二极管空间电荷限制电流修正

采用理论分析和粒子模拟的方法研究了阴极发射电子初始能量和二维效应对二极管空间电荷限制流的修正。得到了阴极发射电子具有初始能量时的空间电荷限制电流公式 ,并与 PIC数值模拟结果进行了比较 ,结果表明本文理论分析与数值模拟相符合。用 PIC粒子模拟方法对二极管的二维效应进行了研究 ,得到了二维修正因子。此结果可以直接应用于二极管的实验结果分析和设计。

OLED器件空间电荷限制电流模型的MATLAB分析计算

介绍了OLED器件空间电荷限制电流(SCLC)模型的MATLAB分析计算方法。SCLC模型可能是线性或非线性微分方程,将阳极与阴极之间的空间分割为一系列节点以后,SCLC模型可以通过有限差分方法整理为一个矩阵方程。对于线性模型,只需要调用一次MATLAB矩阵左除命令即可获得其数值解。对于非线性模型,可以通过牛顿法做矩阵迭代计算求出其数值解。介绍了确定电场函数的方法。给出了所用的MATLAB计算程序。该方法概念简单,使用方便,不需要花费较多精力编程即可以求解OLED器件的SCLC模型。

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.

BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜阻变效应的空间电荷限制电流机理分析

研究了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜器件的双极性阻变效应。通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律。同时,还研究了限制电流对双极性阻变效应的影响,结果表明通过调节限制电流值,可以改变薄膜内形成的导电丝粗细,从而得到不同的低阻态,实现薄膜器件的多态存储功能。在导电丝理论的基础上,利用指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流机理对这一现象进行了详尽的阐述。

限制电流对Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO忆阻器的开关比和稳定性调控

利用磁控溅射技术沉积了Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO多层薄膜,观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控.在限制电流大小为10^(-2)A时,器件中的电阻开关现象达到最优.Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO多层薄膜的电阻开关具有良好的可重复性和稳定性.本文使用空间限制电流的传导模型对Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO器件中受限制电流调控的电阻开关传导机理进行了解释.

采用限制电流和固定分时控制的DC/DC转换器设计

为了使设计的DC/DC转换器在宽负载范围内能保持高效率和高性能的输出电压,基于典型脉冲频率调制转换器拓扑结构,提出一种在不同升压阶段,由可调整的限制电流和固定分时控制的DC/DC转换器芯片的设计.本设计基于标准的0.6μm BiCMOS混合信号工艺,采用Cadence/Spectre仿真,最终实现转换器效率高于80%,最高为20 V的可调节输出电压,并且其相对纹波系数小于1%.

有机发光二极管中空间限制电流的解析模型

文中指出了J-V的解析方程不是漂移方程和泊松方程的严格解,通过分析Pasveer文章中迁移率跟载流子浓度和电场强度的关系,发现载流子浓度的依赖关系是没有必要的。同时对目前流行的Poole-Frenkel模型进行近似化处理,得到了依赖于电场强度的迁移率关系,并在这个近似化处理后的依赖关系的基础上漂移方程和泊松方程能够被严格地解出来,通过把电流-电压方程(关系)的解析模型应用于半导体聚合物,很好地描述了伏安实验数据。

影响空间电荷限制电流法测量钙钛矿迁移率的因素

讨论了离子迁移、介电常数依赖性、内建电场、陷阱、厚度与注入势垒等对空间电荷限制电流测量方法的影响。简要介绍了一些解决措施,例如针对离子迁移问题可以使用脉冲空间电荷限制电流法,针对缺陷问题可以使用不同的迁移率描述模型等。这为后续学者更加精确地使用空间电荷限制电流法测量钙钛矿迁移率提供参考。

电动玻璃升降器运行限制电流的计算研究

为解决电动玻璃升降器因电机选型不合理或运行限制电流定义不合理导致的玻璃升降失效问题,通过建立玻璃升降运行的受力分析,建立了玻璃运行阻力与电机扭矩的计算关系,为电机选型提供了理论依据;并通过电机特性曲线准确定义了玻璃升降运行限制电流,为电动玻璃升降运行限制电流的标定提供了理论依据。

利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究

材料的迁移率是其关键电学特性之一.有机材料迁移率的研究对于有机电致发光器件、有机太阳电池、有机薄膜场效应晶体管性能的提高有重要的意义.应用简单易行的空间电荷限制电流方法,对基于三(8-羟基喹啉)铝(Alq_3)的四种单载流子器件电流密度-电压曲线特性进行研究,根据空间电荷限制电流模型,拟合出Alq_3材料在四种器件中的零场电子迁移率和电场依赖因子,并且给出Alq_3电子迁移率随外加偏压的变化趋势.实验结果表明,顶电极铝蒸镀到缓冲层氟化锂(1 nm)和Alq3(100 nm)的表面后,可以明显改善Alq_3的零场迁移率和电场依赖因子.认为产生这种现象的原因是氟化锂可以使铝和Alq_3发生络合反应,形成Li^(+1)Alq^(-1)粒子,形成良好的欧姆接触,使得电子的注入效率大大提高.

具备短路电流限制能力的新能源直流汇集双极直流变换器

直流汇集和外送为未来沙漠戈壁荒漠大规模新能源消纳提供了一种可行解决方案,直流变换器是新能源直流汇集系统的关键设备。谐振直流变换器具有在全负载范围内损耗较小,波形质量好等优点,在新能源纯直流汇集场景具有应用前景,然而因其呈现低阻抗、短路故障电流上升速度快的特征,必须对短路电流进行限制。该文提出了一种具备短路限流能力的双极直流变换器,首先分析了拓扑运行原理及其参数设计方法,然后分析了所提直流变换器的故障限流机理,设计了其短路电流控制方法,最后通过Matlab/Simulink仿真和实验样机验证了所提电路和故障限流方法的可行性。结果表明,所提直流变换器能够实现直流短路电流限制,能够在一极故障时维持另一极正常运行,提高了供电可靠性。相关研究成果将为新能源直流汇集系统的构建和工程实施提供技术参考。

基于空间电荷限制电流模型的FeCl3掺杂CBP的空穴迁移率研究

基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流法估算了具有不同浓度FeCl3掺杂的CBP的空穴迁移率,并与OLED中常用的空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)进行了比较研究。结果表明,FeCl3掺杂CBP可以极大地提高CBP薄膜的空穴迁移率,当FeCl3的浓度为12%时空穴迁移率最大,在电场强度为0.5MV/cm的条件下迁移率为4.5×10-5cm2/V·s,即使在零电场条件下迁移率依然高达2.2×10-5 cm2/V·s,近似为常用空穴传输材料NPB空穴迁移率的4倍。用CBP∶12%FeCl3做空穴传输层,制备了OLED器件,最大亮度为68468cd/m2,相对于采用NPB做空穴传输层的参比器件提高了97%,最大电流效率为31.28cd/A,比参比器件提高了23%。器件亮度和效率的提高归因于空穴传输性能的改善,使得器件中载流子的传输更为平衡,从而提高了激子形成的几率,且减少了激子-极化子之间的淬灭。

空间电荷限制电流法测量共混体系中空穴的迁移率

载流子迁移率测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容之一.以聚噻吩为电子给体材料,C_(60)的衍生物为电子受体材料,制备了一种单电荷传输器件.用空间电荷限制电流法测出了不同溶剂形成的活性层及不同温度热处理后器件中空穴的迁移率.结果表明:器件中电荷的传输J-V曲线符合Mott-Gurney方程,不同溶剂形成活性层中空穴具有不同的迁移率,高沸点的溶剂1,2-二氯苯形成的活性层具有较高的空穴迁移率,热处理有利于器件中空穴迁移率的提高.同时还进一步分析了空穴迁移率变化的原因.

基于混合式高压直流断路器的故障电流限制与开断机制

高压直流输电技术凭借其远距离传输、低损耗等优点,在电力系统快速发展中占据重要地位,逐渐成为电网建设的重要方向。然而,高压直流系统中故障电流限制和开断处理一直面临着技术方面的挑战。混合式高压直流断路器以其快速响应与高效能量吸收能力,在保证系统安全稳定运行方面展现出独特的优势。文章深入研究混合式高压直流断路器的基本组成、工作原理及其在故障电流限制和开断中的应用,具有重要的理论和实践意义。

同心球之间空间电荷限制电流的简单理论

在高功率微波二极管的设计中,空间电荷限制电流因其与二极管的特性及虚阴极形成关系密切而显得十分重要,虽然Langmuir和Blodgett给出的数值解十分有用,但是在实际的应用中一个简单的函数表达式还是更为方便,同时也可以避免当Rc/Ra很大时带来的级数发散问题.第一性原理已经应用在平行板和共轴圆柱之间二维空间电荷限制电流的推导,它的可靠性也已经得到了大量的验证.本文利用第一性原理推导出了同心球二极管空间电荷限制电流的解析表达式,其中的空间电荷场因子通过和经典的朗缪尔电流比较而得到.

500kV电网短路电流超标机理及限制措施适应性

提出一种利用短路点自阻抗分析500kV电网短路电流超标机理的方法,并应用于短路电流限制措施的适应性研究。基于二端口网络理论,构建双端电源等值电路,从短路点自阻抗各组成要素的物理意义角度分析不同位置、不同类型短路电流的主要影响因素,揭示其超标机理。500kV侧短路电流主要取决于500kV侧电网结构,因此其限制措施主要是改变500kV侧电网参数;220kV侧短路电流受变压器等值阻抗和220kV电网结构的影响,但不同站点受二者影响程度不同,应根据不同影响程度采取相应的措施以增大变压器等值阻抗或改变220kV侧电网参数。应用于广东500kV电网短路电流分析和限制措施的研究结果证明了其正确性和实用性。

限制500kV电网短路电流的网架调整优化算法

通过开断部分线路调整500kV网架结构以增加超标站点之间的电气距离,是限制500kV电网短路电流的有效措施。对于开断线路的选择既要考虑短路电流的限制效果,又要尽量保持500kV网架的完整性,如何从上千种断线组合中,选取一种开断最少线路以最大限度限制超标站点短路电流的断线组合极为困难。文中通过分析开断线路对阻抗矩阵各元素的影响,推导开断线路与超标站点自阻抗变化的灵敏度关系,并以该灵敏度为指标提出了一种限制500kV短路电流的网架调整优化算法。该算法通过求取超标站点自阻抗灵敏度加权和的最大值,可以快速寻找限制超标点短路电流的最优断线组合,避免了对所有断线组合逐一进行校核的繁琐过程。基于该算法提出的广东电网500kV调整方案证明了其有效性。

故障电流限制技术及其新进展

负荷中心大电源的投入和系统互联都会大大增加系统的短路电流。如果短路电流超标,则相应设备必须更换,这既需要昂贵的费用也需要较长的工期。故障电流限制器提供了另外一种解决方案。文章首先综述应用于中高压领域的故障电流限制技术;然后介绍成熟的和正在研究的比较有代表性的故障电流限制器,并重点突出基于晶闸管保护型串补的短路电流限制器;最后介绍华东500kV电网故障电流限制器示范工程,给出该工程采用的主电路和过电压保护措施,并展望故障电流限制器的发展方向。

新型桥式固态故障电流限制器

文中提出了一种新型桥式固态故障电流限制器,该装置由二极管、晶闸管和限流电抗等组成。在系统正常运行时,新型故障电流限制器运行于整流桥模式,对系统影响很小;在故障发生时,限流电抗能自动无延迟地限制短路电流第1个峰值,且通过对晶闸管的控制,实现装置由整流桥模式进入限流模式,限制短路电流稳态值。该方案无需另设旁路限流电抗,也无需全控型器件,结构简单,可靠性高。文中提出了该方案的控制策略,并通过实际系统仿真分析及与现有桥式故障电流限制器对比,证明了该方案的可行性和技术优势。

故障电流限制技术及研究进展

介绍了国外在电力系统故障电流限制技术方面的研究状况，结合其他领域的进展，提出了几种适合于中国国情的故障电流限制器设计方案，并详细介绍了它们的工作原理，还对各设计方案的特点进行了比较。