p型半导体霍尔系数极值新结论的理论与实验验证

用文献 [4 ]中的理论和实验结果论证了本文作者在 1987年首先采用新的方法求解 p型半导体在过渡温度范围的霍尔系数极值所得到的一系列新结论 .理论和实验验证结果的一致证明了新的霍尔系数极值是正确的 .作者提出了采用霍尔极值因数来表征不同半导体材料的霍尔特性及测量载流子迁移率之比值的新方法 .

锡掺杂的氧化铟透明导电膜的霍尔系数测量

采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法在玻璃基片上沉积了锡掺杂的氧化铟锡(ITO)透明导电膜,在沉积过程中保持了辉光放电电流、氧分压、氧流量、蒸发速率等工艺参数不变,而基片温度由室温变化到达300℃。用四探针法测量了膜的方法和用直流法测量了膜的霍尔系数,计算出膜的电阻率p、霍尔迁移率μ、载流子浓度n,从而研究了基片温度对膜的导电性能的影响。

一种材料霍尔系数测试系统的设计

硅酸铋 (BSO)晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应 ,通过BSO晶体的偏振光将受电场和磁场的调制 ,利用这一特性 ,设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统 .

非均匀材料样品的霍尔系数的计算

将不均匀材料网络化用等效电源的方法根据基尔霍夫定律得到了不均匀材料样品的霍尔系数的较为一般的表达式应用该结果可以方便地计算不均匀材料样品的霍尔系数。

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)正常态霍尔系数的理论分析

以基于高温超导体双成分模型的近局域对理论分析Bi2 Sr2 CaCu2 O8+δ正常态霍尔系数的温度行为 ,得到与实验相符的结果。指出赝隙随温度降低的不断加深导致了霍尔系数在比Tc 略高的温度出现正的极大值 。

变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量

利用简单的加热装置改装HL—IV型霍尔效应实验仪,利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半导体霍尔系数及其载流子浓度。

铜的霍尔系数及电阻率的测量

本文用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10^(-5)cm^3/col,电阻率为1.97×10^(-6)Ω·cm.实验方法简便,设备容易获得:与所见文献数据比较,数量级是一致的。

关于霍尔系数的研究

本文对两种载流子并存时半导体的霍尔电场的形成,进行了较严谨的分析;对霍尔系数与载流子浓度和迁移率的关系,作了详细的推导,并对结果进行了讨论.

变温霍尔效应实验仪的研制与性能测试

利用性能优异的半导体热电片,搭建变温霍尔效应实验仪器,可实现在变温环境下(253K~413K)对N型霍尔组件进行霍尔效应相关数据的测量;进而探索霍尔组件的霍尔系数RH(T)、电导率σ(T)、霍尔迁移率μH(T)与温度的关系。仪器可稳定升温和降温,且不需要液氮,既扩充了实验内容又保证了实验安全。实验仪器模块化,不同高校可根据实际情况引入不同的实验内容,实验仪器成本可控。

基于Matlab的霍尔效应实验数据处理

霍尔效应实验既可以测量电磁铁空隙中的磁场分布,又可以测霍尔元件的霍尔系数和霍尔灵敏度。利用Matlab软件可以简单、准确地依据实验数据作图。结果表明:编程处理实验数据得到磁场最强区域,把霍尔元件置于磁场最强区域,利用Matlab编程拟合霍尔电压随工作电流的变化曲线,求出霍尔系数和霍尔灵敏度,减少了手工绘图计算的误差。

用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据,根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律,计算出禁带宽度,并且着重讨论禁带宽度的两种求法,比较了两种方法的计算精度.

基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系

利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度p/n之间的公式及曲线。分析了不同p/n值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。

锗单晶体变温霍尔效应实验数据的处理

采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过对测量的霍尔电压作数据处理得到锗的霍尔系数RH（T）、电导率σ（T）和霍尔迁移率μH（T）与温度的依赖关系．该实验结果对学生理解半导体物理中的相关知识有重要意义．

非均匀半导体电导率和霍耳系数测量方法研究

应用电动力学理论,提出了一种测量非均匀半导体电导率和霍耳系数的方法,论述了这种方法依据的原理和计算公式,以及用此方法测量的步骤,并举例说明.结果表明:该方法所得结果与文献给出的实验结果相符,也与用其它方法测量结果一致.

(FeNiCo)_x-(Al_2O_3)_(1-x)纳米颗粒膜霍尔效应的研究

利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品,并对样品的霍尔效应进行了研究,在x=0.48时,样品的饱和霍尔电阻率为4.5μΩ.cm,霍尔电压为450μV。在同样的制备条件下保持x不变,用Co去替代部分Ni得到一系列[Fe21(NimCon)]x-(Al2O3)1-x颗粒膜,测量其霍尔电压,结果发现随着Co含量的增加,霍尔电压增大,当原子比n/m=0.6时,霍尔电压为1125μV。

霍尔效应的量子力学定性讨论(英文)

考虑到带电粒子在电磁场中的运动 ,利用量子力学原理定性地解释了霍尔效应 .讨论了Lorentz力和电力平衡下量子行为 .通过推导沿着外场方向的平均速率 。

关于霍尔效应实验的误差分析

霍尔效应实验是一个受系统误差影响较大的实验，特别是在霍尔效应产生的同时，伴随产生的其他效应引起的附加电场对实验影响较大．本文简单介绍该实验的原理和实验误差的来源，使用Origin6．0软件处理实验数据，分析附加电场对霍尔电压和电流线性关系的影响，以及对霍尔系数测量值的影响．结果表明：附加电场的存在不会影响所测霍尔电压和电流U—I，的线性关系，但对霍尔系数的测量有较大影响．

霍尔效应中的空穴

霍尔效应（Hall effect）可以用来测定金属和半导体中的载流子符号,霍尔系数定义为RH=Ey/jxH其中Ey，jx，H分别为电场、电流密度和磁场（图1）．