopants of V, Cr and Mn increase s-orbital component of Ti and Al in bonding orbital, therefore, there is more sphericalelectronic clound and weakly directional bonds in the crystal, which improve the duictil-ity of the alloy, Nb or Ta makes stronger bonding with Ti and Al, which improvestrength and oxidation resistance of the alloy.