网络形成体平均键能对化学强化典型盖板玻璃力学性能的影响

探讨了在典型盖板硅酸盐玻璃组分中改变网络形成体的平均键能强度对化学强化后该玻璃的应力特性、抗弯性能和抗冲击性能的影响规律,并分析其影响机理。结果表明,随着Al_(2)O_(3)和/或ZrO_(2)取代SiO_(2)的量的适量增加,玻璃网络形成体的平均键能强度减小,玻璃结构中Na^(+)和K^(+)的迁移更容易,相同化学强化工艺条件下,化学强化后玻璃的离子交换深度增加,表面层压应力下降;然而,化学强化后玻璃内部产生的压应力合力随网络形成体的平均键能强度的减小呈现逐渐增大的趋势,其抗弯性能和抗冲击性能也增强。

杂化轨道成键能力及夹角计算公式的简洁推导

杂化轨道理论是化学键理论的重要内容,杂化轨道成键能力和杂化轨道之间的夹角是杂化轨道理论教学的重点和难点,多数教材通常直接给出相关公式,忽略导出过程,不能满足部分学生进阶学习的需要。本文给出了相关公式的简易推导,以期解疑释惑,加深学生对杂化轨道理论的认识和理解。

一种计算NaF键能的新方法

将基态氢分子共价键的微观模型推广到NaF,假定NaF离子键成键的微观机理仍然遵循平均电势能密度相等,以此为基础,建立NaF成键的微观模型,采用一种全新的宏观方法计算了NaF的键能,获得的理论计算值为De_(Na-F)=518kJ/mol,理论计算值与实验值几乎完全一致。成键模型简单直观,计算过程极其简单,物理意义明确且计算中未添加任何人为性的参数。

有效主量子数拓扑指数与分子总键能和晶格能的关系

作者定义ＡｊＢｋ分子的有效主量子数拓扑指数（Ｐ）为：Ｐ＝∑（ｎＡ·ｎＢ）－０．５。它与化合物的总键能（ΔＥ）、晶格能（Ｕ）呈现高度相关性，其直线回归方程为：ΔＥ＝－２８．４５１８＋１１１７．８９８Ｐ，Ｒ＝０．９３５４Ｕ＝１９６．６７０３＋１６６５．６２６６Ｐ，Ｒ＝０．９８８２用它预测ΔＥ、Ｕ。

平均键能方法现在还值得推荐吗?

平均键能是大学化学教学中经常使用的概念之一。但是,平均键能法的巨大偏差,以及现代科学家和工程师不再用该方法的事实,还没引起目前化学教学同行们的注意。笔者建议,从大学化学精品教材中删去过时的内容(如平均键能),把节省的时间用于介绍新的近代科学成果。

有关键能的几个问题

本文讨论了与键能有关的几个问题：即键能和键焓，键离解能和平均键能，原子轨道的成键能力和键的强弱等。

并苯化合物键长与成键能的相关性

本文根据成键能概念及最大成键能原理，求得并苯化合物中Ｃ—Ｃ各键的成键能，并得出其与相应键长有线性关系ＲＡＢ（Ａ）＝１．５３０－０．０７２ＥＡＢ．说明了成键能的概念在化学领域应用广泛．

结构参数X的计算方法及与分子总键能和生成焓的关系

本文借助于电负性Ｉ和有效主量子数ｎｉ＊定义了有效价电子数Ｚｉ′。由Ｚｉ′、ｎ＊ｉ及成键电子数ｍｉ定义的原子结构参数δｉ和分子结构参数Ｘ被计算。发现ＡｍＢｎ型分子的Ｘ与它们的总键能，标准摩尔生成焓分别有令人满意的线性关系。

一个新的拓扑指数F_2及其对AB_n型分子键能的研究

建议了一种新的拓扑指数Ｆ２，并用Ｆ２研究了ＡＢｎ（ｎ＝２，３，４，５）型分子的平均键能。研究表明，Ｆ２与ＡＢｎ型分子的平均键能呈良发的线性关系，并得出了ＡＢ３、ＡＢ４、ＡＢ５。

键能的分子轨道理论研究——Ⅱ.键能与Mulliken布居对键强度的判断的比较

用键能E_(AB)和Mulliken布居对化学键强度的判别进行了分析比较.结果表明,键能判据比Mulliken布居判据所得结论更符合实际情况.作为衡量原子间化学键强度的尺度,不仅应考虑原子轨道间的布居因素,还应考虑分子轨道(或原子轨道)的能量因素.

程序升温实验中用键能变化量估算煤的氧化放热强度

本文提出程序升温煤自燃过程中,根据实测的氧浓度、CO和CO2浓度,推算出煤氧复合的耗氧速度、CO和CO2产生速率,再用键能变化量估算出煤氧复合放热强度的最大值和最小值,构成一个放热强度与煤温组成的平面,实际放热强度将介于最大值和最小值构成的区域之间。

四氯化碳同步辐射光电离的研究:离子生成焓与键能的测定

采用VUV同步辐射光源,在超声冷却条件下研究了四氯化碳(CCl_4)光电离的动力学过程.实验表明,母体离子极不稳定.本文通过对CCl_4光解离电离碎片出现势(AP)的测定,结合有关确认的热力学数据,估算了该体系中有关离子的标准生成焓、离子型分子及自由基中的键能、中性分子及自由基中的键能和母体离子的解离能等一系列热化学数据.详细探讨了CCl_4及VUV光解离电离的通道及其它可能发生的动力学过程.

空位形成能与键能的相关效应

为了研究空位形成能与键能相关效应,根据材料热力学理论,提出了一种利用化学键能,简便计算空位形成能的模型;采用原子径向密度方法,明确了空位形成前后,原子键收缩的程度。结果表明,空位形成的本质是原子的缺失与化学键的断裂,空位形成能与其化学键能之间,呈现出较为规则的线性关系,且其比例系数为3.8、原子键能前后收缩比为1.2~1.3。

取代乙烯顺反异构体键能和稳定性的密度泛函理论研究

对十四种取代乙烯 (XX′CCYY′)顺反异构体进行了DFT B3LYP/ 6 31G(d)水平的几何全优化的总能量、总键能的计算 .结果表明 ,对无共轭大π键的二取代乙烯 ,其顺式异构体的总能量比反式异构体的低 ,前沿轨道能隙、总键能和总π键能均比反式异构体的大 ,而对有共轭大π键的体系 ,其情况则刚好相反 .表明对于前者其顺式异构体比反式异构体稳定 。

超晶格分子层中的键能和平均键能的研究

本文基于LMTO-ASA能带计算中的交叠球近似,提出一种计算超晶格中分子层的成键态能量E_b、反成键态能量E_s和平均键能E_h的方法.研究GaP、Si构成(GaP)_1(SiSi)_1(001)前后,其界面附近的E_b、E_s和E_h值的变化情况.得出异质结界面两侧平均键能E_h相互“对齐”的数值结果,讨论了“对齐”的机制等有关问题.

杂化轨道的成键能力与键能

从杂化轨道的成键能力出发，讨论了成键能力与键强度关系，得出了影响键能大小的因素 .

键能的分子轨道理论研究 Ⅰ.理论公式

从LCAO-MO出发,给出了一个计算键能的近似方法,即E_AB(i)=-(?)C_aiS_abC_biε_i为第i个占据分子轨道(MO)中的一对电子对A-B键键能的贡献.对所有分子轨道求和即为该键的键能:E_AB=(?)E_AB(i).按该方法,不仅可以计算各种不同分子中每两个相键连原子间的键能,还可以从MO及AO角度分析每一具体键,如σ,π,δ键的键能以及各AO对键能的贡献.该方法虽有别于求键焓和平衡离解能De,但计算结果和De的实验值甚相符合.通过对键能的分析研究,能较好地揭示原子间的相互作用关系及化学键的强弱,从而可进一步探讨化学反应活性,反应速率等化学性质.

自由电子能带模型中的平均键能与费米能级

根据半导体自由电子能带模型，采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法，其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Ｅｍ”