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铁电阴极材料电子发射机理的实验研究
被引量:
3
1
作者
张树人
蔡雪梅
+1 位作者
钟朝位
郭曙光
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期128-132,共5页
快极化反转在铁电阴极电子发射过程中具有决定性的作用 ,本工作采用XRD ,SEM等方法研究铁电发射机理 ,XRD图谱、晶胞参数测试结果以及扫描电镜观察到的电畴排列状况等从多个角度反映出不同铁电材料在电子发射前、后的晶体结构及电畴结...
快极化反转在铁电阴极电子发射过程中具有决定性的作用 ,本工作采用XRD ,SEM等方法研究铁电发射机理 ,XRD图谱、晶胞参数测试结果以及扫描电镜观察到的电畴排列状况等从多个角度反映出不同铁电材料在电子发射前、后的晶体结构及电畴结构的相应变化状况 ,对实验结果的分析有助于理解铁电阴极电子发射机理以及性能与组成、结构之间的关系 .
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关键词
快极化反应
电子发射机理
铁电阴极材料
铁电
体
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职称材料
三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究
被引量:
2
2
作者
陈忠道
张树人
+1 位作者
郭曙光
蔡雪梅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期177-180,共4页
本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲...
本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料。
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关键词
铁电阴极材料
锆钛酸铅
钛酸铋钠
钛酸钡
电子发射
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职称材料
缺位型强电流铁电阴极材料的研究
被引量:
1
3
作者
蔡雪梅
张树人
+2 位作者
朱文奕
付应泉
张恩官
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第3期158-160,165,共4页
采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料 ,获得了 1 87A/cm2 的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比 ,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响 ,从材料学角度出发 ,总结出提高发射电流密度的三种有效方法 :即...
采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料 ,获得了 1 87A/cm2 的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比 ,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响 ,从材料学角度出发 ,总结出提高发射电流密度的三种有效方法 :即增强阴极表面半导体性 。
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关键词
铁电阴极材料
缺位
材料
发射电流密度
铁电
陶瓷
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职称材料
铁电阴极电子发射实验研究
4
作者
陈忠道
白书欣
+1 位作者
张树人
郭曙光
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期50-53,共4页
为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝...
为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。
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关键词
铁电阴极材料
电子发射
发射电流密度
真空度
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职称材料
PLZT阴极的电子发射性能研究
5
作者
黄伟明
《科技信息》
2009年第11期59-60,共2页
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能,从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法。
关键词
铁电阴极材料
电子发射性能
相变发射理论
PZT
阴极
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职称材料
题名
铁电阴极材料电子发射机理的实验研究
被引量:
3
1
作者
张树人
蔡雪梅
钟朝位
郭曙光
机构
电子科技大学电子材料工程系
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期128-132,共5页
文摘
快极化反转在铁电阴极电子发射过程中具有决定性的作用 ,本工作采用XRD ,SEM等方法研究铁电发射机理 ,XRD图谱、晶胞参数测试结果以及扫描电镜观察到的电畴排列状况等从多个角度反映出不同铁电材料在电子发射前、后的晶体结构及电畴结构的相应变化状况 ,对实验结果的分析有助于理解铁电阴极电子发射机理以及性能与组成、结构之间的关系 .
关键词
快极化反应
电子发射机理
铁电阴极材料
铁电
体
Keywords
ferroelectric cathode
fast polarization switch
X-ray diffraction
分类号
O462 [理学—电子物理学]
TM222.01 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究
被引量:
2
2
作者
陈忠道
张树人
郭曙光
蔡雪梅
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期177-180,共4页
基金
国家自然科学基金项目(No.60471027)资助
文摘
本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料。
关键词
铁电阴极材料
锆钛酸铅
钛酸铋钠
钛酸钡
电子发射
Keywords
Ferroelectric cathode material, lead zirconate titanate (PZT), Natrium bismuthate titanate (BNBT),Barium titanate (BT), Electron emission
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
缺位型强电流铁电阴极材料的研究
被引量:
1
3
作者
蔡雪梅
张树人
朱文奕
付应泉
张恩官
机构
电子科技大学信息材料工程学院
中国工程物理研究院流体物理研究所
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第3期158-160,165,共4页
文摘
采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料 ,获得了 1 87A/cm2 的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比 ,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响 ,从材料学角度出发 ,总结出提高发射电流密度的三种有效方法 :即增强阴极表面半导体性 。
关键词
铁电阴极材料
缺位
材料
发射电流密度
铁电
陶瓷
Keywords
Ferroelectric cathode,Non stoichiometrical materials,Emission current densities
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
铁电阴极电子发射实验研究
4
作者
陈忠道
白书欣
张树人
郭曙光
机构
国防科技大学航天与材料工程学院
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期50-53,共4页
文摘
为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。
关键词
铁电阴极材料
电子发射
发射电流密度
真空度
Keywords
ferroelectric cathode material
electron emission
emission current densities
vacuum degree
分类号
TN141.32 [电子电信—物理电子学]
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
PLZT阴极的电子发射性能研究
5
作者
黄伟明
机构
佛山市高级技工学校
出处
《科技信息》
2009年第11期59-60,共2页
文摘
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能,从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法。
关键词
铁电阴极材料
电子发射性能
相变发射理论
PZT
阴极
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铁电阴极材料电子发射机理的实验研究
张树人
蔡雪梅
钟朝位
郭曙光
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
下载PDF
职称材料
2
三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究
陈忠道
张树人
郭曙光
蔡雪梅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
下载PDF
职称材料
3
缺位型强电流铁电阴极材料的研究
蔡雪梅
张树人
朱文奕
付应泉
张恩官
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000
1
下载PDF
职称材料
4
铁电阴极电子发射实验研究
陈忠道
白书欣
张树人
郭曙光
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
5
PLZT阴极的电子发射性能研究
黄伟明
《科技信息》
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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