集成电路器件微波损伤效应实验研究

主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0～1分布。

高等级集成电路器件引线成形工艺研究

本文针对军工电子产品中广泛使用的引脚未成形的高等级集成电路为研究对象,提出器件引线模具成形及印制板焊盘尺寸控制等工艺方面的观点。在电气互联行业起到作用。如付诸现实将产生32万元或更多经济效益。

德国瑞士联手打造原子尺度新型集成电路器件

在德国西门子基金会的支持下，德国卡尔斯鲁尔理工大学（KIT）和瑞士苏黎世联邦理工大学（ETHZ）将联合开展原子尺度新型集成电路器件的研发，德国西门子基金会为此提供了1200万欧元的资助。

一般集成电路器件好坏的大致判断方法

目前，集成电路器件在电子产品中得到越来越多的应用，相应地如何检测集成电路器件的性能与好坏也就显得十分重要。为此，人们往往要使用专门的仪器或组装一些较为复杂的电路对集成器件进行检测。而作为一般的电子产品的维修人员，不具备专门的仪器，也不便于组装复杂的电路。在此，我们向大家介绍只用万用表检测集成电路器件，大致判断其好坏的一些实用方法，以供参考。

下一代集成电路器件和157nm的曝光方法

近年来的半导体集成电路的发展十分惊人,称这种集成电路为现在的集成化电子系统是很合适的.这就是所谓的系统LSE.其系统规模从大规模集成电路(LSI)向甚大规模集成电路(VLSI)扩大,并且器件数量向超过100万个的超大规模集成电路(ULSI)方向发展.21世纪初,ULSI系统本身就是电子仪器系统.可以说,它的发展给社会带来很大影响,以至出现了高速信息化社会.以日、美、欧等国家财团为核心积极开展了以ArF准分子激光(也可作为从远紫外至真空紫外的入口)为中心的光刻技术的研究开发,预计21世纪末将完备0.15μm以下的基础技术.更短波段的真空紫外(VUV)或极紫外(EUV)

集成电路器件工艺先导技术研究进展

中国集成电路技术和产业经过了最新一轮十年的攻关,已经形成了较为系统的布局。分析了国内外集成电路制造技术和产业发展趋势以及中国集成电路制造技术研发布局,概述了22～14 nm节点工艺研发成果、7 nm节点工艺关键技术进展以及5 nm以下节点工艺新结构、新材料技术研发情况。

国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD)介绍

众所周知,电力电子器件是电力电子装置和系统的基础。一代新器件造就一代新系统。IGBT登上历史舞台并日趋成熟,迅速地替代了GTR(电力晶体管),不仅使电力电子装置的性质、体积、重量都得到极大的改善,而且因清除了二次击穿等问题,使得通信电源、交流电机变频调速等装置的可靠性大幅度提高。上世纪80年代以来,在将传统的功率器件技术和集成电路技术相结合,双极技术和MOS技术相结合的基础上,国外相继研发了多种新型功率器件,有的已商品化。诸如功率MOSFET,IGBT,CoolMOSFET及IGCT等,国内已广泛应用或正在批量试用。然而,国内应用这些新型功率器件的装置和系统,其性能的优化程度,特别是可靠性,或器件的损坏率均比国外先进工业国有很大差距。较深入地理解各种器件的运行机理和主要电参数的物理意义,对提高应用新型功率器件的设计水平和减少器件损坏率是非常重要的。另一方面,为使电力电子装置更加紧凑小型化,特别是减少引线长度,削弱寄生参数的影响,当前"SOC"和"AIO"是一个重要的发展趋势。"SOC"是把系统安在一个芯片上的产品;"AIO"是将所有元器件都安在一个模块里的产品。这都是功率集成的发展与深化的具体所在。但是,由于种种原因,我国在新型电力半导体器件和功率集成产品方面停滞了,大大落后于当今的国际水平。为此,我们将邀请相关专家或其指导的研究生就国际上该领域的最新进展,撰写某些专题的综述报告,陆续在本刊发表,以供本刊读者、国内的学者和业者了解并掌握这些信息时参考。有基于此,本刊编辑部根据2003年第15届国际半导体功率器件和功率集成电路会议(ISPSD’03)文集的论题,有选择地拟定了以下专题:①功率MOSFET;②超结MOSFET(CookMOSFET);③IGBT;④碳化硅功率器件;⑤功率集成电路。值得指出的是,上述超结MOSFET的研究开发,有我国专家的贡献。碳化硅功率器件比硅功率器件的性能优越,我国老一辈的专家早在上世纪60年代初就已预见,并安排过研制课题和编辑、出版过相应的论文集。(刘鹿生)

集成电路元器件管脚成形方法及工艺分析

在集成电路元器件生产过程中,元器件管脚的成形是其中的关键工序为了降低成本和提高效率,器件外形越来越小并且封装密度越来越大,相对应的元器件管脚的成形的工艺性越来越苛刻,其中很多前道工序中隐藏的问题也会在管脚成形过程中表现出来从元器件管脚的成形形状设计开始,分析了如何设计一个满足成形工艺需求的管脚形状,以及如何实现管脚的成形.

两岸集成电路产业发展之比较

本文在研究中国大陆和台湾两地集成电路产业的发展历史与现状的基础上,比较了两岸IC产业发展各自的特点和优势,分析了目前大陆集成电路产业发展中存在的问题。在此基础上提出了对大陆发展集成电路产业的一些想法和对策。最后给出结论:只要两岸加强IC产业合作,优势互补,就可造成双赢的局面,营造一个世界级的IC设计和制造基地,一个东方的硅谷并非神话。

中国功率集成电路制造产业前景广阔

功率集成电路器件的产地正发生着重大改变。过去10年来，中国、欧洲和东南亚地区的功率器件制造业取得迅猛发展，而北美地区则逐渐走下坡路。

共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点

在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。

典型电子元器件的装配质量控制措施

引言 在电子元器件的装配过程中,为了保证产品质量,在各个环节要采取若干有效的质量控制措施,设置关键工序质量过程中,对电子元器件的装配方法要有有效的质量控制措施.

用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。

Zetex半导体选择科利登的ASL3000测试其类型广泛的模拟和混合信号器件

半导体业界从设计到生产测试解决方案世界领先的供应商美国加州MILPITAS——科利登系统公司日前宣布Zetex半导体购买了多台ASL3000系统用于其多种模拟和混合信号器件的测试。选择ASL3000可以帮助Zetex在降低测试成本的同时增加产能。Zetex半导体总监兼团队主管Ted Wiggans说：“Zetex设计并制造分立器件和集成电路器件用于通讯、消费、汽车和工业产品市场。我们的产品需要采用成本最低的高质量的测试方案。

真有效值检测器的设计与调试

提出了一种与被测波形无关的有效值检测器的设计原理和调试方法，提出了误差来源和提高精度的思路。

超净气体输送管道系统的洁净管理

一．引言 超净的气体输送管道系统，是指具有超净化要求的输送高纯气体、掺杂气体的管道系统，广泛应用于集成电路器件生产、太阳能光伏电池生产、PDF显示器面板生产等微电子领域，该系统输送的气体主要有高纯大宗气体（高纯氧、高纯氩、高纯氦、高纯氢等气体）、特气（硅烷、磷烷、砷烷、氯化氢、氯气等工艺气体），以上气体在下文中简称“超净气体”。

民用飞机单粒子翻转问题研究

单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)效应是机载复杂电子硬件设计所必须考虑的重要问题,对SEU效应进行了描述,分析了复杂电子设备经常用到的芯片类型(专用集成电路器件、反熔丝FPGA、SRAM型FPGA、Flash型FPGA)及其优缺点,总结了三模冗余、纠错码、擦洗、系统监控这四种常见的SEU减缓技术,对于国内民机机载复杂电子硬件的设计具有参考意义。

沈阳拓荆科技研发化学气相沉积设备CVD

作为国内领先的CVD设备供应商，拓荆由中国科学院所属公司和一批海外归国的技术专家于2010年共同创立。公司主要致力于研发生产创新、先进的化学气相沉积设备（CVD），帮助全球的半导体制造商生产集成电路器件，推动消费类和工业电子产品的发展。拓荆的PECVD设备己在中国两家客户生产线上通过量产验证，并接到了重复订单。

国内科技期刊亮点

探明固相法合成钒酸钡反应过程 随着集成电路器件的微型化,用来制作器件的陶瓷需要满足与高传导的贱金属电极材料共烧,陶瓷介质的烧结温度应低于贱金属的熔点。Ba3（VO4）2是最有希望实现低温共烧的微波介质陶瓷体系之一。目前Ba3（VO4）2陶瓷粉体多采用固相法合成,但合成Ba3（VO4）2时常常伴随有次晶相Ba2V2O7的干扰,难以得到单相Ba3（VO4）2。

开拓、创新、交叉、融合 促进电子信息功能材料大发展

浙江大学杨律仁院士指出集成电路是信息产业的基础、是国家综合实力的重要标志,但目前中国的集成电路主要依赖进口,2017年其进口金额在所有进口产品中排名第一。集成电路主要是建立在硅材料基础上,要解决集成电路进口替代迫切这一问题,就要加大硅材科这一基础材料的研究。纳米级缺陷严重影响极大规横集成电路器件的成品率、可靠性,纳米级缺陷不解决,集成电路就很难实现量产。报告介绍了掺锗硅晶体及其晶体生长技术以及掺锗控制缺陷的基础理论和研究进展。