设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽...设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽略阈值对振荡器的影响,并且省去了常规结构中的迟滞比较器,简化了电路结构,减小了振荡器的复位延时。基于0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺模型,采用Cadence和Hspice进行仿真。在典型应用下,振荡器的频率范围为500 k Hz^2 MHz,温度在–20^+120℃变化时,振荡器的频率随温度变化的偏移量在±2.76%以内。展开更多
文摘设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽略阈值对振荡器的影响,并且省去了常规结构中的迟滞比较器,简化了电路结构,减小了振荡器的复位延时。基于0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺模型,采用Cadence和Hspice进行仿真。在典型应用下,振荡器的频率范围为500 k Hz^2 MHz,温度在–20^+120℃变化时,振荡器的频率随温度变化的偏移量在±2.76%以内。