薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .

基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管

提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption,Charge and Multiplication,SACM)的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M=10和M=50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450~1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M=1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益(M=1)时,在532nm处的响应度约为最大值的一半。

高压CMOS电路的设计及制造工艺研究

介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。

AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管

AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶体管针对20V至100V范围内的各种漏源电压进行了优化，显著降低了导通电阻。

具有加长LDD结构的高压CMOS器件(英文)

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件。器件的击穿电压可以达到30V以上。加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的。LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大。对于不同的工作电压(10-20V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量。只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容。而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现。与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成。

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CMOS器件 ,从而实现高、低压 CMOS器件的集成 .此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 .

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的 ,以标准CMOS工艺为基础 ,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术 .讨论了低压器件中的各种击穿机理 ,相应提出了高压器件中所做出的改进 ,列举了该工艺技术中所用到的特殊版图 ;对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟 ;将模拟结果与实际测试结果进行了比较 。

用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。

双栅氧CMOS工艺研究

双栅氧工艺(dualgateoxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上。文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣。在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法。

0.18微米CMOS工艺技术平台

本工艺技术平台以国际主流0．18微米CMOS工艺为目标，与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配，并有很强的兼容性，可兼容RFCMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块。其技术特征为：双工作电压（1．8伏和3．3伏）、1层多晶6层铝布线；可选嵌入式SRAM，多晶电阻、MIM电容等模拟信号器件。工艺特点有：

等离子平板显示选址芯片设计

采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构—HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容。同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICI分析其电流—电压和击穿等特性,说明该结构可以满足设计要求。

场发射平板显示高低压电平转换电路

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。

PDP选址驱动芯片的设计与实现

设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求。

飞思卡尔与ELMOS加强在汽车市场的战略联盟

飞思卡尔半导体和ELMOS半导体公司近日宣布双方正在联合开发创新的多芯片产品为下一代汽车系统提供更高的智能水平这两家行业领先公司计划联合开发专用半导体产品[ASSP]结合利用飞思卡尔的高性能16位微控制器[MCIJ]体系架构和ELMOS的高压CMOS ASSP。

奥地利微电子新款AS8515传感器接口为汽车电池电量传感提供完整解决方案

奥地利微电子公司是全球领先的高性能模拟IC和传感器芯片制造商．专为消费、工业、汽车应用行业服务。该公司今日宣布推出系统级封装（SiP）芯片AS8515。当通过SPI接口连接任何一个微控制器时，新品可帮助实现完整的汽车电池测量系统。AS8515是一款堆叠晶元封装的产品，包含一个具有两个高精度ADC通道用以测量电流、电压及温度的信号处理晶元、一个具有稳压功能的高压CMOS晶元以及一个LIN收发器和监视功能。产品将支持制造商满足IS026262安全标准规定的要求，并且非常适合应用于使用锂离子电池的电动汽车、混合动力汽车以及内燃发动机车辆的电池管理系统（BMS）。