X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω.cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.

基于共源共栅结构的高输出功率VCO

为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。

X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究

利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。

运算放大器的串联:如何同时实现高精度和高输出功率

工程师常常面对各种挑战,需要不断开发新应用,以满足广泛的需求。一般来说,这些需求很难同时满足。例如一款高速、高压运算放大器(运放),同时还具有高输出功率,以及同样出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是,您可以使用2个单独的放大器来构建这种放大器,形成复合放大器。将2个运算放大器组合在一起,就能将各自的优势特性集成于一体。这样,与具有相同增益的单个放大器相比,2个运算放大器组合可以实现更高的带宽。

微型逆变器提升太阳能系统整体效能,提高输出功率

传统的太阳能电池存在结构性缺陷，导致系统无法充分发挥其性能，加上系统使用时间越长效率就越低等缺点，阻碍了它的发展，而逆变器可以帮助解决这一问题，提升太阳能系统的整体性能。

G波段高输出功率发射组件的设计

本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频,将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后,加工制作了实物模型进行测试,整体组件的饱和输出功率优于25mW,带内杂散抑制度优于40dBc,并且在脉冲周期20μs,占空比10%的条件下可正常工作,达到了预期设计目标,满足工程化应用的需求。

IDT推出全球首个真正的单芯片无线电源发送器和最高输出功率单芯片接收器解决方案

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT誖公司（Integrated Device Technology,Inc.;NASDAQ：IDTI）宣布,已推出全球首个真正的单芯片无线电源发送器和业界最高输出功率的单芯片接收器解决方案。

松下开发出高输出功率GaN晶体管

松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中最大输出功率可达10．7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制成的GaN晶体管，达到了“业界最高输出功率”。另外，该公司还确认到，在60GHz频带中可获得高达2．4W／mm的输出功率密度，称这一数值“超过了在SiC（碳化硅）底板上制成的GaN晶体管”。

高输出功率1OOHz脉冲Nd：YAG DPSS绿激光器

法国Thales LaserS．A．公司融合了集团内高输出LD制造商Thales Laser Diodes公司制造的QCWLD和专利的均匀泵浦技术以及该公司独创的MOPA技术，实现了高光束质量（M^2：〈6）的高输出100Hz脉冲Nd：YAG DPSS绿激光器。

西铁城电子改进高输出功率白色LED

据日经BP社报道，在东京BigSight会展中心举行的“JAPAN SHOP 2006”上，西铁城电子展示了号称世界最高水平发光效率和光束的高输出功率白色发光二极管（LED）“CL—L100系列”的改进型。这种高输出功率白色LED“目前正处于可靠性试验阶段”（该公司解说员），预定2006年内投入量产。该公司以量产为目标，正致力于实现白色LED的封装方法及处理的简便性。

用于充电器和适配器的高效低功率IC：高输出功率，低空载功耗

这是LinkSwitch—XT IC产品系列的最新产品，面向以严格的输出电压及电流精度为首要设计关键因素的应用。该产品系列支持通用输入（85Vac～265Vac）的充电器及适配器，输出功率高达4W，在开放式应用中输出功率可达到9W（230Vac）。

单芯片无线电源发送器和最高输出功率单芯片接收器

IDTP9030和IDTP9020专为满足无线充电联盟（WPC）的Qi标准而设计，可保证与其他满足WPC Qi标准器件的互操作性。发送器和接收器均能够进行“多模式”操作，可支持Qi标准和专用格式以增加功能、改进安全和提高功率输出能力。内置的协议检测可实现Qi与专用模式间的动态转换，从而实现平稳过渡和可靠的用户体验。

世界最高输出功率的超低温脉冲管冷冻机

日本中部电力株式会社与爱信精机株式会社联手开发出世界最高输出功率的超低温脉冲管冷冻机。 超低温冷冻机是利用压缩氦气膨胀时吸收热量的原理进行制冷的，最低可冷却至-100℃以下，主要应用于磁共振成像（MRI）诊断装置和直线电动机牵引列车等。

美自由电子激光器输出功率创新高输出功率14．2kW波长1．61μm

美国能源部托马斯·杰弗逊国家加速器实验室的科学家宣布，10月31日，他们创造了自由电子激光器输出功率14．2kW的最高记录，激光波长达1，61μm，属于红外线范围。此激光器具有十分广泛的应用范围，既可用于军事（如舰载反导弹防务）和制造技术，也能用于支持化学、物理、生物和医学研究。

高输出功率温差发电系统的研究

本文旨在研发某种高效率、高输出功率的温差发电技术;并对该技术在热电设备应用中的多种工作条件下的功率进行了系统的研究。首先讨论对温差发电模块及系统进行了建模、设计和建造;其次汇报一种最先进的热电模块测量仪器的研究成果,该仪器可对关键热电特性参数进行现场实时测量。此外,对多种热电特性进行了原位实时表征,这些包括效率、电流电压(即I-V)曲线、功率电压(P-V)曲线、外力响应曲线以及功率与温度(P-T)响应曲线。经过深入研究并建造了大功率热能收集装置;对热电工程设备做出了重要的创新,并很好应用于尾气热能的废热收集利用的研发项目。最后,研究结果显示,三级联设备的仿真计算效率为19%以上,双级联的实验测试效率为10.6%以上。这些结果与现有技术相比,其输出功率和热电效率都得到了很大的提高。

λ／4相移分布反馈半导体激光器在高输出功率时的特性分析

从光场限制因子周期性变化这一概念出发，指出在纯折射率耦合分布反馈激光器中存在着增益耦合作用，这种作用在阈值附近较小，但在输出功率增加时迅速增大，并因此使λ／４相移分布反馈激光器的单模特性变差。量子效应对这种增益耦合作用影响不大。在λ／４相移量子阱分布反馈激光器中，量子效应对空间烧孔效应有很强的抑制作用，因此在其高功率输出特性中，增益耦合的影响将变得比较明显。

高电压大功率输出的LLC谐振变换器的设计

设计了一种用于DC/DC变换的LLC谐振变换器,介绍了其软开关特性及工作原理,分析了它的等效电路模型。基于高效率、高功率密度的要求,通过研究各参数对电路运行性能所造成的影响,给出最优化的参数以满足变换器的设计要求,通过对半桥LLC谐振变换器建模仿真,实现5kW、580V/400V的DC/DC变换。实验结果表明,设计的LLC谐振变换器工作良好,满足了高效率、低电磁干扰等要求。

三洋制成世界最高输出功率GaN蓝-紫激光二极管

三洋公司于2008年10月3日宣布，制成405nm波长蓝-紫GaN激光二极管。其脉冲工作输出功率450mW（连续波工作时，输出功率200mW）。输出200mW时，其电流阈值是50mA，工作电流为200mA。当用四层“蓝-射线”（blu-ray）磁盘时，该器件可使记录速度提高12倍。

日本松下半导体公司开发高输出功率GaN晶体管

日本松下半导体公司成功开发出在可批量生产的硅基板上用毫米波工作的高输出功率GaN（氮化镓）晶体管，并使用该晶体管试制了25GHz收发器，晶体管最大输出功率达10．7W。以前使用的GaAs晶体管的输出功率较小，毫米波通讯距离在10km以下。而新开发的GaN晶体管，按输出功率计算，其毫米波通讯距离最大可达84km。

一种新型高功率输出窗的设计与研究

高功率速调管不断发展,输能窗不仅要满足驻波匹配好、热可靠性高等要求,还需要满足高充气压力下的结构可靠性。文中介绍了一种新研制的高功率速调管输出窗,该输出窗形状不同于传统常用的波导窗窗片,形似"舌头"状,为异形陶瓷。该输出窗不仅在2.05~2.7 GHz(相对带宽26.8%)范围内具有匹配好的驻波及承受20 kW左右功率的可靠性,还满足大充气压(0.9 MPa)下的结构可靠性。该输出窗的研制,解决了高功率系统中大充气压损坏速调管输能窗的问题,为高功率速调管在高功率设备中的应用提供了技术保障。