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世界光电器件和集成光电器件发展扫描
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作者 赵梓森 《电子产品世界》 1999年第10期63-64,共2页
关键词 光电器件 集成光电器件 光纤光栅 光滤波器
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硅基光电集成材料及器件的研究进展 被引量:1
2
作者 韦文生 张春熹 +1 位作者 周克足 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期31-35,共5页
以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基... 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。 展开更多
关键词 硅基光电集成材料 光电集成器件 硅基光波导材料 制备技术 硅基光波导 光传输损耗 锗硅光探测器 耦合方式
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Si基光电子集成器件研究进展
3
作者 李廷洪 《黑龙江科技信息》 2004年第6期75-75,共1页
Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了... Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了详细的叙述。 展开更多
关键词 Si基光电集成器件 发光强度 制备
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电吸收调制器和DFB激光器集成器件的测量 被引量:5
4
作者 王幼林 刘宇 +1 位作者 孙建伟 祝宁华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期955-959,共5页
提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法 .根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型 ,对测量的反射系数进行拟合 ,得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值 .通过分析发现测试封装寄生参... 提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法 .根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型 ,对测量的反射系数进行拟合 ,得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值 .通过分析发现测试封装寄生参数对电吸收调制器的测试结果有很大影响 .去除了封装寄生参数的影响后 。 展开更多
关键词 电吸收调制器 集成光电器件 分布反馈激光器 散射参数 测量
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硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制 被引量:2
5
作者 李娜 许雪林 +4 位作者 李国正 刘恩科 蒋最敏 张翔九 王迅 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期471-473,共3页
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n+/nSi材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN探测器的最小暗电流为0.8μA,最大光... 用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n+/nSi材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN探测器的最小暗电流为0.8μA,最大光响应电流为2.7μA,最大总量子效率为14%,工作波长为λ=1.3μm。 展开更多
关键词 波导 光电探测器 超晶格 硅基 光电集成器件
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用于无源光网络的平面光波回路光电集成器件 被引量:4
6
作者 汪钦 徐红春 胡广文 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第11期164-169,共6页
简述用于无源光网络(PON)的平面光波回路(PLC)光电集成器件的3个关键技术,包括表面贴光子技术,半导体激光器(LD)、光电二极管探测器(PD)、光纤与波导的无源对准技术,非气密高可靠塑料封装。理论上分析了光纤与波导的耦合情况,通过仿真... 简述用于无源光网络(PON)的平面光波回路(PLC)光电集成器件的3个关键技术,包括表面贴光子技术,半导体激光器(LD)、光电二极管探测器(PD)、光纤与波导的无源对准技术,非气密高可靠塑料封装。理论上分析了光纤与波导的耦合情况,通过仿真拟合曲线推断出了光纤与波导的z向偏移3dB容差为70μm,角度偏移3dB容差在5°以内。对样品进行了测试,高温下灵敏度为(-30.7±0.3)dBm,常温下为(-31.3±0.2)dBm,低温下为(-31.2±0.2)dBm,常温下光功率为(2.0±0.5)dBm,眼图清晰无干扰,结果表明PLC光电集成器件具有良好的稳定性能。 展开更多
关键词 集成光学 光电集成器件 表面贴光子技术 光纤与波导耦合 无源对准
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硅基光电集成器件研究进展 被引量:2
7
作者 孙飞 余金中 《物理》 CAS 北大核心 2005年第1期50-54,共5页
随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善 ,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作 ,外量子效率可达到 0 .1% ;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到 1GHz以上 ;而硅基光探测器对 130 0nm与 15 5 0nm波长的探测响应度也已分别达... 随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善 ,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作 ,外量子效率可达到 0 .1% ;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到 1GHz以上 ;而硅基光探测器对 130 0nm与 15 5 0nm波长的探测响应度也已分别达到了 0 .16mA/W和 0 .0 8mA/W .文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述 。 展开更多
关键词 硅基 响应度 调制器 外量子效率 器件结构 发光器件 光电集成器件 研究进展 GH 分析
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信息时代的铌酸锂晶体:进展与展望 被引量:5
8
作者 刘宏 桑元华 +2 位作者 孙德辉 王东周 王继扬 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期708-715,共8页
铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用。经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功... 铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用。经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功能、新器件、新应用层出不穷,尤其是铌酸锂单晶薄膜在薄膜滤波器、集成光电器件等领域的性能具有明显优势,被称为新一代信息和通信技术的关键材料。应用器件的发展正迫切要求基质晶体材料的发展,本文通过简述近年来铌酸锂的新发现、新应用,相应地探讨了铌酸锂晶体未来发展方向。 展开更多
关键词 铌酸锂 单晶薄膜 大尺寸 集成光电器件
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光纤到户用光电集成单纤双向器件的研究
9
作者 汪钦 徐红春 +1 位作者 刘成刚 余向红 《光学与光电技术》 2013年第4期86-90,共5页
研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70μm及5°以内,并分析存在8°反射角及填充折射率匹配胶时耦合情况并仿真验证。该器件采用表面贴... 研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70μm及5°以内,并分析存在8°反射角及填充折射率匹配胶时耦合情况并仿真验证。该器件采用表面贴光子技术、无源对准、非气密封装实现光与电、有无源的多功能结合。测试了器件的激光器与探测器性能,测试结果表明,该光电集成器件边模抑制比、灵敏度等参量优良。 展开更多
关键词 集成光学 光电集成器件 光纤与波导耦合 菲涅尔反射 光纤到户
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微机电系统引领航空技术新变革 被引量:2
10
作者 陆志东 余才佳 《航空科学技术》 2012年第2期7-11,共5页
微机电系统(MEMS)被认为是21世纪的一项"使能"技术,对航空工业的技术革新将产生重大影响。本文介绍了MEMS在航空领域的典型应用,包括微惯性测量系统、微型飞行器、微流控和灵巧蒙皮、集成光电器件、发动机智能控制等,并探讨... 微机电系统(MEMS)被认为是21世纪的一项"使能"技术,对航空工业的技术革新将产生重大影响。本文介绍了MEMS在航空领域的典型应用,包括微惯性测量系统、微型飞行器、微流控和灵巧蒙皮、集成光电器件、发动机智能控制等,并探讨了未来MEMS的发展趋势。 展开更多
关键词 微机电系统 微惯导系统 微型飞行器 集成光电器件
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无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究 被引量:1
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作者 张晓丹 赵杰 +1 位作者 王永晨 金鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。 展开更多
关键词 无杂质空位诱导无序 光荧光谱 光调制反射谱 铟镓砷磷化合物 磷化铟 多量子阱结构 单片集成光电器件
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苯乙炔封端的可交联含氟聚芳醚的合成及性能 被引量:6
12
作者 呼微 刘佰军 +5 位作者 王冬 马小野 饶先花 李婷 姜振华 吴忠文 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1522-1524,共3页
The crosslinkable trifluoromethylated poly(aryl ethers) terminated with phenylethynyl moieties(11F-PAE-PEP)s were prepared in two step syntheses. The structure of 11F-PAE-PEP was confirmed by FTIR and 1H NMR. The cros... The crosslinkable trifluoromethylated poly(aryl ethers) terminated with phenylethynyl moieties(11F-PAE-PEP)s were prepared in two step syntheses. The structure of 11F-PAE-PEP was confirmed by FTIR and 1H NMR. The crosslinking behavior was studied by DSC. There is a remarkable increase of T g after crosslinking of the poly(aryl ethers). The T g values of crosslinked polymers were 437 and 446 K, respectively. The crosslinked polymers could not be soluble in common organic solvents, such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidinone, chloroform, and tetrahydrofuran. The temperatures at a 5% mass loss of the crosslinked polymers in air were above 789 K. They showed a good optical property, too. This kind of polymers will be the promising materials used as the microelectronics and optical waveguide devices. 展开更多
关键词 苯乙炔端基 交联 含氟聚芳醚 合成 性能 含氟聚合物 光电集成器件
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线阵成像式焊接跟踪传感器抗干扰能力的改进
13
作者 朱卫安 何方殿 《电焊机》 1997年第3期27-28,共2页
以焊接跟踪传感器之线阵集成光电器件的输出反馈来调节线阵集咸光电器件的光积分周期,使线阵集成光电器件的输出在各种干扰的情况下都保持在目标值上,从而大大提高了焊接跟踪传感器的抗干扰能力,增强了其实际应用的适应性。
关键词 焊接 跟踪传感器 集成光电器件 抗干扰
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Butt-Joint Monolithically Integrated DFB-LD/EA-MD Light Source for 10Gbit/s Transmission
14
作者 李宝霞 胡小华 +4 位作者 朱洪亮 王保军 边静 赵玲娟 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1100-1103,共4页
This paper reports on the design,fabrication,and performance of an integrated electro-absorptive modulated laser based on butt-joint configuration for 10Gbit/s application.This paper mainly aims at two aspects.One is ... This paper reports on the design,fabrication,and performance of an integrated electro-absorptive modulated laser based on butt-joint configuration for 10Gbit/s application.This paper mainly aims at two aspects.One is to improve the optical coupling between the laser and modulator;another is to increase the bandwidth of such devices by reducing the capacitance parameter of the modulator.The integrated devices exhibit high static and dynamic characteristics. Typical threshold current is 15mA,with some value as low as 8mA.Output power at 100mA is more than 10mW.The extinction characteristics,modulation bandwidth,and electrical return loss are measured.3dB bandwidth more than 10GHz is monitored. 展开更多
关键词 integrated optoelectronic device electro-absorptive modulator distributed-feedback lasers butt-joint 3dB-bandwidth
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基于高速SOC单片机的面阵CCD驱动电路设计
15
作者 李心平 井延波 郭梅忠 《今日电子》 2010年第10期59-61,共3页
电荷耦合器件(CCD)是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。近年来,CCD器件在图像传感和非接触测量领域的发展迅速。CCD芯片的转换效率、信噪比等光电转换特性只有在合适的时序驱动下,才能达到器件工艺设计所规定的最优值... 电荷耦合器件(CCD)是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。近年来,CCD器件在图像传感和非接触测量领域的发展迅速。CCD芯片的转换效率、信噪比等光电转换特性只有在合适的时序驱动下,才能达到器件工艺设计所规定的最优值,输出稳定可靠的视频信号。因此,产生严格的CCD驱动时序,是成功设计CCD测量系统的先决条件。 展开更多
关键词 驱动电路设计 面阵CCD SOC单片机 集成光电器件 CCD测量系统 电荷耦合器件 光电转换特性 非接触测量
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CCD信号采集系统的USB接口设计 被引量:1
16
《电子元器件应用》 2006年第3期25-27,共3页
关键词 CCD器件 USB接口设计 信号采集系统 光电检测技术 20世纪70年代 集成光电器件 电荷耦合器件 非接触测量 光谱响应 图像传感
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镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望
17
作者 丁瑞钦 《五邑大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第4期13-18,共6页
从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发,报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况,并对今后材料研究的主攻方向发表见解.
关键词 镶嵌式半导体纳米颗粒材料 研究现状 高速全光器件 光电集成器件 光学非线性 载流子弛豫时间
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MSTP 40G技术在电力通信传输网中的应用探讨 被引量:4
18
作者 宋乐乐 刘文贵 +1 位作者 汤辉 尤洁 《电力信息与通信技术》 2017年第6期77-81,共5页
随着智能电网的深度发展,电力系统业务的IP化趋势日益显著,并且很多新型业务呈现出复杂性、波动性、大颗粒度等属性,为现有MSTP传送网带来了新的挑战。为加快对电力系统全业务安全可靠承载的进程,文章给出了在不采用OTN技术进行网络扩... 随着智能电网的深度发展,电力系统业务的IP化趋势日益显著,并且很多新型业务呈现出复杂性、波动性、大颗粒度等属性,为现有MSTP传送网带来了新的挑战。为加快对电力系统全业务安全可靠承载的进程,文章给出了在不采用OTN技术进行网络扩容的前提下,将MSTP网络带宽平滑演进升级到40 G的2种解决方案,以最优的技术来满足未来电网在"云、大、物、移、智"领域中的各种需求。 展开更多
关键词 MSTP 40G 双平面 光电集成器件 电力通信传输网
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Optimum design of a polymer electro-optic microring resonator switch 被引量:1
19
作者 YAN Xin MA Chun-sheng WANG Xian-yin Zhang Da-ming Liu Shi-yong 《Optoelectronics Letters》 EI 2007年第6期423-427,共5页
Novel transfer functions are presented for a polymer electro-optic mieroring resonator switches. The resonating process ot the light in the microring is simulated using the formulas. Then the optimization of the struc... Novel transfer functions are presented for a polymer electro-optic mieroring resonator switches. The resonating process ot the light in the microring is simulated using the formulas. Then the optimization of the structural parameters is performed, and the characteristics are analyzed, such as the resonance time, output spectrum, operation voltage, insertion loss and crosstalk were analyzed. The simulation results show that the designed device exhibits favorable switching functions. 展开更多
关键词 集成光学器件 聚合物 电子光学 共振器
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Optimizing design of triplexer chip with low insert loss and high isolation based on planar lightwave circuit
20
作者 CHENSi-xiang XUZhi-guang XIE Hong 《Optoelectronics Letters》 EI 2007年第4期251-253,共3页
Design optimization of a novel integrated triplexer based on planar lightwave circuit (PLC) for fiber-to-the-home applica- tions is described. The two-mode interference coupler and Mach-Zehnder interference are used t... Design optimization of a novel integrated triplexer based on planar lightwave circuit (PLC) for fiber-to-the-home applica- tions is described. The two-mode interference coupler and Mach-Zehnder interference are used to construct the filter chip. Simulation results of high isolation and low insertion loss are gotten for proposed design. Technique tolerance is improved for fabricating device. 展开更多
关键词 光波电路 芯片 集成光学器件 隔离
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